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魏建帅

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:四川大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇居里
  • 3篇居里温度
  • 3篇高居里温度
  • 1篇单相
  • 1篇电性能
  • 1篇电学性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电性
  • 1篇压电性能
  • 1篇陶瓷
  • 1篇铁电
  • 1篇铁电性
  • 1篇铁电性能
  • 1篇钛酸铅
  • 1篇温特
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇非金属材料

机构

  • 4篇四川大学
  • 2篇铜仁学院

作者

  • 4篇魏建帅
  • 4篇朱建国
  • 4篇石维
  • 3篇肖定全
  • 3篇陈强
  • 2篇裴颖
  • 1篇覃宝全
  • 1篇彭志航
  • 1篇孙宇澄

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
BiFeO3-PbTiO3-LiNbO3陶瓷的制备与表征
FeO3(BFO)为一种典型的单相多铁材料,也是目前唯一能同时在室温以上表现出铁电有序和反铁磁有序的材料.但是由于室温下BiFeO3具有棱形畸变钙钛矿结构,导致BiFeO3电阻较小、漏电流大,故难以在压电器件等方面应用....
魏建帅石维彭志航陈强肖定全朱建国
关键词:铁电性能压电性能压电陶瓷
BYPT压电陶瓷的结构与介温特性研究被引量:3
2010年
采用传统固相反应法,制备了(1-x)BiYbO3-xPbTiO3(x=0.95、0.90、0.85、BYPTx)压电陶瓷。XRD衍射图谱分析表明,在烧结温度为1150℃保温时间为2h的条件下,BYPTx陶瓷为纯钙钛矿结构,并具有较大的四方畸变度,c/a约为1.06。XRD衍射图谱分析还表明BiYbO3与PbTiO3固溶度不超过15%。BYPTx陶瓷的介温曲线显示其居里温度高达Tc=580℃,但BYPTx陶瓷的压电性能较弱,d33≈20pC/N。
石维裴颖魏建帅陈强肖定全朱建国
关键词:高居里温度压电陶瓷
BSYPTx压电陶瓷的结构与压电性能研究被引量:1
2010年
采用传统固相反应法,制备了(1-x)(0.96BiScO3-0.04BiYbO3)-xPbTiO3(0.58≤x≤0.66,BSYPTx)压电陶瓷。XRD图谱分析表明,BSYPTx具有钙钛矿结构,BSYPTx陶瓷四方相到三方相的转变区域存在于x=0.64附近,即是该体系的准同型相界(MPB)。在相界附近,BSYPTx陶瓷具有较优良的压电性能:压电常数d33≈426 pC/N,机电耦合系数kp=0.52;介温曲线显示,BSYPTx陶瓷相界附近的居里温度TC=430℃。Yb3+的引入提高了BSPT陶瓷的电滞回线的矩形度,最大的剩余极化强度Pr=43μC/cm2。
石维裴颖魏建帅陈强肖定全朱建国
关键词:高居里温度压电陶瓷
掺铟钪酸铋-钛酸铅压电陶瓷的制备及电学性能被引量:3
2009年
采用固相反应法,制备了0.10BiInO3-(0.90-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx,0.55≤x≤0.70)压电陶瓷,并对陶瓷样品的相结构,表面形貌和电性能进行了研究。结果表明,BiInO3和BiScO3-PbTiO3能够形成很好的固溶体,在1070℃烧结2h即可形成稳定钙钛矿结构的BISPTx陶瓷。当x=0.60时,BISPTx陶瓷具有优良的电学性能:d33=330pC/N,kp=0.423,tC=420℃。BiInO3的掺入可有效提高BISPTx陶瓷的tC,并提高其电阻率,降低漏导电流,使其在较高温度(300℃)下仍保持较低的tanδ(<0.05)。
孙宇澄石维覃宝全魏建帅朱建国
关键词:无机非金属材料高居里温度
共1页<1>
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