高艳涛
- 作品数：31 被引量：129H指数：8
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学动力工程及工程热物理更多>>
- 本征微晶硅薄膜和微晶硅电池的制备及其特性研究被引量：5
- 2005年
- 本文对VHF PECVD制备的本征微晶硅薄膜和电池进行了电学特性和结构特性方面的测试分析研究。电学测试结果给出制备薄膜的激活能为0. 51eV,符合电池对材料的电学参数要求;拉曼散射谱测试结果计算得到样品的晶化率为63%;X射线衍射结果也证明材料晶化,同时(220)方向择优;首次在国内用VHF PECVD方法制备出效率为5%的微晶硅电池(Jsc=21mA/cm2, Voc=0. 46V, FF=51%, Area=0. 253cm2 )。
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- 关键词：化学气相沉积法微晶硅太阳能电池微晶硅薄膜
- 太阳电池用本征微晶硅材料的制备及其结构研究被引量：8
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同硅烷浓度和反应气压的微晶硅薄膜.运用拉曼散射光谱和x射线衍射对制备的材料进行了结构分析.在实验研究的范围内,制备材料的晶化程度随硅烷浓度的增加而降低.XRD的测试结果表明制备的微晶硅材料均体现了(220)方向择优.应用在电池的有源层中,制备出了效率达7·1%的单结微晶硅太阳电池,电池的结构是glass/ZnO/p(μc-SiH)/i(μc-SiH)/n(a-SiH/Al),没有ZnO背反射电极,有源层的厚度仅为1·2μm.
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- 关键词：X射线衍射微晶硅薄膜硅太阳电池硅材料本征
- 优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响被引量：1
- 2006年
- 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。
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- 关键词：气体流量
- VHF-PECVD制备硅薄膜的光发射谱在线监测研究被引量：1
- 2004年
- 用光发射谱 (OES)和喇曼散射谱 (Raman)研究了VHF PECVD制备硅薄膜的结构特性。OES测试结果表明 :随功率增加 ,对应各基团峰的强度增大 ;结合喇曼的测试结果 ,OES谱得到的结果可以用来定性地表征制备薄膜的晶化程度 ;纯化器可以降低制备薄膜中的氧含量 ,Ra man测试结果表明相应的晶化率低。
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- 高速沉积高效微晶硅太阳电池的研究
- 微晶硅太阳电池是硅基薄膜太阳电池的新一代技术。如何提高微晶硅太阳电池的沉积速率是降低其制造成本的关键技术。本文研究了提高微晶硅薄膜沉积速率的方法,并研究了在高速沉积条件下影响微晶硅薄膜质量、进而影响电池性能的关键因素,提...
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- 文献传递
- 二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染被引量：7
- 2005年
- 运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况 .结果发现 :薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变 .制备的微晶硅薄膜 ,晶化程度越高薄膜中的氧含量相对越多 .另外 ,不同本底真空中的氧污染实验结果表明 :微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系 ,因此要制备高质量的微晶硅材料 ,高的本底真空是必要条件 .
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- 关键词：二次离子质谱微晶硅薄膜
- 甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究被引量：15
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池 .电池的J V测试结果表明 :在实验的硅烷浓度和功率范围内 ,随硅烷浓度的降低和功率的加大 ,对应电池的开路电压逐渐变小 ;硅烷浓度的不同对电池的短路电流密度有很大的影响 ,但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著 .对于微晶硅电池 ,N层最好是非晶硅 ,这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应 ,另一方面也降低了电池的漏电概率 ,提高了电池的填充因子 .
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- 关键词：微晶硅薄膜太阳电池
- P型微晶硅材料及在薄膜太阳电池上的应用被引量：4
- 2005年
- 采用VHF-PECVD技术沉积硼掺杂的P型微晶硅薄膜材料,在硅烷浓度(SC)为0.8%,反应气压93Pa时,随等离子体功率的增加,材料的晶化率和电导率先增大,后减小;薄膜的透过率随功率的增大而增加。将获得的P型微晶硅薄膜应用在微晶硅薄膜太阳电池中,电池结构为glass/p-μc-Si:H/I-μc-Si:H/n-μc-Si:H/A l,厚度约1μm,没有背反射电极的情况下,电池效率达到了7.32%(Voc=0.520V,Jsc=21.33mA/cm2,FF=64.74%)。
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- 关键词：微晶硅太阳电池
- VHF-PECVD制备不同氢稀释条件下硅薄膜特性分析被引量：8
- 2005年
- 本文集中报导了不同硅烷浓度条件下,制备的系列硅薄膜电学特性和结构特性的分析研究。结果表明:随着硅烷浓度的逐渐减小,材料逐渐地由非晶向微晶转变。傅立叶变换红外吸收 (FTIR)的测试结果表明:微晶硅材料存在着自然的不稳定性,表现为氧含量随着时间的推移而增多。而且,微结构因子(IR)的结果给出:对于适用于电池有源层的微晶硅材料来说,其IR不能太大,也不能太小,本实验中相对好的微晶硅材料其IR为 31%。
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- 关键词：硅薄膜VHF-PECVD有源层晶向电学特性度条件
- VHF-PECVD制备微晶硅材料及电池被引量：11
- 2005年
- 采用VHF PECVD技术制备了不同功率系列的微晶硅薄膜和电池,测试结果表明:制备的适用于微晶硅电池的有源层材料的暗电导和光敏性都在电池要求的参数范围内.低功率或高功率条件下,电池从n和p方向的喇曼测试结果是不同的,在晶化率方面材料和电池也有很大的差别,把相应的材料应用于电池上时,这一点很重要.采用VHF PECVD技术制备的微晶硅电池效率为5%,Voc=0 45V,Jsc=22mA/cm2,FF=50%,Area=0 253cm2.
- 张晓丹赵颖朱锋魏长春高艳涛孙健侯国付薛俊明耿新华熊绍珍
- 关键词：微晶硅薄膜
