您的位置: 专家智库 > >

于爱芳

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:国家纳米科学中心更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇纳米
  • 5篇晶体管
  • 5篇薄膜晶体
  • 5篇薄膜晶体管
  • 4篇修饰
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇纳米线
  • 4篇ZNO
  • 4篇ZNO纳米
  • 3篇电机
  • 3篇发电机
  • 2篇悬臂
  • 2篇悬臂梁
  • 2篇压电
  • 2篇压电效应
  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米线
  • 2篇振动

机构

  • 11篇国家纳米科学...

作者

  • 11篇于爱芳
  • 8篇江鹏
  • 5篇王中林
  • 5篇李宏宇
  • 4篇郜展
  • 3篇唐浩颖
  • 2篇唐皓颖
  • 1篇江潮
  • 1篇祁琼

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2010
  • 1篇2009
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于ZnO纳米线的自供电振动传感器及其制造方法
本发明提供一种自供电振动传感器,包括:悬臂梁;悬臂梁上的自供电振动传感器元件,其中自供电振动传感器元件包括:上电极和下电极;上电极和下电极之间的介电层;多条具有压电效应的纳米结构,位于介电层中,所述纳米结构与上电极和下电...
王中林于爱芳江鹏
文献传递
一种振动探测器和探测方法
本发明提供一种振动探测器,包括纳米发电机和检测装置,其中,所述纳米发电机,用于在振动物体的振动作用下随着所述振动产生形变,并在所述纳米发电机的两电极之间产生电信号;所述检测装置,用于检测所述纳米发电机产生的电信号,并根据...
王中林于爱芳
文献传递
一种振动探测器和探测方法
本发明提供一种振动探测器,包括纳米发电机和检测装置,其中,所述纳米发电机,用于在振动物体的振动作用下随着所述振动产生形变,并在所述纳米发电机的两电极之间产生电信号;所述检测装置,用于检测所述纳米发电机产生的电信号,并根据...
王中林于爱芳
文献传递
一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反...
于爱芳江鹏郜展李宏宇唐浩颖
文献传递
高性能有机薄膜晶体管(OTFT)制备及其导电机制被引量:2
2009年
详细介绍了在SiO2和高kHfO2介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究,特别是利用原子力显微技术(AFM)和静电力显微技术(EFM)研究了并五苯分子初始生长模式,揭示了衬底形貌、表面化学性能(包括化学清洗和聚合物层修饰)对有机半导体成膜结构和薄膜场效应晶体管性能之间的关联,包括晶体管迁移率、开关比和阈值电压等;针对并五苯初始生长成核模式的差异,分析了不同岛(畴)间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响,有助于理解有机半导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质,在SiO2介质层上成功制备出迁移率为1.0cm2/V.s、开关电流比达到106的OTFT器件;在高kHfO2介质层上获得的OTFT器件的工作电压在-5V以下,开关电流比达到105,载流子迁移率为0.6cm2/V.s;器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。
江潮于爱芳祁琼
关键词:有机薄膜晶体管并五苯导电机制
一种氧化锌纳米发电机及其制造方法
本发明提供一种氧化锌纳米发电机的制造方法,包括:1)在衬底上镀一层钛层;2)再镀一层金层;3)将衬底漂浮在六水合硝酸锌和六次甲基四胺的水溶液的面,并使镀金的一面向下,在加热的条件下生长,得到氧化锌纳米线层;4)在氧化锌纳...
王中林江鹏于爱芳
文献传递
氧化锌微纳米阵列的制备方法和氧化锌微纳米阵列
本发明提供一种氧化锌微纳米阵列的制备方法以及由该方法制得的氧化锌微纳米阵列,该方法包括如下步骤:1)配制含有Zn(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>·6H<Sub>2</Sub>O和(CH<Sub>2...
李宏宇江鹏于爱芳唐浩颖
文献传递
湿化学法修饰的ZnO纳米结构薄膜晶体管的构造及性能研究
<正>我们利用湿化学法,对磁控溅射法沉积在带有氧化层的单晶硅衬底上的ZnO薄膜(厚度约50nm)结构进行二次修饰,并构造了底栅顶接触型的ZnO薄膜场效应晶体管。湿化学法处理前,既使栅压高达120V,
于爱芳郜展李宏宇唐皓颖江鹏
关键词:迁移率
文献传递
一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法
本发明提供一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法。该修饰方法,包括以下步骤:1)配制ZnO前驱体溶液;2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中,再放入烘箱中反应,以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层,其中所述烘箱中的反...
于爱芳江鹏郜展李宏宇唐浩颖
湿化学法修饰的ZnO纳米结构薄膜晶体管的构造及性能研究
于爱芳郜展李宏宇唐皓颖江鹏
关键词:迁移率
共2页<12>
聚类工具0