雷虹
- 作品数：20 被引量：46H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校骨干教师资助计划大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 微波功率模块中高效率灯丝电源的设计被引量：1
- 2006年
- 设计了可有效提高效率的小功率常规集成电源电路。在Pspice仿真的基础上,介绍了利用Magnetics Designer软件设计、优化高频变压器的方法,分析了合理选择开关管、输出整流管及RCD箝位电路参数的依据。通过实验测试,设计的灯丝电源在兼顾小型化的同时,满载效率达到92%。
- 李文陈银杏冯进军雷虹
- 关键词：微波功率模块仿真
- α－BNPT－DTO、β－BNPT－DTO、BNPT－DTT晶体的制备、结构及其非线性光学性质
- 1995年
- 在合成新化合物ＢＮＰＴ－ＤＴＯ的基础上，发现它存在两个晶相：低于４９．１℃从ＣＨ＿３ＮＯ＿２结晶的α－ＢＮＰＴ－ＤＴＯ含１：１的溶剂分子，属三斜晶系Ｐ群，无倍频效应；高于４９．１℃从ＣＨ＿３ＮＯ＿２结晶的β－ＢＮＰＴ－ＤＴＯ不含溶剂分子，属正交晶系Ｐ２＿１２＿１２＿１群，其倍频强度约５倍于尿素。分别生长出１０ｘ８ｘ７ｍｍ￣３的α－ＢＮＰＴ－ＤＴＯ和１２ｘ９ｘ９ｍｍ￣３的β－ＢＮＰＴ－ＤＴＯ的晶体。分析了β－ＢＮＰＴ－ＤＴＯ和ＢＮＰＴ－ＤＴＴ的结构与倍频性质的关系。
- 方奇袁多荣邵宗书杨兆荷于文涛蒋民华雷虹
- 关键词：晶体结构晶体生长非线性光学晶体
- 小型高效小功率开关电源的设计被引量：13
- 2006年
- 为实现小功率开关电源的小型高效化,设计并制作了基于电流型脉宽集成控制芯片UC3842的隔离单端反激式开关电源。利用MagneticsDesigner软件设计平面变压器,分析了选用MOSFET开关管、输出整流管及电阻/电容/二极管(RCD)箝位元件的依据和方法,并进行了Pspice仿真。试验结果验证了该电源的有效性,满载效率达到88%,体积为40mm×35mm×10mm。
- 李文雷虹冯进军陈银杏
- 关键词：电源变压器
- WinCon8000在雷达发射机控制保护系统中的应用被引量：3
- 2006年
- 为了给雷达发射机系统提供完善的保护和友好的人机操作界面,通常通过一个复杂的控制保护系统来实现。针对一种固态-前向波放大器雷达发射机系统,研制了一种基于新型工业控制计算机WinCon8000构建的控制保护系统,本文给出该控保系统的原理结构框图和功能设计。
- 陈亚非向兵冯进军雷虹
- 关键词：可编程逻辑控制器雷达发射机
- 高压大功率开关电源的PSPICE计算机辅助设计被引量：5
- 2007年
- 一种为微波功率模块供电的高压大功率开关电源已经完成设计并小批量生产.以该电源的设计为例,给出了建立开关电源PSPICE模型的实例,讨论了影响开关电源PSPICE仿真精度和速度的因素,总结了解决仿真中出现收敛性问题的具体方法,最后给出了所设计电源输出的PSPICE仿真结果和实验结果.
- 陈亚非雷虹陈银杏冯进军
- 关键词：计算机辅助设计开关电源
- (Me_3NEt)[Pd(dmit)_2]_2和(NEt_4)[Pd(dmit)_2]_2的结构、能带及导电性
- 2001年
- 合成了导电分子晶体(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2和(NEt4)[Pd(dmit)2]2, 测定了它们的晶体结构和电导-温度曲线. 在能带计算基础上解释了(Me3NEt)[Pd(dmit)2]2的室温电导率(σ= 58(Ω·cm)-1)高于(NEt4)[Pd(dmit)2]2 (σ= 2.2(Ω·cm)-1)的原因. (Me3NEt)[Pd(dmit)2]2属单斜晶系, P21/m空间群; (NEt4)[Pd(dmit)2]2属三斜晶系, P1 空间群. 两种晶体的导电组元皆为平面型配位阴离子[Pd(dmit)2]0.5-, 它们以面对面形式的二聚体 存在. 凭借肩并肩形式的S…S分子间相互作用, 二聚体进一步形成二维导电分子层. 两种配合物的二维导电分子层的微小结构差异导致电导率一个数量级的差别. 变温电导测定还表明, 两种晶体皆为小能隙的半导体.
- 方奇雷虹刘陟张斌孙岳明麦松威
- 关键词：导电性钯配合物
- 基于机器学习和高光谱图像的污染气体检测方法及系统
- 本发明涉及污染气体检测技术领域，公开了基于机器学习和高光谱图像的污染气体检测方法及系统，将待检测气体的高光谱图像，输入到训练后的深度学习模型中，输出待检测气体的第一气体类型预测结果；将目标环境当前时间待检测气体的辐射能量...
- 李玮赵晗竹陈泽同雷晟暄雷虹张伟师徐立强韩景泓顾夏铭
- 分子导体(Py Me)[Ni(dmit)_2]_2的合成、结构与导电性被引量：1
- 2004年
- 合成了一种新的导电分子晶体 (PyMe) [Ni(dmit) 2 ] 2 (Py =pyridine ,dmit =(C3 S5) 2 -=4,5 dimercapto 1,3 dithiole 2 thio nato) ,并用四圆X射线衍射方法确定了结构 ,该晶体属于三斜晶系 ,P 1空间群 ;晶胞参数为 :a =0 7483 7( 9)nm ,b =1 15 479( 16)nm ,c =1 9775 ( 3 )nm ,α =99 2 68( 12 )° ,β =99 14 0 ( 10 )° ,γ =99 673 ( 11)° ;V =1 63 2 0 ( 4 )nm3 ,Dc=2 0 2 9g/cm3 ,Z =2 .导电组元 [Ni(dmit) 2 ] 0 .5-沿 [-110 ]方向堆积成柱 (column) ,柱与柱之间进一步借助于大量的S…S分子间相互作用形成二维导电层 ,测得在 ( 0 0 1)面上的室温电导率为 10 -1～ 10 -4Ω-1·cm-1.用结构参数和分子间重叠积分相结合的方法 ,分析了导电性与结构的关系 .
- 许文方奇薛刚于文涛刘国群雷虹
- 关键词：分子导体导电性
- 分子导体(PyH)[M(dmit)_2]_2(M=Pd,Ni)的晶体结构与能带结构
- 2005年
- 在配合物型分子导体(PyH) [Pd(dmit) 2 ]2 和(PyH) [Ni(dmit) 2 ]2 中,阴离子导电组元[M(dmit) 2 ]0 .5- (M =Pd ,Ni)的面对面堆积和肩并肩排列形成二维层状结构.采用推广休克尔紧束缚方法计算了二维导电层中相邻两阴离子的HOMO轨道的重叠积分,并进行了二维能带计算.计算结果表明它们是窄能隙半导体,与晶样的变温电导测试的结果一致.
- 雷虹李洪津许文
- 关键词：分子导体晶体结构
- 分子导体(PyEt)[Ni(dmit)_2]_2的合成、结构与导电性
- 2003年
- 合成了一种新的导电分子晶体PyEt[Ni(dmit)_2])2(dmit=4,5-dimercapto-1,3-dith-iole-2-thione)。X射线衍射测定表明,该晶体属于单斜晶系,C2/c空间群。PyEt[Ni(dmit)_2]_2晶体中,导电组元[Ni(dmit)_2]^(0.5-)沿c方向面对面平行堆积成分子柱,各分子柱沿a方向肩并肩并行伸展构成(010)面的二维导电层。测得二维导电层上某方向的室温电导率为10 S·cm^(-1)。从282～269 K,该晶体表现出金属导电性,269 K以下则为半导体。用实测的晶体结构和计算的能带结构对这种导体→半导体的相变予以解释:金属导电性对应于均匀的分子柱和直线点列型Ni原子链;而半导体导电性则对应于交错的分子柱和锯齿型Ni原子链。
- 许文方奇陈红余薛刚雷虹徐翠英贾春阳张德清
- 关键词：分子导体晶体结构导电性电导率
