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颜世明

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇导体
  • 2篇稀磁性半导体
  • 2篇半导体
  • 2篇磁性半导体
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土元素
  • 1篇离子
  • 1篇离子掺杂
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇兰州大学

作者

  • 2篇葛世慧
  • 2篇左亚路
  • 2篇颜世明

传媒

  • 2篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
稀磁性半导体(In1-xTbxSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究
稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集中在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀土元素掺杂的很少...
左亚路颜世明葛世慧
关键词：磁性半导体离子掺杂稀土元素
文献传递
稀磁性半导体(In1-zTbzSn0.1)2O3薄膜的结构和磁性研究
@@引言： 稀释磁性半导体是指少量的磁性离子掺杂到半导体中，它既具备半导体性质，又具有铁磁性，因此稀释磁性半导体被认为是最有希望用来制作自旋电子器件的材料。近年来，稀磁半导体主要集中在用过渡族金属掺杂半导体材料，用稀土元...
左亚路颜世明葛世慧
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