黄忠梅 作品数:16 被引量:13 H指数:2 供职机构: 贵州大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 理学 机械工程 一般工业技术 自动化与计算机技术 更多>>
掺杂纳米硅发光调控与CS效应 2020年 最近,英特尔和谷歌等大公司投巨资予量子计算机的研发,以期实现光子信息时代芯片级革命性的突破;其中,硅芯片上用于光互联的相干光源与光子传播节点是重要的研究工作瓶颈.由于四族半导体硅材料是间接带隙跃迁能带结构,所以发光效率不高;而硅基材料在电子信息发展中有很好的基础,所以科学家们试图通过硅的低维纳米结构来实现直接带隙跃迁能带转换,从而改进其发光性质. 黄伟其 黄伟其 黄忠梅 刘世荣关键词:量子计算机 硅基材料 相干光源 硅芯片 光互联 芯片级 可分离式无影LED台灯 本发明公开了一种可分离式无影LED台灯。本发明采用分瓣式的灯罩,并将灯罩采用万向节铰链进行安装,这样的结构将灯罩分为两个不同的照射源,并能自有调整灯罩的照射角度。从而实现消除台灯普遍存在的照射阴影的问题。并通过巧妙的折叠... 王开礼 于建成 罗迷 邰冬梅 黄忠梅 黄伟其文献传递 不同对称性条件下光子晶体局域态的演化 2014年 光子晶体不仅可以用来调控自发辐射,还可以用来控制光的传输和局域。研究采用平面波展开法进行模拟计算。首先改变光子晶体H1缺陷及其附近介质柱的半径,使得光子晶格缺陷处超晶胞的旋转对称性具有C6v,C3v或C2v等点群的性质;然后分析二维圆形介质柱三角光子晶体的局域态在光子禁带中演化。计算结果表明:随着介质柱的半径的变化,光子晶体局域态会发生变化,其演化表现出阶段性;同时随着对称性破缺程度的加深,会有更多缺陷态进入光子禁带。计算选择硅(Si)作为介质柱材料,主要为硅基光子晶体激光器的选模提供理论参考。 周年杰 黄伟其 苗信建 黄忠梅 尹君关键词:光子晶体 对称性 局域态 激光器 “纳米硅制备及其发光性质研究成果”最新报告 2015年 “纳米硅制备及其发光性质研究成果”研究小组最近在英国《自然》杂志子刊Scientific Reports上发表研究论文 《Magic electron affection in preparation process of silicon nanocrystal》,
报道了该小组有关纳米硅的制备及其发光性质研究的最新进展。 黄伟其 刘世荣 黄忠梅 董泰阁 王刚 苗信建 吴学科 秦朝建关键词:发光性质 纳米硅 SILICON MAGIC 研究论文 可分离式无影LED台灯 本实用新型公开了一种可分离式无影LED台灯。本实用新型采用分瓣式的灯罩,并将灯罩采用万向节铰链进行安装,这样的结构将灯罩分为两个不同的照射源,并能自有调整灯罩的照射角度。从而实现消除台灯普遍存在的照射阴影的问题。并通过巧... 王开礼 于建成 罗迷 邰冬梅 黄忠梅 黄伟其文献传递 反射Talbot效应的高阶衍射及其在硅光晶上的成像应用 被引量:1 2014年 用纳秒脉冲激光在硅材料上制备一维和二维硅光子晶体结构,在这种一维和二维硅光子晶体上观测到反射泰伯(Talbot)效应成像。文中给出反射Talbot效应成像的理论模型,与传统的透射泰伯效应不同,反射泰伯效应有明显的泰伯距离变化和高阶衍射成像等现象。在反射泰伯效应成像中,相邻反射泰伯像之间的间距随像距增加呈线性增长;在泰伯距离间隔中,观察到交替的亮场和暗场成像。实验结果表明,选择适当输入光束的波阵面形状能够增大泰伯像的放大率,选择高阶衍射级能够提高泰伯像的分辨率。这种反射泰伯效应成像具有光路简洁和能够进行微区放大的特点,且不需将成像仪器放入样品室,这在硅基微加工与制备显微检测方面会有很好的应用。 黄忠梅 黄伟其 胡文波 苗信建关键词:波阵面 硅量子点发光的激活及其物理模型研究 被引量:2 2012年 在真空或惰性气体中制备的硅量子点发光很弱,硅量子点表面被氢较好钝化后的发光也不强.硅量子点表面的硅氧键或硅氮键能破坏这种钝化并在带隙中形成局域电子态,在局域电子态对应的激活中心有很强的发光.可以用这种方式构建发光物质,控制硅量子点表面的键合可获得不同波长的发光.在硅量子点的发光激活处理过程中,退火是很重要的环节.对于硅量子点发光激活的机理,本文给出了相应的物理模型.实验证明,在600和700 nm波长附近观察到了激活硅量子点的受激发光,在1500 nm到1600 nm波长范围观察到了激活硅量子点的较强发光. 黄伟其 黄忠梅 苗信建 刘世荣 秦朝建关键词:硅量子点 局域态 硅基微纳光伏结构及其光子制备方法 本发明提供了一种硅基微纳光伏结构及其光子制备方法。本发明的产品具有表面微米尺度的凸起结构和内部纳米结构,并形成PN层薄膜结构,其中利用脉冲激光纳秒光子作用产生等离子体阵列制备出的准周期表面结构的光吸收率超过90%以上,并... 黄伟其 黄忠梅文献传递 用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN层的方法 本发明公开了利用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN结的方法,用飞秒或纳秒脉冲激光束作用硅表面,产生表面等离子层,电子跟随光频震荡浮于表面形成电子气,而惰性大的硅离子层分布在下方,通过向硅离子层注入P型参杂形成下... 黄忠梅 黄伟其 郑云誉 陈梦元 张航 李鑫 王安琛 王梓霖 王可文献传递 硅表面硅镱键合与量子级联结构的发光 被引量:2 2015年 用纳秒强激光脉冲制备了纳米硅和硅表面的硅镱键合结构,检测了纳米硅表面硅镱键合的发光特性,并对这种结构相应的光致发光(PL)和电致发光(EL)的动力学机理进行了研究.观察到纳米硅表面硅镱键合在700nm 附近尖锐的强发光峰,结合第一性原理计算认为是硅镱键合在弯曲纳米硅表面的局域态发光;利用纳秒脉冲激光沉积技术(PLD)制备多晶硅薄膜,发现由硅镱界面的失配形成表面的突触,其上的硅镱键合产生带隙中的电子局域态,该局域态发光分布在1250~1650nm 波长范围,有增强的EL发光;用PLD方法制备硅镱多层膜量子级联结构,测量到光通信窗口的多个发光峰,并观察到随膜层数增加且发光峰增多. 董泰阁 黄伟其 黄忠梅 王刚 苗信建 吕泉 刘世荣 秦朝建关键词:电致发光