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何向军

作品数：6 被引量：5H指数：2
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇离子束
  • 6篇离子束辅助
  • 5篇离子束辅助沉...
  • 2篇陶瓷
  • 2篇显微结构
  • 2篇金属薄膜
  • 2篇扩散
  • 2篇基片
  • 2篇封装
  • 2篇钼
  • 2篇ALN
  • 2篇IBAD
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇氧化铝
  • 1篇氧化物
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇织构
  • 1篇陶瓷基
  • 1篇陶瓷基片
  • 1篇显微镜

机构

  • 6篇清华大学

作者

  • 6篇何向军
  • 4篇陶琨
  • 3篇范玉殿
  • 1篇江海
  • 1篇李恒德

传媒

  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
金属薄膜与AlN及Al2O3界面的研究
何向军
关键词：离子束辅助沉积封装扩散
IBAD钼膜与Al_2O_3(0001)单晶界面的HREM研究
1995年
采用中等能量离子束辅助沉积（IBAD）技术在单晶Al2O3（0001）基片上沉积钼膜，通过HREM等分析手段，在原子尺度上，对于钼膜及其与Al2O3单晶基体界面的显微结构进行了研究。结果表明：钼膜的晶粒呈细小柱状或纤维状，平均晶粒尺寸约为8nm，钼膜的致密度较高，膜内存在非晶组织。在钼膜与Al2O3单晶基片之间存在厚约10～15nm的非晶过渡层，在界面处未发现原子的长程扩散。非晶过渡层与钼膜界面处存在台阶，增加了钼膜的形核点。
何向军陶琨范玉殿
关键词：离子束辅助沉积显微结构氧化物半导体
Al_2O_3陶瓷基片沉积钼膜的织构研究被引量：2
1994年
采用蒸镀、离子束辅助沉积（IBAD）技术，在Al2O3（单晶、多晶）和玻璃基片上沉积钼膜，通过XRD，TEM等分析手段对于钼膜的织构及其产生机理进行了探讨。结果表明：在单晶和多晶A2O3以及非晶态玻璃基片上蒸镀的钼膜均存在强（110）织构。对于IBAD薄膜，随着氩离子轰击能量的增加，（110）织构向（200）织构转变。膜内应力计算及TEM观察结果证实，钼膜发生了塑性流变，而且塑性流变具有不均匀性。塑性流变的结果使得钼膜产生了（110）织构。
何向军陶琨范玉殿
关键词：织构离子束辅助沉积陶瓷基片氧化铝
金属薄膜与AlN及Al<,2>O<,3>陶瓷界面的研究
采用蒸镀及中能离子束辅助沉积(IBAD)技术,对集成电路重要的陶瓷装材料Al<,2>O<,3>及新型陶瓷高密度封装材料A1N进行薄膜金属化.通过XRD、RBS、TEM(HREM)、XPS及SEM等试验手段,对于热诱导及中...
何向军
关键词：离子束辅助沉积封装扩散
IBAD薄膜与基体界面的显微结构被引量：3
1996年
采用中能离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）技术，在单晶Ａｌ２Ｏ３（０００１）基片上沉积Ｍｏ膜，在ＧａＡＳ（００１）基片１２合成Ｆｅ１６Ｎ２薄膜用ＨＲＥＭ等研究了Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）、Ｆｅ１６Ｎ２膜－ＧａＡｓ（００１）界面的显微结构结果表明：Ｍｏ膜的晶粒呈细小性状或纤维状，晶粒平均尺寸约８ｎｍ，Ｆｅ１６Ｎ２薄膜为等轴晶，晶粒平均尺寸约为１０ｎｍ，在Ｍｏ膜－Ａｌ２Ｏ３（０００１）界面及Ｆｅ１６Ｎ２薄膜－ＧａＡｓ（００１）界面处存在厚１０～１５ｎｍ的由基片原子及膜层原子组成的非晶过渡层在过渡层与薄膜界面处存在台阶，增加了薄膜的形核点，薄膜的致密度较高。
陶琨何向军江海范玉殿李恒德
关键词：离子束辅助沉积显微结构
离子束辅助沉积薄膜与基片界面的高分辨电镜观察
陶琨何向军
关键词：离子束电子显微镜
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