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文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电容
  • 3篇封装
  • 2篇电极
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 2篇微电子
  • 2篇系统级封装
  • 2篇介质层
  • 2篇可靠性
  • 2篇衬底
  • 1篇电子器件
  • 1篇叠层
  • 1篇堆叠
  • 1篇堆叠封装
  • 1篇多芯片
  • 1篇铁电材料
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇屏蔽效能
  • 1篇微电子工艺
  • 1篇微电子器件

机构

  • 5篇中国科学院微...

作者

  • 5篇赵宁
  • 4篇万里兮
  • 3篇王惠娟
  • 2篇李宝霞
  • 2篇曹立强
  • 1篇钟寒梅
  • 1篇周云燕
  • 1篇周静
  • 1篇施展
  • 1篇刘术华
  • 1篇相海飞
  • 1篇王宇
  • 1篇李君

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 2篇2011
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法
本发明涉及一种具有周期叠层铁电薄膜的电容及其制备方法。所述电容包括衬底,阻挡层,粘附层,下部电极,铁电薄膜和上部电极,铁电薄膜为包括至少一个周期性结构单元的叠层结构,周期性结构单元为BaTiO<Sub>3</Sub>、S...
赵宁万里兮曹立强
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一种易于填充的沟槽电容及其制备方法
本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底,位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于电容衬底的表面上的下电极,位于下电极的表面上的介质层,位于介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,填...
王惠娟万里兮李宝霞赵宁
一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容及其制备方法
本发明涉及微电子器件以及系统级封装集成技术领域,具体涉及一种基于欧姆接触的铁电薄膜电容。所述铁电薄膜电容包括:下部电极;设置于所述下部电极上的硅基底;设置于所述硅基底上的铁电薄膜电介质层;设置于所述铁电薄膜电介质层上的上...
赵宁王惠娟
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三维混合信号芯片堆叠封装体及其制备方法
本发明公开了一种三维混合信号芯片堆叠封装体,属于半导体元器件技术领域。该芯片堆叠封装体包括一封装基板,在封装基板上堆叠固定有最内层塑封层以及至少一层外部塑封层;每层塑封层内至少塑封有一块芯片;每层塑封层将其相邻的内部塑封...
李君赵宁曹立强万里兮施展王宇周云燕钟寒梅刘术华周静相海飞
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一种易于填充的沟槽电容及其制备方法
本发明涉及一种易于填充的沟槽电容及其填充方法。所述电容包括电容衬底,位于电容衬底上的多个相互连通的沟槽,位于电容衬底的表面上的下电极,位于下电极的表面上的介质层,位于介质层的表面上的上电极,以及填充于沟槽处的填充材料,填...
王惠娟万里兮李宝霞赵宁
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共1页<1>
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