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万晓婧

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 8篇脉冲激光
  • 8篇脉冲激光沉积
  • 5篇陶瓷靶材
  • 5篇靶材
  • 4篇氧化锌薄膜
  • 4篇脉冲激光沉积...
  • 3篇掺钴
  • 2篇导体
  • 2篇氧分压
  • 2篇激光
  • 2篇法制
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 2篇P型
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇原子力显微镜
  • 1篇输出功率
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜

机构

  • 8篇北京工业大学

作者

  • 8篇万晓婧
  • 7篇陈江博
  • 7篇王丽
  • 7篇苏雪琼
  • 1篇孔乐
  • 1篇张新平

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 4篇2011
  • 4篇2010
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结,得到Zn<Sub>0.9</Sub>Co<Sub>0.1</...
王丽苏雪琼陈江博万晓婧
文献传递
激光沉积法制备SrTiO3铁电薄膜及其性能分析
随着微电子集成技术的长足发展,以及光电子和传感器等相关技术向微小型化应用领域的不断拓宽,铁电薄膜材料的发展呈现出十分诱人的前景。钙钛矿型铁电氧化物优良的综合性能,使得其长久以来成为人们的研究热点,而薄膜材料的研究更是如此...
万晓婧
关键词:铁电薄膜脉冲激光沉积法钛酸锶钛酸钡表面形貌
脉冲激光沉积制备ZnO掺Co薄膜和宽带能隙分析
通过选取不同的基片温度,利用脉冲激光沉积的方法成功制备掺钴氧化锌薄膜。通过对样品的原子力显微镜(AFM)测试,观测到生长样品的表面形貌图形较纯ZnO薄膜光滑平整;通过对薄膜的X射线衍射(XRD)表征,测量出Co的掺杂并没...
苏雪琼王丽陈江博万晓婧
关键词:脉冲激光沉积法原子力显微镜
文献传递
氧分压对脉冲激光沉积SrTiO_3薄膜性质的影响被引量:2
2011年
采用脉冲激光沉积(PLD)法在不同氧分压下于LaAlO3(100)基片上成功制备了SrTiO3(STO)薄膜。通过测试,表征了薄膜的微观结构、表面形貌和光学特性。研究表明,对于利用PLD法制备STO薄膜,氧分压是重要的工艺参数。随着氧分压的降低,薄膜的结晶性变好,并发生由立方晶系到四方晶系的形变;氧分压升高,薄膜晶粒尺寸变大、数目变少,薄膜的厚度减小。薄膜在4002500nm的可见光和红外波段呈现较低的光学吸收。在5,10和15Pa氧压下制备的STO薄膜的能隙宽度分别约为3.84,4.13和4.05eV。这为STO薄膜进一步的制备与分析提供了良好的实验数据支持。
万晓婧王丽陈江博苏雪琼孔乐
关键词:脉冲激光沉积微观结构光学特性
一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法
本发明涉及一种制备P型掺钴氧化锌薄膜的方法。本发明通过以ZnO和Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>为原料经研磨混合、烧结、研磨、压制、烧结,得到Zn<Sub>0.9</Sub>Co<Sub>0.1</...
王丽苏雪琼陈江博万晓婧
一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法
本发明公开了一种氧化锌掺杂同质PN结及其制备方法,由ZnO掺钴薄膜作为P型结,ZnO掺铟镓薄膜作为N型结,P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上,N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上,P型的ZnO掺钴薄膜的部分...
王丽苏雪琼陈江博万晓婧
文献传递
一种透明氧化物半导体InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜的制备方法
一种透明氧化物半导体InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7</Sub>薄膜的制备方法,属于薄膜材料制备领域。该制备方法的主要步骤为:采用常压固相反应烧结法制备InGaZn<Sub>4</Sub>O<Sub>7...
陈江博王丽苏雪琼万晓婧张新平
文献传递
一种氧化锌掺杂同质PN结
本实用新型公开了一种氧化锌掺杂同质PN结,由ZnO掺钴薄膜作为P型结,ZnO掺铟镓薄膜作为N型结,P型的ZnO掺钴薄膜在附着在衬底基片上,N型ZnO掺铟镓薄膜附在P型的ZnO掺钴薄膜上,P型的ZnO掺钴薄膜的部分被N型Z...
王丽苏雪琼陈江博万晓婧
文献传递
共1页<1>
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