于国浩
- 作品数：115 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>
- AlGaN/GaN HEMT漂移区动态电阻分析
- AlGaN/GaN HEMT适合应用于高压大功率器件,但在高电压动态使用时,存在导通电阻增加的现象.目前可以有效降低动态导通电阻的方法有:场板结构和AlN介质层等.本论文采用叠层双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件,...
- 于国浩蔡勇王越赵德胜曾春红侯克玉董志华张宝顺
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓动态电阻
- 文献传递
- III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法
- 本发明公开了一种III族氮化物凹槽栅常关型P沟道HEMT器件及其制作方法。所述HEMT器件包括由第一半导体、第二半导体和第三半导体所形成的双异质结结构，所述双异质结具有双二维空穴气(2DHG)；所述第三半导体具有比第二半...
- 于国浩张宝顺张丽张晓东宋亮吴冬东
- 文献传递
- 空气腔型薄膜体声波谐振器及其制作方法
- 本发明公开了一种空气腔型薄膜体声波谐振器及其制备方法。所述空气腔型薄膜体声波谐振器包括衬底、SiC支撑层、石墨烯下电极、压电层以及上电极，所述衬底具有相背对的第一表面和第二表面，所述SiC支撑层设置在衬底的第一表面上，所...
- 余伦李焘张辉张晓东于国浩张宝顺
- 双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构
- 一种双栅四端III族氮化物增强型HEMT器件的封装结构，包括基座以及，安装在基座上的HEMT器件，该器件包括异质结构以及通过异质结构中的二维电子气形成电连接的源、漏极，该异质结构包括：设置于源、漏极之间的第一半导体，形成...
- 于国浩蔡勇张宝顺
- 文献传递
- Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的电流输运机理被引量：1
- 2018年
- 基于热电子发射和热电子场发射模式,利用I-V方法研究了Pt/Au/n-InGaN肖特基接触的势垒特性和电流输运机理,结果表明,在不同背景载流子浓度下, Pt/Au/n-InGaN肖特基势垒特性差异明显.研究发现,较低生长温度制备的InGaN中存在的高密度施主态氮空位(VN)缺陷导致背景载流子浓度增高,同时通过热电子发射模式拟合得到高背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒高度和理想因子与热电子场发射模式下的结果差别很大,表明VN缺陷诱发了隧穿机理并降低了肖特基势垒高度,相应的隧穿电流显著增大了肖特基势垒总的输运电流,证实热电子发射和缺陷辅助的隧穿机理共同构成了肖特基势垒的电流输运机理.低背景载流子浓度的InGaN肖特基势垒在热电子发射和热电子场发射模式下拟合的结果接近一致,表明热电子发射是其主导的电流输运机理.
- 徐峰于国浩邓旭光李军帅张丽宋亮范亚明张宝顺
- 关键词：铟镓氮X射线衍射肖特基势垒热电子发射
- Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法
- 本发明揭示了一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括衬底、位于衬底上的Ⅲ族氮化物异质结、位于Ⅲ族氮化物异质结上的能量吸收层和半导体层、及金属电极，所述Ⅲ族氮化物异质结包括位于衬底上的沟道层及位于...
- 张宝顺宋亮张晓东于国浩
- 水平结构氢终端金刚石MOSFET的研究进展
- 2024年
- 氢等离子体处理后的金刚石表面具有导电性,室温下二维空穴气(Two-dimensional hole gas,2DHG)面密度可达1013 cm-2,因此利用氢终端金刚石制备的场效应晶体管成为研究重点。本文基于金刚石优异的物理性质,介绍了两种氢终端金刚石2DHG的形成机理,以耗尽型氢终端金刚石MOSFET为例提出稳定2DHG及提高器件性能的方法,总结增强型氢终端金刚石MOSFET的三种实现方法,并综述氢终端金刚石功率器件研究现状、面临的问题以及对未来发展的展望。
- 尹灿邢艳辉张璇张丽于国浩张学敏张宝顺
- 关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管耗尽型
- 基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法
- 本发明公开了一种基于超晶格结构的异质结、增强型HEMT器件及其制作方法。所述基于超晶格结构的异质结包括第一半导体层和第二半导体层，在所述第一半导体层和第二半导体层之间形成有二维电子气，所述第一半导体层为Al<Sub>x<...
- 徐峰于国浩李军帅邓旭光张丽宋亮范亚明张宝顺
- 氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法
- 本发明公开了一种氟扩散实现增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其方法。所述的方法包括：提供包含第一半导体和第二半导体的异质结，所述第二半导体形成在第一半导体上，且具有宽于所述第一半导体的带隙，所述异质结中形成有二...
- 沈飞宇于国浩张晓东蔡勇张宝顺
- 文献传递
- 通过极性控制实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT
- 本发明公开了一种增强型HEMT，包括主要由第一、第二半导体层组成的异质结构和与异质结构连接的源、漏、栅电极；该源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，该栅电极分布于源、漏电极之间；分布于栅电极正下方的第一、第二...
- 张志利蔡勇张宝顺付凯于国浩孙世闯宋亮邓旭光
- 文献传递
