郭革新
- 作品数：28 被引量：30H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程自动化与计算机技术更多>>
- 面内磁场作用下第Ⅰ类哑铃畴布洛赫线链的解体
- 郭革新聂向富
- 关键词：磁畴磁性磁泡材料
- 真空蒸发镀膜被引量：3
- 2017年
- 针对真空蒸发制备铝膜进行了详细地介绍,主要包括了真空的获得、真空的测量以及蒸发制备铝的的原理和主要事项进行了深入地探讨,改进工作对真空系统的理解和掌握有着指导意义.
- 甄聪棉李壮志侯登录郭革新李玉现
- 关键词：真空平均自由程
- 软畴段在面内磁场作用下的行为
- 1996年
- 实验研究发现Ｈｉｐ对软畴段的条泡转变场Ｈｓｂ和磁泡缩灭场ＨＯ有较大影响。
- 孙会元王洪信聂向富郭革新
- 全文增补中
- 枝状畴的形状与硬磁畴种类的对应关系被引量：2
- 1996年
- 本文用“低直流偏场法”
- 郭革新聂向富孙会元韩宝善
- 关键词：硬磁畴
- 全文增补中
- 巨磁电阻效应被引量：6
- 2003年
- 重点综述了磁性多层膜、颗粒膜、钙钛矿型氧化物及铁磁薄膜隧道结等几种不同结构类型的巨磁电阻效应的研究现状及其进展情况,并简述了巨磁电阻的物理机制及磁传感器、随机存储器和高密度读出头等几方面的应用,还涉及到了制备这些巨磁电阻材料的常用方法,并列举了10种不同组分的巨磁电阻材料,还说明了特大磁电阻和巨磁电阻的不同。
- 聂向富马丽梅郭革新孙会元唐贵德
- 关键词：巨磁电阻效应磁致电阻物理机制隧道结颗粒膜钙钛矿型氧化物
- 直流偏场和面内场联合作用下第Ⅰ类哑铃畴壁内VBLs的稳定性
- 2005年
- 研究了直流偏场和面内场联合作用下,液相外延石榴石磁泡膜中第Ⅰ类哑铃畴(ID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的稳定性.发现,室温时在Hb和Hip的共同作用下,当Hb>H′sb时,ID的剩余率将在某一面内场Hip下迅速下降,即ID畴壁内VBL在某一Hip迅速丢失.随着Hb上升这种下降的趋势越容易发生,并变得更剧烈.通过观察证实,这种下降的趋势与ID的自收缩有关.由此可知,在Hip和Hb的共同作用下ID畴壁中的VBLs丢失的过程中,自收缩起着重要的作用.
- 王丽娜吴佺聂向富郭革新
- 关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
- 一种xSrTiO<Sub>3</Sub>-(1-x)CoFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>复合材料及其制备方法
- 本发明公开了一种具备铁磁性和铁电性的xSrTiO<Sub>3</Sub>-(1-x)CoFe<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>复合材料及其制备方法。式中，x取值为：0.5或0.6或0.7或0.8或0.9。...
- 李宁郭革新王占才王卫轻
- 文献传递
- 反铁畸变中钛酸锶(SrTiO_3)晶体学原胞的选取被引量：2
- 2003年
- 通过对钛酸锶(SrTiO3)在相变前后结构对称性的分析,提出了与之相应的两种晶体学原胞的选取方法.无论选取D4和D2d哪一种原胞,其对称元素个数均为8,即对称元素个数保持不变,只是所选原胞体积相差一倍.因此,在选取原胞时必须遵从以下两个原则:1)所选晶体学原胞的体积在相变前后要保持不变;2)所选取的晶体学原胞,应最能反映相变前后晶体结构对称性的变化,且其对称元素个数不因所选原胞体积的不同而变化.
- 郭革新何文辰周国香王爱坤
- 关键词：SRTIO3晶体学原胞钛酸锶
- 关于自由能的一些讨论被引量：4
- 2004年
- 给出了自由能函数的完整表达式,并说明了自由能展开式中各项的物理意义.指出了自由能展开式系数及自变量的共轭变量的意义,吉布斯自由能的一阶偏导数都是热力学变量;吉布斯自由能的二阶偏导数一律都是物性张量.讨论了相变过程中的自由能函数展开式应保留的项数等,还给出了相稳定性条件.
- 郭革新周国香王爱坤何文辰
- 关键词：自由能展开式相变
- 磁记录材料及其测量被引量：3
- 2005年
- 综述了磁记录的几种记录模式的特点、磁记录介质和磁头材料的种类、性能以及对它的要求;同时简述了磁记录的工作原理和目前国内外的研究现状和前景;最后介绍了磁性薄膜介质的厚度、晶体结构、形貌、成分和磁性能等主要参数的测量方法.
- 聂向富马丽郭革新马丽梅孙会元甄聪棉
- 关键词：磁记录磁记录介质磁头垂直磁记录
