邵庆益
- 作品数：17 被引量：60H指数：4
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信文化科学更多>>
- 衬底表面覆盖对薄膜成核和生长的影响被引量：3
- 1999年
- 在薄膜生长的成核阶段，稳定聚集体将逐渐覆盖衬底表面．同时，薄膜的生长将发生在被覆盖的衬底部分，而成核则发生在未被覆盖的部分．本文研究了衬底表面被覆盖的程度对薄膜成核和生长的影响，对广泛应用的薄膜理论，给出一些修正公式．结果表明，成核速率正比于衬底表面未被覆盖面积的平方．而薄膜理论认为成核速率是时间常量，似显得粗糙．
- 邵庆益方容川廖源韩祀瑾
- 关键词：薄膜生长成核
- BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下的近紫外光吸收增强现象研究被引量：1
- 2000年
- 通过对真空蒸发沉积制备的BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下光吸收特性的测试 ,实验上观察到BaO薄膜在近紫外波段的光吸收随电场强度的增加而明显增强 .理论分析表明 ,BaO半导体薄膜在外加垂直表面电场作用下发生能带倾斜 ,价带电子隧穿带间位垒而在带隙中出现的概率增加 ,近紫外波段光吸收增强是光子协助隧道穿越的结果 .不同能量光子激发下电场作用引起的BaO薄膜光吸收增强现象是夫兰茨 凯尔迪什 (Franz Keldysh)效应和斯塔克 (Stark)
- 张琦锋侯士敏邵庆益刘盛刘惟敏薛增泉吴锦雷
- 关键词：半导体薄膜氧化钡
- 硼氮掺杂对锯齿形石墨烯纳米带影响的第一性原理研究
- 2019年
- 本文主要通过在密度泛函理论下的第一性原理计算方法,计算了硼氮掺杂下锯齿形石墨烯纳米带的形成能、能带结构和电子态密度,对掺杂产生的影响进行了分析和研究.研究发现具有硼氮成对的结构相对于单种类原子掺杂更稳定,同样具有在纳米带边缘非对称硼氮掺杂的结构较对称掺杂更稳定.硼氮掺杂能显著改变锯齿形石墨烯纳米带的能带结构,对边缘加氢数量不同的石墨烯纳米带的能隙有完全相反的影响.本文发现了两种通过硼氮掺杂具有自旋现象的结构.
- 易志杰刘家旭邵庆益张娟
- 关键词：石墨烯纳米带非平衡格林函数磁性
- 一种用于LCD驱动的低功耗输出缓冲放大器被引量：3
- 2010年
- 在AB类输出级的基础上,结合正反馈辅助的B类输出级,提出了一种用于LCD驱动电路的大输出摆率、低功耗的输出缓冲放大器。在0.15μm高压CMOS工艺模型下,该放大器能够驱动0～20nF范围的容性负载,静态电流为7μA,1%精度建立时间小于6μs,满足了LCD驱动电路行建立时间的要求;通过采用共源共栅频率补偿结合输出零点补偿技术,较好地满足了大动态范围容性负载的要求。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- 稀土对金属纳米粒子-介质复合薄膜(Ag-BaO)光电发射性能的增强被引量：6
- 2001年
- 用真空蒸发沉积的方法制备了掺杂稀土的金属纳米粒子 介质复合薄膜 (Ag BaO薄膜 ) .与不掺杂稀土的Ag BaO薄膜相比 ,其光电发射能力提高了近 40 % .透射电镜分析表明 ,掺杂稀土后 ,Ag BaO薄膜中的Ag纳米粒子明显细化、球化、密度增大 .这表明Ag纳米粒子的细化 ,使得其在光作用下 ,光电子更容易通过隧道效应穿过界面位垒逸出 。
- 许北雪吴锦雷刘惟敏杨海邵庆益刘盛薛增泉吴全德
- 关键词：光电发射稀土真空蒸发沉积
- 稀土镧对薄膜中银纳米粒子的细化作用被引量：1
- 2002年
- 通过更换基底材料 ,证实了稀土镧对Ag BaO薄膜中银纳米粒子的细化作用 .用Lewis Campbell的薄膜理论分析表明 ,稀土镧对银纳米粒子的细化作用机理是 ,基底吸附稀土镧增强了基底对银原子的等效吸附能和基底表面徙动激活能 ,使镧和银结合形成的复合小银粒子在基底表面的徙动扩散运动受到削弱 ,进而减少了相互团聚所致 .基底表面徙动激活能增量在 0 .0 4— 0 .0 7eV之间 ,相应的基底对银原子的等效吸附能增量在 0 .0 8— 0 .
- 许北雪吴锦雷邵庆益张兆祥刘惟敏薛增泉吴全德
- 关键词：稀土粒度镧银纳米粒子
- 用于TFT-LCD驱动电路的输出缓冲放大器被引量：3
- 2009年
- 设计了一种用于TFT-LCD驱动的低功耗CMOS缓冲放大器。该放大器在AB类缓冲放大器的基础上,结合辅助的B类放大器,能够驱动大容性负载,以较低的功耗达到了LCD驱动的速度要求。在0.15μm CMOS工艺模型、20 nF电容负载和5.5 V电源电压下,该缓冲放大器的静态功耗为40μW,1%精度的建立时间为7μs。
- 林志成邵庆益陈阿青
- 关键词：CMOSLCD驱动缓冲放大器低功耗
- 磷掺杂对单壁碳纳米管电子结构的影响
- 2009年
- 用基于密度泛函理论的第一性原理对掺P的单壁碳纳米管(SWCNT)进行以下方面的计算:几何形状结构和电子能带结构,杂质的形成能、总能量、态密度和能带结构.得出在不同管径的P掺杂SWCNT中,杂质的形成能随着管径的增大而增大,相同管径的SWCNT的总能量随着掺杂浓度的增大而减小,不同位置杂质P和它附近的C所形成的键角不同,进一步得到不同位置杂质产生的杂质能级的位置也不同,这可能由C—P—C键角的大小决定.从结果中还得到P原子以替位式掺杂形式掺入到碳纳米管中是可行的,而且掺P的SWCNT导电呈现出N型.
- 陈阿青邵庆益林志成
- 关键词：单壁碳纳米管第一性原理计算形成能态密度
- 量子力学的经典极限与库仑散射
- 1998年
- 论述了量子力学的经典极限问题，并运用狄拉克判据研究了库仑散射的经典极限；指出库仑散射存在一经典极限的“黑箱”禁区，在经典极限的“黑箱”禁区以外，库仑散射的经典理论是量子理论的很好近似。
- 邓小玖邵庆益
- 关键词：量子力学库仑散射
- 镶嵌在SiO_2薄膜中InAs纳米颗粒的Raman散射被引量：7
- 2000年
- 对镶嵌在SiO2 薄膜中纳米InAs颗粒的Raman散射谱进行了研究 .与大块InAs晶体相比 ,InAs纳米颗粒的Raman散射谱具有相似的特征 ,即由纵光学声子模和横光学声子模组成 ,但是散射峰宽化并红移 .用声子限域效应解释了散射峰的红移现象 ,并结合InAs纳米颗粒的应力效应解释了红移量与理论值的差异 .
- 朱开贵石建中邵庆益
- 关键词：RAMAN散射二氧化硅薄膜砷化铟
