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黄云

作品数:152 被引量:197H指数:9
供职机构:信息产业部电子第五研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

文献类型

  • 91篇专利
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领域

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  • 8篇红外焦平面
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  • 6篇脉冲
  • 6篇面阵

机构

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  • 1篇中国电子科技...
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作者

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  • 6篇周斌

传媒

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  • 1篇微电子技术
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年份

  • 1篇2021
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  • 22篇2016
  • 15篇2015
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  • 6篇2012
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 8篇2008
  • 15篇2007
  • 5篇2006
  • 7篇2005
  • 5篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
152 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs PHEMT器件的失效模式及机理被引量:5
2007年
归纳了GaAs PHEMT器件的几种常见失效模式,并从6个方面分析了PHEMT器件的失效机理:热电子应力退化、氢效应、2DEG结构退化、欧姆接触退化、肖特基接触退化和电迁移。
许燕黄云邓文基
关键词:砷化镓晶体管失效模式
轨到轨运算放大器
本发明涉及一种轨到轨运算放大器,包括轨到轨输入级电路、上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、输出级电路和电流镜像电路,轨到轨输入级电路分别连接上行电流补偿电路、下行电流补偿电路、电流镜像电路和输出级电路,电流镜像电路还连接...
郝立超赖灿雄岳龙陈义强陈辉侯波郝明明路国光黄云恩云飞
文献传递
仪器研制可靠性管理与保障系统
本发明提供一种仪器研制可靠性管理与保障系统,包括用户界面模块,可靠性工具软件模块,仪器寿命周期管理模块和基础数据库,用户界面模块提供用户操作界面,仪器寿命周期管理模块分析仪器功能建立仪器功能模块,仪器寿命周期管理模块分析...
路国光谢少锋黄云肖庆中郝明明赖灿雄
文献传递
中红外固体激光器的寿命检测方法
本发明提供一种中红外固体激光器的寿命检测方法,该方法包括以下步骤:根据中红外固体激光器的整机结构确定中红外固体激光器的关键部件和可靠性结构模型,并根据可靠性分配理论对所述关键部件进行指标分配;根据各关键部件的失效机理确定...
路国光谢少锋郝明明赖灿雄黄云恩云飞
文献传递
电磁继电器有机污染接触寿命评价方法被引量:5
2006年
由有机污染接触引起的失效在电磁继电器的使用和贮存过程中占有很大的比例。从这单一失效机理出发,基于失效物理的方法,通过恒定结合步进应力加速试验,计算出有机污染接触失效机理的激活能。同时提出有机污染接触失效机理决定的电磁继电器贮存15年的寿命评价方案。
刘建恩云飞黄云杨丹
关键词:电磁继电器可靠性
纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法新进展被引量:1
2020年
回顾了纳米pMOSFET上考虑涨落的NBTI测试方法的新进展。首先,简单地介绍了5种传统的NBTI测试方法:准静态直流完整Id-Vg测试法、在线测试法、单点Id测试法、延伸Id测试法和超快脉冲测试法,并分别分析了他们各自的优缺点;然后,阐述了由于pMOSFET尺寸缩小到纳米尺度后带来的涨落效应对传统的NBTI测试方法的挑战;最后,详细地介绍了纳米pMOSFE上的3种考虑涨落的NBTI测试新方法,即随机电报噪声、时间相关缺陷谱和器件内部波动。
高汭张小龙雷胡敏林晓玲章晓文章晓文黄云陈义强
关键词:涨落负偏压温度不稳定性
近场扫描中电磁图像滤波的研究和实现被引量:1
2020年
自适应中值滤波与维纳滤波都是图像处理中的经典算法之一。为了提升幅度值数据矩阵转化为的伪彩色带噪图像的质量,获得更好的视觉效果,文中提出上述两种图像滤波算法的具体实现方法。在自适应中值滤波算法中,初版使用滑动窗口取出覆盖范围内的最值及中值并通过比较取舍实现滤波功能;改进后的实现方法将原图以窗口为单位展开为新的矩阵后进行整体比较与判决,提升了运算效率。维纳滤波通过将时域图像数据转换至频域并除去降质函数来减少噪声影响,实现平滑效果。文中尝试将上述两种图像处理算法应用于电磁兼容扫描结果的处理,从而改善图像的显示效果。
黄权钟穗雯邵伟恒方文啸王磊黄云
关键词:电磁兼容信号滤波
SRAM型FPGA的故障注入方法和装置
本发明涉及一种SRAM型FPGA的故障注入方法和装置,该方法包括获取待测FPGA的初始配置文件;获取初始配置文件中的使用中逻辑资源,并确定使用中逻辑资源对应可配置存储单元的配置文件位置;确定故障注入位置,故障注入位置与可...
杨凯歌张战刚雷志锋恩云飞黄云
文献传递
一种分立器件裸芯片测试与老化临时封装载体
本实用新型公开了一种分立器件裸芯片测试与老化临时封装载体,它包括电气互连衬底和为电气互连衬底提供机械支撑的夹具,夹具包括底座基板、支撑固定件、弹力盖板、盖板支撑件和螺栓固定件(或锁扣件)。支撑固定件中部开有用于容纳裸芯片...
黄云恩云飞杨少华
文献传递
PHEMT器件界面态分析方法综述
2008年
介绍了高电子迁移率场效应晶体管(PHEMT)器件的结构,并主要从直流特性、击穿电压和栅延时等方面研究了界面态对PHEMT器件的影响,总结了界面态分析方法,包括:通过沟道峰值电场和碰撞电离率来研究界面态的密度;二维量子模型模拟法的应用;根据跨导随频率变化的规律来测量界面态的密度。
张鹏黄云李斌
关键词:砷化镓器件界面态
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