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高兴国

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇退火
  • 2篇退火行为
  • 2篇分子束
  • 2篇分子束外延
  • 2篇GSMBE
  • 1篇锗硅
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子材料
  • 1篇金薄膜
  • 1篇绝缘体上硅
  • 1篇合金
  • 1篇合金薄膜
  • 1篇高温退火
  • 1篇MBE
  • 1篇衬底
  • 1篇衬底材料

机构

  • 5篇中国科学院
  • 3篇北京师范大学

作者

  • 5篇刘超
  • 5篇高兴国
  • 3篇曾一平
  • 3篇李建平
  • 2篇李晋闽

传媒

  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
硅基微电子新材料—SGOI薄膜研究进展
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术(Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们...
刘超高兴国
文献传递
硅基微电子新材料SGOI薄膜研究进展被引量：2
2005年
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术 (Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛 重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图 (ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向。文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进 展。
高兴国刘超李建平曾一平李晋闽
关键词：微电子材料
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
2005年
在SIMOXSOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGeoninsulator)样品,并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为.用Raman,DCXRD,RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征.分析结果表明:SGOI样品表面的穿透位错密度约为5×105cm-2;高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化,进一步提高SiGe薄膜的晶体质量,并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料.
刘超高兴国李建平曾一平李晋闽
关键词：MBE退火行为
制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
一种制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法，其特征在于，步骤如下：a.利用气固源分子束外延设备以绝缘体上硅为衬底材料外延生长锗硅合金薄膜；b.再在氧化气氛的石英管式退火炉中进行高温退火处理；c.用湿化学腐蚀法或化学机械抛光法除去...
刘超高兴国李建平曾一平
文献传递
GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
SGOI(SiGe on Insulator)是近年来日趋成熟的SOI技术和蓬勃发展的SiGe技术相结合而产生的一种的新型微电子材料,并被ITRS(International Technology Roadmap for...
刘超高兴国李建平曾一平李晋闽
关键词：退火行为分子束外延
文献传递
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