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顾安妍

作品数：5 被引量：20H指数：3
供职机构：重庆大学化学化工学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程冶金工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 4篇石墨
  • 4篇膨胀石墨
  • 2篇低硫可膨胀石...
  • 2篇失重
  • 2篇热失重
  • 2篇可膨胀石墨
  • 2篇H2O2体系
  • 2篇H2SO4
  • 2篇HNO3
  • 2篇KMNO4
  • 2篇插层
  • 1篇导电
  • 1篇导电性能
  • 1篇电解
  • 1篇电流效率
  • 1篇电脱氧
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇熔盐
  • 1篇熔盐电解

机构

  • 5篇重庆大学
  • 3篇重庆理工大学

作者

  • 5篇顾安妍
  • 3篇高焕方
  • 2篇张胜涛
  • 1篇施瑞盟
  • 1篇白晨光
  • 1篇车向前
  • 1篇栗晓
  • 1篇廖勇

传媒

  • 1篇炭素
  • 1篇材料导报
  • 1篇中国化学会第...
  • 1篇中国化学会第...

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2体系制备的低硫可膨胀石墨的结构
顾安妍高焕方车向前
关键词：低硫可膨胀石墨热失重
混酸插层制备膨胀石墨研究被引量：5
2011年
对采用H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2混酸氧化插层体系制备膨胀石墨进行了研究，采用扫描电镜（SEM）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）和热重一差热法（TG-DTA）分析产物，并提出了氧化插层过程和机理。分析表明：插入剂的插入破坏了原有鳞片石墨层的紧密结构，使碳层间距增大，高温膨胀后，膨胀石墨呈蠕虫状或手风琴状蓬松结构，一个石墨蠕虫由许多微胞连接在一起组成，微胞之间呈现较大的狭缝裂开。氧化插层破坏了鳞片石墨原有的晶体结构，但是未破坏石墨的C—C键，20=29．5。处的特征峰是由石墨插层物结晶区引起的。可膨胀石墨片层。间存在SO4^2-、NO2阴离子插层物。可膨胀石墨在500℃之前的热失重和267℃附近较小的放热峰，均是由石墨插层物的气化、分解所致。
张胜涛顾安妍高焕方车向前
关键词：膨胀石墨
H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2体系制备的低硫可膨胀石墨的结构
＜正＞对H2SO4-HNO3-KMnO4-H2O2氧化插层体系制备的低硫可膨胀石墨的膨胀性能进行了研究,采用扫描电镜、红外光谱、X射线衍射和热失重对其结构进行了分析,提出了氧化插层过程和机理。
顾安妍高焕方车向前
关键词：低硫可膨胀石墨热失重
文献传递
膨胀石墨的制备及其导电性能的研究
膨胀石墨(EG)是由天然鳞片石墨经氧化、插层、水洗、干燥及高温膨胀而得到的一种疏松多孔的物质,是一种新型的导电材料。本论文研究以HNO3和H2SO4共同插入法、分步插层法和电解氧化法制备EG的工艺路线,探讨主要因素对膨胀...
顾安妍
关键词：膨胀石墨石墨层间化合物插层导电
文献传递
熔盐电脱氧制多晶硅过程电流效率的影响因素被引量：3
2009年
电流效率是熔盐直接电解脱氧制备多晶硅的一项重要指标,它涉及到电解槽的产量和电耗。如何提高熔盐电解的电流效率对多晶硅的单位时间产量、降低单位电耗等具有重要意义。采用CaCl2为电解质、SiO2粉末压制片为阴极及自制石墨棒为阳极进行了实验研究。在具体实验中测定了制备多晶硅过程中电流效率随电解时间、温度、电流密度及电极间距的变化关系。结果表明,当电解时间为6～10h、电解温度为800～900℃、电流密度为0.78～1.20A/cm2、电极间距为4～7cm时,电解效率较高。
廖勇张胜涛白晨光栗晓顾安妍施瑞盟
关键词：熔盐电解电流效率多晶硅
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