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钟文华

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇大信号
  • 1篇大信号模型
  • 1篇电子技术
  • 1篇缺陷地结构
  • 1篇谐波
  • 1篇谐波功率
  • 1篇滤波器
  • 1篇开环
  • 1篇可导
  • 1篇功率
  • 1篇仿真
  • 1篇FET
  • 1篇LDMOSF...

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇孙玲玲
  • 3篇钟文华
  • 2篇游彬
  • 1篇刘军
  • 1篇李文钧
  • 1篇何佳
  • 1篇吴颜明

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种多极点开环交指缺陷地结构
2009年
在一根50Ω微带线的地平面上蚀刻开环槽,且在槽内部添加了交指状的慢波结构,构成了一种新型的开环交指缺陷地结构(DGS)。和传统的哑铃形DGS相比较,这种DGS具有更小的体积和更高的Q值,第三阻带Q值可达53,而且该结构具有多个衰减极点。将三个开环交指DGS级联设计制作了多阻带的带阻滤波器,测试结果与仿真特性基本一致。
游彬钟文华孙玲玲
关键词：缺陷地结构开环
RF-S01建模：一种精确的体接触RF-LDMOSFET大信号模型
2007年
提出一种精确的体接触RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOSFET(lateral double diffusedMOSFET)大信号等效电路模型.模型漏电流及偏置相关电容模型方程连续、任意阶次可导.发展出一种新的可满足电荷守恒栅源、栅漏电容模型.对漂移区电阻以及LDD(lightly doped drain)区下侧寄生效应偏置相关特性进行了考虑.对自热效应引起的热功率耗散以及跨导/漏导频率分布效应也作了考虑.模型最终应用到一20栅指(每指尺寸为长L=1μm,宽W=50μm)体接触高阻SOI RF-LDMOSFET建模中.测量和仿真所得I-V,S参数,谐波功率特性对比结果验证了模型具有良好的精度.
刘军孙玲玲李文钧钟文华吴颜明何佳
关键词：LDMOSFET大信号模型可导谐波功率
折线形哑铃缺陷地结构与微波滤波器设计被引量：1
2008年
提出一种新型的折线形哑铃缺陷地结构（FDGS）。该FDGS对普通哑铃形DGS进行了改进，加入折线结构，从而在不增加蚀刻面积的情况下，大大增加其等效并联电容，获得较低的谐振频率。仿真结果显示，当某一特定尺寸的普通DGS的谐振频率位于4．7GHz时，同样大小的FDGS的谐振频率只有2，25GHz。制作了一个由三个相同的FDGS级联构成的带阻滤波器。结果表明：该带阻滤波器在1．8—2．78GHz之间，对信号的抑制从-26dB到-41dB。
钟文华游彬孙玲玲
关键词：电子技术滤波器仿真
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