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郁汶山: 作品数：15 被引量：20H指数：2; 供职机构：西安交通大学航天航空学院机械结构强度与振动国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金甘肃省高等学校研究生导师科研项目计划中国博士后科学基金更多>>; 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺建筑科学更多>>

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嵌入形状记忆合金圆板在升温场内的自由振动: 2007年; 基于形状记忆合金Brinson一维热力学本构关系和圆板小振幅振动理论,研究了径向嵌入SMA丝的圆板在均匀升温场作用下的自由振动响应,获得了周边不可移简支和夹紧圆板的前三阶固有频率随温度变化的特征关系曲线。结果表明,形状记忆合金丝在从马氏体到奥氏体相变的过程中产生的回复力对板的固有频率具有显著增强作用。由此可见,通过嵌入SMA纤维丝和施加升温载荷可以主动而有效地调节圆板的固有频率。; 郁汶山李世荣钮鹏; 关键词：固有频率形状记忆合金

嵌入形状记忆合金纤维复合材料圆板的弯曲被引量：1: 2008年; 基于形状记忆合金Brinson一维热力学本构关系和von Kármán几何非线性薄板理论,研究了径向嵌入SMA丝复合材料加热圆板在横向均布机械载荷作用下的弯曲响应,获得了周边不可移简支和夹紧圆板的中心最大挠度与升温之间的关系曲线.结果表明,形状记忆合金丝在从马氏体向奥氏体的逆相变过程中所产生的相变回复力对板的弯曲变形具有明显的调整作用.通过嵌入SMA纤维丝和施加升温载荷可以主动而有效地调节受机械载荷作用圆板的弯曲变形.; 李世荣郁汶山; 关键词：形状记忆合金

一种基于检测电荷的挠曲电动态效应直接检测装置及方法: 一种基于检测电荷的挠曲电动态效应直接检测装置及方法，该装置包括分别设置在试件上下表面的上双面金属电极片和下双面金属电极片，上双面金属电极片的下金属电极与试件的上表面相接触；下双面金属电极片的上金属电极与试件的下表面相接触...; 胡涛涛申胜平卢建锋杨文君梁旭郁汶山; 文献传递

单晶铜中的类层错四面体稳定性: 2020年; 层错四面体作为受核辐照作用金属材料中一类常见的三维缺陷,会极大的改变材料塑性变形行为.论文借助分子静力学和分子动力学方法,针对不同构型、不同尺寸的类层错四面体,考察了不同形状空位团簇演化为类层错四面体的位错反应机理和形成能变化趋势,研究了类层错四面体附近空位形成能分布特征和最小空位形成能随类层错四面体尺寸增大的变化规律,分析了含不同构型、不同尺寸的类层错四面体铜单晶体的微观变形机理和单晶体屈服应力随类层错四面体尺寸增大的变化规律.研究发现:类层错四面体通过Silcox-Hirsch机制形成,且经历了空位团簇坍塌、Frank位错环分解和Shockley位错交汇形成层错四面体棱边三个过程;类层错四面体附近最小空位形成能随着类层错四面体尺寸变化而变化,且变化趋势与类层错四面体构型在稳态、亚稳态和非稳态之间过渡相关,稳态无尖端类层错四面体的最小空位形成能变化趋势表现出明显的尺寸效应;剪切会导致含类层错四面体铜单晶体产生两类层错四面体位错开动模式,即:斜面Shockley偏位错滑移和层错四面体底面压杆位错分解,且含类层错四面体的单晶体屈服应力基本上随着类层错四面体尺寸增大而逐渐减小.; 郁汶山张磊申胜平; 关键词：位错空位稳定性

富含孪晶界金属铜的辐照损伤机理和缺陷演化: 采用分子动力学方法模拟金属材料受到辐照作用下的原子间多重级联碰撞(Multi-collision cascade)过程。针对具有不同孪晶界(Twin boundary)层间距的多层孪晶铜，系统考察了不同孪晶界层间距和不同...; 吴连平郁汶山胡淑玲申胜平; 关键词：孪晶界辐照损伤

富含孪晶界金属铜的辐照缺陷及其演化: 采用分子动力学方法模拟金属材料受到辐照作用下的原子间多重级联碰撞(Multi-collision cascade)过程。针对具有不同孪晶界(Twin boundary)层间距的多层孪晶铜,系统考察了不同孪晶界层间距和不同...; 吴连平郁汶山胡淑玲申胜平; 关键词：孪晶界辐照损伤; 文献传递

α-Al_2O_3/金属界面强度的多尺度分析: <正>热生长氧化(TGO)层界面处的位错萌生以及TGO生长对热障涂层(TBC)的失效起到至关重要的作用。TGO的主要成分为α-Al_2O_3。基底合金原子与α-Al_2O_3内两种离子之间的结合方式很多,而这些结合方式中...; 郁汶山申胜平; 关键词：热障涂层多尺度; 文献传递

新型材梁板结构的热弹性稳定性和振动响应: <正>随着现代科学和工程技术的发展,结构在热载荷作用下的静动态响应日益引起人们的重视。特别是新型复合材料智能复合材料薄壁结构(梁、板、壳)在航天、交通、机械、通讯、核能、热输送、微机械电子等工程领域的广泛应用。例如,在铁...; 李世荣郁汶山范亮亮苏厚德; 关键词：形状记忆合金功能梯度材料梁板结构热过屈曲; 文献传递

含氢原子缺陷晶界的剪切行为被引量：2: 2017年; 针对4个α-Fe对称倾斜晶界,采用分子静力学考察了4个晶界中H原子偏析能的分布特征,并采用分子动力学方法研究了晶界内植入不同数量H原子对其在室温条件下剪切行为的影响.H原子通过随机方式植入界面内,利用植入H原子数量与晶界面积的比值来定义H原子面密度ρ.在含H原子晶界剪切行为分析过程中,重点考察了在不同H原子密度ρ下,4个晶界的初始塑性临界应力和晶界迁移位移的变化趋势以及4个晶界在加载过程中的微观变形机理.研究表明:晶界内的H原子偏析能明显偏低,4个晶界附近的H原子会自发向晶界内偏析;随着植入H原子数量的逐渐增多,晶界的初始塑性临界应力和后续变形阶段应力均会降低.晶界内植入H原子会从本质上改变晶界的微观变形机理,进而影响晶界在外载荷条件下的迁移属性.与不含H原子晶界的变形机理对比发现,加载过程中晶界的微结构会发生剧烈的演化,H原子的扩散和团簇化效应会导致晶界内出现纳米孔缺陷.; 赵东伟郁汶山申胜平; 关键词：晶界氢原子