代由勇
- 作品数：29 被引量：106H指数：4
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程金属学及工艺更多>>
- Fe-Cu-Cr-V-Si-B三明治膜的巨磁阻抗效应被引量：3
- 2001年
- 用射频溅射法制备了Ｃｕ夹层的Ｆｅ－ Ｃｕ－Ｃｒ－Ｖ－Ｓｉ－Ｂ三明治膜，在不同条件下对样品进行了退火处理，在最佳退火条件下，样品的软磁特性得到明显改善，从而获得了优良的巨磁阻抗（ＧＭＩ）效应．研究了 ＧＭＩ效应与交变电流频率 ｆ和外加直流磁场 Ｈ关系、在 ５ ＭＨｚ的特征频率下，最大的横向阻抗比△ＺＨ／Ｚｍ达 ９１％．由于样品的三明治结构，横向磁阻抗比明显优于纵向．
- 代由勇刘宜华萧淑琴张林吴厚政张延忠
- 关键词：磁性薄膜巨磁阻抗效应趋肤效应
- 射频溅射功率对FeZrBCu软磁合金薄膜巨磁阻抗效应的影响被引量：5
- 2005年
- 用射频溅射法制备了FeZrBCu软磁合金薄膜 .研究了不同溅射功率对FeZrBCu薄膜软磁特性和巨磁阻抗效应的影响 .用电子探针显微镜测量发现 ,当溅射功率为 2 4 0W时 ,薄膜样品中Fe的原子含量为 87 32 % ,Cu的原子含量为 2 9% .这种样品的矫顽力最小 ,为 6 8A m ,饱和磁化强度约为 1 11× 10 5A m ,软磁性能最佳 ,巨磁阻抗效应最大 ,溅态膜在 13MHz最大巨磁阻抗比纵向为 17% ,横向为 11% .重点分析了阻抗的电阻、电感分量及横向有效磁导率随频率的变化 ,得到在低频下主要是磁电感效应 ,此时磁导率对电感分量的变化起重要作用 .
- 王文静萧淑琴刘宜华陈卫平代由勇姜山袁慧敏颜世申
- 关键词：铁基合金薄膜生长巨磁阻抗效应
- 软磁合金薄带、薄膜和三明治结构的巨磁阻抗效应
- 该论文在以下几方面做了系统工作:1、用射频溅射法制备了单层的FeCuCrVSiB薄膜样品,样品进行适当的退火处理后,形成纳米晶结构.研究了退火温度、有效磁导率、交变电流频率和磁场对纳米晶FeCuCRVSiB薄膜的巨磁阻抗...
- 代由勇
- 关键词：巨磁阻抗效应软磁合金磁性薄膜
- 文献传递
- 非晶和纳米晶软磁合金的巨磁阻抗效应
- 在Co基非晶薄带(Co<,0.85>Fe<,0.05>Ni<,0.075>Nb<,0.025>)<,0.75>Si<,0.1>B<,0.15>、Fe基纳米晶薄带Fe<,73.5>Cu<,1>Nb<,3>Si<,13.5>...
- 刘宜华萧淑琴代由勇陈晨
- 关键词：软磁合金巨磁阻抗效应纳米晶薄膜磁场
- 文献传递
- 多层溅射FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应
- 研究了多层FeCuNbSiB薄膜的巨磁阻抗效应。这种多层结构在制备态即具有巨磁阻抗效应。我们分别测量了阻抗的实部(即电阻)和虚部(即电抗),发现它们都随外加直流磁场灵敏变化,纵向磁场下,电阻的最大变化率为66%,电抗的最...
- 萧淑琴代由勇刘宜华张林陈延学吴厚政梅良模
- 关键词：巨磁阻抗效应多层膜
- 文献传递
- FeCo基成分梯度颗粒膜的高频电磁特性研究
- 代由勇潘微微朱大鹏徐同帅
- 加磁场制备FeCuNbSiB软磁合金薄膜的畴结构和巨磁阻抗效应被引量：1
- 2013年
- 本文研究了用射频溅射法制备的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜的巨磁阻抗效应,并对其磁畴结构进行了分析.探讨在制备过程中加一纵向或横向稳恒磁场对薄膜各向异性场的影响.在制备过程中加磁场使得材料的软磁性能得到明显改善,矫顽力从400Am-1降为60Am-1,磁阻抗效应有较大提高.加横向磁场制备的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9薄膜的畴结构,不是严格的沿着样品的长方向,而是略向宽方向倾斜.经300°C退火后的FeCuNbSiB薄膜具有最大的磁阻抗效应,其纵向磁阻抗比为38%,横向磁阻抗比为27%,巨磁阻抗效应的磁场灵敏度分别为47.5%/kAm-1和11.3%/kAm-1.
- 王文静袁慧敏李娟姬长建代由勇萧淑琴
- 关键词：铁基合金巨磁阻抗效应磁各向异性
- 纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响
- 研究了自然退火、纵向磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带GMI效应的影响,分析了不同退火方式对样品GMI效应影响的原因.无磁场退火样品最大的磁阻抗比达192﹪.纵向磁场退火样品最大磁阻抗比高达363﹪.
- 代由勇吴厚政萧淑琴刘宜华梅良模
- 关键词：软磁材料非晶薄带磁场退火磁阻抗
- 文献传递
- 一种新型含钯有机金属液晶的制备与相行为
- 本文利用偶氮液晶基元4-已氧基-4'-(ω-羟基已氧基)-偶氮苯(简称C6)与过渡金属钯(Ⅱ)发生螯和反应得到一种新型有机金属液晶(简称PdC6),并利用红外光谱(IR)、紫外吸收光谱(UV)、核磁共振(1HNMR)和元...
- 刘建强姜海辉张锡健代由勇仇德鹏颜世申
- 关键词：偶氮液晶液晶基元
- 文献传递
- 磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响被引量：6
- 2002年
- 本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗（GMI）效应的影响.样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236％的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152％/mT.
- 吴厚政刘宜华代由勇张林萧淑琴
- 关键词：磁场退火巨磁阻抗效应趋肤效应
