邹文琴
- 作品数：12 被引量：33H指数：4
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 单晶和孪晶的Zn_(0.96)Co_(0.04)O稀磁半导体薄膜的制备与研究被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延技术分别在不同晶面的蓝宝石(sapphire Al2O3)基片上制备了沿c轴生长的Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜.发现在Al2O3(1120)晶面(a面)上薄膜是二维层状外延生长的高质量单晶薄膜,而在Al2O3(0001)晶面(c面)上薄膜却具有有趣的孪晶结构,部分区域相互之间有一个30°的面内转动来减少和基片之间的失配度.在孪晶薄膜中存在的这些相互旋转形成的区域界面上会引起载流子强烈的散射作用,导致载流子迁移率的下降和平均自由程的缩短.利用X射线吸收精细结构技术证明了无论单晶还是孪晶的Zn0.96Co0.04O薄膜中所有的Co都以+2价替代进入了ZnO的晶格,而没有形成任何杂相.而对其磁性研究发现,孪晶的薄膜样品比高质量的单晶薄膜样品具有大得多的饱和磁矩.这充分说明孪晶薄膜中的铁磁性来源与缺陷有关.我们还对铁磁性耦合机制进行了探讨.
- 路忠林邹文琴徐明祥张凤鸣
- 关键词：稀磁半导体X射线吸收精细结构
- 无定形SiO2基底中MgFe2O4纳米晶的制备和磁性研究
- 在DMF存在下,以sol-gel法在无定形二氧化硅中成功地制备了均匀分散的MgFeO纳米晶。由粉末X射线衍射和电子衍射确证了MgFeO纯相的生成。尖晶石MgFeO800℃开始形成,900℃形成完全。透射电子显微镜(TEM...
- 徐莉陈学太周志萍邹文琴池杏微
- 文献传递
- 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置
- 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外...
- 何亮赖柏霖杜强强邹文琴阮学忠黎遥刘文卿徐高翔徐永兵
- 文献传递
- Mn和N共掺ZnO稀磁半导体薄膜的研究被引量：10
- 2009年
- 使用对Zn2N3:Mn薄膜热氧化的方法成功制备了高含N量的Mn和N共掺ZnO的稀磁半导体薄膜.在没有N离子共掺的情况下,ZnO:Mn薄膜的铁磁性非常微弱;如果进行N离子的共掺杂,就会发现ZnO:Mn薄膜在室温下表现出非常明显的铁磁性,饱和离子磁矩为0.23μB—0.61μB.这说明N的共掺激发了ZnO:Mn薄膜中的室温铁磁性,也就是受主的共掺引起的空穴有利于ZnO中二价Mn离子的铁磁性耦合,这和最近的相关理论研究符合很好.
- 邹文琴路忠林王申刘圆陆路郦莉张凤鸣都有为
- 关键词：磁性半导体
- Cu1-xMnxO稀磁半导体及NiMnSb半金属材料的磁性、输运等性质研究
- 近年来,自旋电子学成为研究热点。稀磁半导体材料是重要的自旋电子学材料,可广泛应用于各种自旋电子学器件,如自旋晶体管、极化光散射二极管。对于铁磁性的来源、磁性离子掺杂ZnO和AlN所致的室温铁磁性的来源,理论研究已经给出了...
- 邹文琴
- 关键词：稀磁半导体电子输运
- 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置
- 一种非直线互联真空管道间的样品中转装置，设有一中转腔位于若干条不同直线上的真空直通管道的交叉点位置，此中转腔的侧面设有法兰将若干不都在同一直线上的真空直通管道连接到中转腔，中转腔的底部有一转盘，转盘的转轴延伸到腔外，腔外...
- 何亮赖柏霖杜强强邹文琴阮学忠黎遥刘文卿徐高翔徐永兵
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- 一种八面超高真空腔体
- 本发明公开了一种八面超高真空腔体。包括超高真空主腔室；所述的超高真空腔室是由不锈钢整体机械加工，真空腔室的形状是八棱柱形，在确保腔室的机械强度情况下，实现了腔室的8个侧面8‑16个法兰接口，不锈钢棒加工成八棱柱形式，在八...
- 何亮许焕峰杜强强邹文琴刘文卿徐高翔徐永兵
- 文献传递
- SiO2基底中MnFe2O4纳米晶的制备与表征被引量：1
- 2009年
- 在N,N-二甲基甲酰胺(DMF)存在下,以溶胶-凝胶技术成功地制备了无定形二氧化硅基底中均匀分布的MnFe2O4纳米晶。由粉末X射线衍射和电子衍射确证了MnFe2O4纯相的生成。由粉末X射线衍射和红外吸收光谱研究了MnFe2O4纳米晶形成过程。尖晶石结构的MnFe2O4在800℃时开始形成,900℃时基本完成。磁性质测量表明在烧结到900℃的样品中,MnFe2O4纳米晶室温具有超顺磁性,78K时为软磁性。1000℃和1100℃下得到的样品室温和78K时都具有软磁性。
- 徐莉邹文琴洪健民池杏微宰德欣
- 关键词：溶胶-凝胶DMF磁性质
- 共沉淀法制备Co掺杂ZnO的室温铁磁性的研究被引量：10
- 2009年
- 利用共沉淀法并在5vol.%H2/Ar气流中于300℃退火3h,制备了Zn1-xCoxO稀磁半导体.扫描电子微探针分析表明,对Co的名义组分分别为0.05,0.10,0.15的样品,其实际组分分别为x=0.054,0.100和0.159.X射线衍射表明,主相为纤锌矿结构,x=0.100和0.159的样品中含有CoO杂相.X射线光电子谱显示出Co有3种状态:替代进入ZnO晶格、CoO和金属Co.通过磁性测量,发现所有样品都具有室温铁磁性,但是磁性是非本征的,一方面来自金属Co团簇的磁性,另一方面来自Zn掺杂CoO1-δ的弱磁性.
- 严国清谢凯旋莫仲荣路忠林邹文琴王申岳凤娟吴镝张凤鸣都有为
- 关键词：稀磁半导体ZNO共沉淀法
- 金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法
- 本发明公开了采用金属铜离子辅助刻蚀制备黑硅的方法，（1）配置腐蚀溶液，所述的腐蚀溶液为氢氟酸、过氧化氢以及硝酸铜所组成的混合溶液；（2）将单晶或多晶硅片置于含有金属铜离子的腐蚀溶液中，控制腐蚀溶液温度以及反应时间；（3）...
- 王申虞栋邹文琴张凤鸣吴小山
- 文献传递
