陈晓航
- 作品数：19 被引量：33H指数：3
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理一般工业技术更多>>
- Ⅱ-Ⅵ比对分子束外延生长的ZnO/ZnMgO超晶格的相结构调控被引量：1
- 2014年
- 在Zn1-xMgxO中,x=0.4 ～0.6仍为一个岩盐矿和纤锌矿共存的结构,影响了其晶格质量.本文利用等离子体辅助的分子束外延设备在c面蓝宝石衬底上外延生长了ZnO/ZnMgO超晶格,并改变其生长过程中的Ⅱ-Ⅵ比,利用原子力显微镜、X射线衍射、透射谱和X射线光电子能谱对样品进行了表征分析.发现在较低氧分压下制备的样品结构以岩盐矿为主导,而在较高氧分压下两相共存并以纤锌矿为主.这种相分离现象与裂解氧原子的密度有关.
- 王浩詹华瀚陈晓航周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：MGZNOZNO超晶格
- 新型热驱动半导体制冷器性能的优化分析被引量：7
- 2003年
- 提出一种新型的热驱动半导体制冷器模型 ,以制冷系数和制冷率为目标函数分析其性能特性。计算在不同情况下热驱动半导体制冷器的最大制冷系数和制冷率。进而优化工作电流的最佳范围 ,从而确定热驱动半导体制冷器的内部结构参数。所得结果可为新型的热驱动半导体制冷器的优化设计和最佳运行提供有价值的理论指导 ,可促进热驱动半导体制冷器的开发和在不同高新科技领域中的应用。
- 陈晓航陈旭阳周颖慧
- 关键词：半导体制冷器热驱动结构参数性能指标制冷系数制冷率
- MgO(111)上ZnO薄膜的外延生长及其结构和光学特性
- 2013年
- 由于ZnO在光电器件的应用前景,其高质量薄膜的制备是研究热点之一。本文通过分子束外延生长法在MgO(111)单晶衬底上生长ZnO薄膜,表征了其结构和特性,探讨了不同生长条件对薄膜质量的影响。结果表明,先低温生长ZnO缓冲层,再高温生长ZnO薄膜,有望提高ZnO薄膜的质量。原位反射高能电子束衍射(RHEED)和异位的X射线衍射(XRD)分别测量出薄膜的面内结构和沿[0001]的单晶域高取向结构,并确定薄膜和衬底的外延关系为ZnO[01-10]//MgO[1-10]和ZnO[2-1-10]//MgO[11-2]。透射谱显示了ZnO的特征光学带隙。
- 杜达敏王惠琼周华李亚平黄巍徐建芳蔡加法崔琳哲张纯淼陈晓航詹华翰康俊勇
- 关键词：分子束外延反射高能电子衍射透射谱位错密度
- 微电磁光开关的结构设计与性质模拟被引量：1
- 2019年
- 基于微电磁光开关的工作原理,设计了MEMS电磁反射型光开关.采用ANSYS9.0有限元软件分析结合Mathematica数值计算研究了微电磁光开关所需的电磁力、磁芯线圈的磁场分布、悬臂梁受电磁力的形变状态,从而获得磁芯线圈的匝数、悬臂梁位置、悬臂梁与平面磁芯线圈接触区域等结构参量.
- 吴雅苹陈晓航陈晓航
- 关键词：悬臂梁有限元模拟
- 氧化镁衬底上掺氮氧化锌薄膜的生长与研究
- ZnO 是一种宽带隙的半导体材料,在结构和性质上有激子束缚能高、无毒、无害等很多优点,受到研究者的青睐。但是,自ZnO 被作为光电半导体材料研究以来,p 型掺杂一直是没有完全克服的难题,而N 作为一种良好的掺杂元素,一直...
- 王小丹王惠琼周华李亚平郑金成陈晓航康俊勇
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法
- 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光...
- 康俊勇李孔翌蔡端俊杨旭李书平詹华瀚李恒陈晓航
- 文献传递
- ZnO(0001)Zn极性面上不同单体生长动力学特性
- 2012年
- 通过第一性原理和密度泛函方法,计算了在富锌和富氧条件下形成的Zn原子、ZnO分子、Zn3O1和Zn1O3团簇等不同单体在ZnO(0001)Zn极性面上典型的纤锌矿和闪锌矿结构沉积位的系统总能及其扩散势垒和相互作用能.结果表明,Zn1O3和Zn3O1团簇以及Zn原子单体易于获得纤锌矿结构的ZnO,而ZnO分子的稳定性较弱且易于沉积于闪锌矿位;富锌条件形成的Zn3O1团簇单体或Zn原子单体,有利于在较低温度下获得均匀结构的晶体;Zn3O1团簇单体则会形成具有一定孔洞的单一相晶体,而Zn1O3单体易形成致密的晶体;以Zn原子、Zn3O1和Zn1O3团簇为单体的沉积更易于聚集,而ZnO分子则不利于成核.
- 江保锋张纯淼陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼康俊勇
- 关键词：第一性原理ZNO生长动力学
- 不同单体在ZnO(0001)-Zn极性面上生长的机制
- ZnO作为第三代的宽禁带化合物半导体,其禁带宽度约为3.37eV,恰好对应紫外光激发区域。与GaN相比,ZnO具有更高的激子束缚能和更良好的热稳定性,因此ZnO在短波长光电器件,如紫外探测器、发光二极管和半导体激光器以及...
- 江保锋陈晓航詹华瀚周颖慧王惠琼李书平康俊勇
- Mg_xZn_(1-x)O结构性质(英文)被引量：2
- 2006年
- 采用第一性原理计算模拟了不同组分的MgxZn1-xO半导体混晶的晶格常数、总能、结构,以及禁带宽度的变化。计算结果显示,随着Mg组分的增加,晶格常数逐渐减小,晶体逐渐偏离纤锌矿结构。对各种不同的Mg原子排列情况进行比较认为,MgxZn1-xO的结构随组分x的增大,发生从纤锌矿到岩盐矿的结构相变的可能性高于发生相分离。另一方面,禁带宽度随组分增大主要由价带顶的移动所致。进一步分析Mg原子各种电子态对价带的影响表明,Mg对价带顶附近能带的贡献依次来自p、d、s态电子。随着组分x的增加,p态电子在价带顶附近的密度明显提高,说明sp轨道杂化不但对晶体的几何结构产生影响,而且对其电子结构也起重要作用。
- 陈晓航康俊勇
- 关键词：晶格结构第一性原理计算
- Ag/Si二维晶格的生长控制和结构研究
- Ag/Si体系作为一种重要的金属/半导体界面体系,一直受到科学工作者的关注.近年来,石墨烯、硅烯等二维材料因其新奇优异的物理特性和巨大的应用前景,引起了人们极大的研究兴趣.最近的实验研究发现,银表面是目前已知的制备硅烯的...
- 胡蔚周颖慧陈晓航詹华瀚王惠琼康俊勇
- 关键词：半导体器件分子束外延生长
- 文献传递
