于峰
- 作品数：6 被引量：37H指数：3
- 供职机构：济南大学理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- SrBi_4Ti_4O_(15)陶瓷材料介电和导热性能的研究
- 2009年
- 用溶胶-凝胶法制备了SrBi4Ti4O15陶瓷材料,研究了烧结温度、铋含量及掺杂Nd对SrBi4Ti4O15陶瓷结构、热扩散率及介电性能的影响。结果发现,SrBi4Ti4O15陶瓷材料的热扩散率和介电常数随烧结温度的升高而增大,最佳烧结温度为1100℃,铋含量过量达10%时,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数最大。随着掺杂量Nd的增加,SrBi4Ti4O15陶瓷的热扩散率和介电常数随之增大。
- 于峰王培吉李萍范素华张奉军
- 关键词：热导率ND掺杂介电性能
- SnO<,2>基半导体材料的电子结构和光学性质研究
- SnO2是一种新型的透明导电氧化物，它以其较宽的带隙和非常高的激子束缚能使得以SnO2为基的半导体材料更具发展潜力。对SnO2掺杂形成的氧化物材料也具有高的电导率和很好的光学透过率，因而有很好的应用性，所以SnO2基半导...
- 于峰
- 关键词：光学性质介电函数半导体材料二氧化锡
- 文献传递
- 第一性原理计算分析SnO_2电子结构和光学性质被引量：13
- 2009年
- 应用密度泛函理论的第一性原理,采用线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,FP-LAPW)的方法计算SnO2材料的电子态密度,能带图,得出总态密度各部分分别由Sn和O原子的相应分态贡献所得。分析其光学性质,发现反射率和吸收谱等谱线的峰值与介电函数虚部峰值对应,各峰值与电子跃迁吸收有关。从理论上指出其光学性质与电子结构之间的内在关系,并与有关参考文献作比较,为以后SnO2材料的深入研究提供理论依据。
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度光学性质介电函数
- 有机多层阱结构中光谱蓝移的研究
- 2009年
- 为了研究有机多层阱结构中光谱蓝移的原因,制备了以N,N′-Di-[(1-naphthalenyl)-N,N′-diphenyl]-(1,1′-biphenyl)-4,4′-diamine(NPB)为垒层和以Tris-(8-quinolinolato)aluminum(Alq3)为阱层的有机多层阱结构器件.利用光致发光的方法,对具有不同周期及不同阱层厚度的有机多层阱结构器件进行研究.分析认为有机多层阱结构中的光谱蓝移是由于光谱重叠造成的,而并非量子尺寸效应或激子限制效应.
- 黄金昭李世帅冯秀鹏于峰
- 关键词：蓝移光致发光激子
- Al掺杂SnO_2材料电子结构和光学性质被引量：11
- 2011年
- 采用基于第一性原理的线性缀加平面波方法(FP-LAPW),研究Al掺杂SnO2材料Sn1-xAlxO2(x=0,0.0625,0.125,0.1875,0.25)的电子结构和光学性质,包括能带结构、电子态密度、介电函数和其他一些光学性质.计算结果表明,掺杂Al之后价带上部分折叠态增加,价带宽度发生收缩,对导带底起作用的Sn5s态减少,使得带隙增宽,且态密度整体向高能方向发生移动.随着Al掺杂量的增加带隙越来越宽,Al杂质能级在导带部分与Sn5p态电子相互作用逐渐增强,虚部谱中的第一介电峰的强度随掺杂Al浓度增大而减弱.同时,吸收谱及其他光学谱线与介电函数虚部谱线相对应,各谱线均发生蓝移现象,对应带隙增宽,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系.
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度光学性质介电函数
- N掺杂SnO_2材料光电性质的第一性原理研究被引量：19
- 2010年
- 采用全电势线性缀加平面波(full potential linearized augmented plane wave method,简记为FP-LAPW)方法,基于密度泛函理论第一性原理计算分析N掺杂SnO2材料,研究了在N替代O原子和N替代Sn原子情况下的电子态密度、电荷密度分布以及光学性质.研究表明N掺杂替代Sn较之N掺杂替代O原子的带隙要宽,都宽于SnO2的本征带隙,且两种情况下N分别处于负氧化态和正氧化态,其介电函数谱也与带隙对应发生蓝移,从理论上指出了光学性质与电子结构之间的内在关系。
- 于峰王培吉张昌文
- 关键词：态密度介电函数
