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陈海芳

作品数：10 被引量：28H指数：5
供职机构：昆明理工大学更多>>
发文基金：云南省科技攻关计划云南省科技攻关计划云南省科技攻关计划项目更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 4篇化学工程

主题

  • 10篇压敏
  • 10篇压敏陶瓷
  • 10篇陶瓷
  • 5篇TIO2压敏...
  • 4篇烧结温度
  • 4篇纳米
  • 4篇TIO
  • 3篇显微结构
  • 2篇压敏电压
  • 2篇压敏陶瓷材料
  • 2篇氧化钛
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇陶瓷性能
  • 2篇纳米TIO
  • 2篇纳米改性
  • 2篇二氧化钛
  • 2篇SUB
  • 2篇TIO2
  • 1篇电损耗
  • 1篇电学性能

机构

  • 10篇昆明理工大学
  • 7篇昆明物理研究...

作者

  • 10篇陈海芳
  • 9篇严继康
  • 9篇张小文
  • 9篇甘国友
  • 2篇陈敬超
  • 2篇孙加林
  • 2篇杜景红
  • 2篇周融

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇压电与声光
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇佛山陶瓷

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 2篇2005
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米改性制造TiO<Sub>2</Sub>压敏陶瓷材料的方法、TiO<Sub>2</Sub>压敏陶瓷电阻及其制造方法
本发明涉及一种纳米TiO <Sub>2</Sub>制造压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻，属于电器元件及其材料制造技术领域。用TiO <Sub>2</Sub>加上从一组掺杂元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、...
甘国友严继康杜景红周融陈海芳张小文孙加林陈敬超
文献传递
纳米改性制造TiO<Sub>2</Sub>压敏陶瓷材料的方法及应用此方法制造的TiO<Sub>2</Sub>压敏陶瓷电阻
本发明涉及一种纳米TiO<Sub>2</Sub>制造压敏陶瓷材料、电阻的方法及其制造的电阻，属于电器元件及其材料制造技术领域。用TiO<Sub>2</Sub>加上从一组掺杂元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、纳米...
甘国友严继康杜景红周融陈海芳张小文孙加林陈敬超
文献传递
烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响被引量：9
2008年
研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5+的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。
严继康甘国友陈海芳张小文孙加林
关键词：TIO2压敏陶瓷烧结温度显微结构
纳米TiO_2添加剂对TiO_2压敏陶瓷性能的作用被引量：5
2006年
为了改善TiO2压敏陶瓷材料的电学性能,通过添加少量的纳米TiO2,使其压敏电压有了明显的降低,非线性系数有了明显的提高,并对其原因进行了合理分析。结果表明,随着烧结温度的提高, 总趋势是压敏电压下降,非线性系数提高。当添加5％纳米TiO2并在1400℃烧结时,样品显示出较好的压敏特性:V1mA=4．66V／mm,a=4．73和εr=1．1 9×104。
陈海芳甘国友严继康张小文
关键词：二氧化钛压敏陶瓷添加剂烧结温度
烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响被引量：7
2006年
Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。
陈海芳甘国友严继康张小文
关键词：压敏陶瓷烧结温度TIO2压敏陶瓷陶瓷性能压敏电压过电压保护
纳米粉体对TiO_2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响被引量：5
2007年
采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响。采用扫描电镜测试了样品的显微结构。基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构。在室温至320℃范围阿,测试TiO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ。通过样品的lnσ-1／T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构。讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。结果表明,合适的纳米TiO2加入量为x=5 mol％。
严继康甘国友陈海芳张小文孙加林
关键词：二氧化钛压敏陶瓷纳米二氧化钛显微结构
(La，Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的研究被引量：10
2008年
研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O5的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏陶瓷的压敏电压和非线性系数的影响。采用SEM、EPMA和XRD测试了TiO2陶瓷的显微结构、化学组成和物相。研究结果表明,(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中存在第二相,随着烧结温度的增加,第二相会从LaNbO4向LaNbTiO6转变。根据La2O3-TiO2、La2O3-Nb2O5和Nb2O5-TiO2的二元相图,绘出了La2O3-Nb2O5-TiO2三元相图,在三元相图基础上初步估算了在不同烧结温度TiO2压敏陶瓷中第二相的相对含量。第二相LaNbTiO6的析出,导致钛空位(V″Ti″)浓度增大,而使压敏电压和非线性系数增加。
严继康甘国友陈海芳张小文孙加林
关键词：TIO2压敏陶瓷
二氧化钛系半导体双功能材料的研究
TiO压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件，具有压敏电压低、非线性系数大和介电常数高等许多突出的优点，广泛用于低压领域中作为过压保护和浪涌吸收元件，具有较大的市场应用潜力。 本文研究了不掺杂、NbO单掺杂、NbO和LaO...
陈海芳
关键词：TIO2压敏陶瓷压敏电压相对介电常数介电损耗
文献传递
TiO_2压敏陶瓷的显微分析和电学性能被引量：1
2007年
研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷的显微结构、显微成分、势垒结构和电学性能的影响。采用SEM和EDS测试其显微结构和晶粒的化学组成。根据热电子发射理论和电学性能计算了势垒结构。在1350℃烧结的TiO2压敏陶瓷具有均匀而致密的显微结构,其晶粒大小为15μm左右,施主掺杂Nb5+在TiO2晶粒中的固溶度为1.49%;势垒高度?B为0.28eV,势垒宽度xD为48nm;压敏电压V1mA为5.25V/mm,非线性系数α为4.2,εr为1.1×104。
严继康甘国友陈海芳张小文孙加林
关键词：TIO2压敏陶瓷烧结温度显微结构电学性能
石英砂对TiO_2压敏陶瓷性能的影响被引量：2
2005年
本文主要研究SiO2对TiO2压敏陶瓷电性能的影响,并对其原因进行了分析。结果表明:通过掺入SiO2可以有效调控TiO2陶瓷的压敏特性,使TiO2压敏陶瓷具有良好的电性能。
陈海芳甘国友严继康张小文
关键词：石英砂压敏陶瓷TIO2压敏陶瓷陶瓷性能石英砂SIO2压敏特性
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