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谢爽

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:浙江大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术建筑科学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇定植
  • 2篇氧化硅
  • 2篇渗透管
  • 2篇塑料板
  • 2篇尼龙网
  • 2篇前驱体
  • 2篇倾斜板
  • 2篇区域分异
  • 2篇无毒
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米材料
  • 2篇晶体管
  • 2篇化学气相
  • 2篇发蓝
  • 2篇
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇低功耗
  • 1篇电流
  • 1篇氧化物半导体

机构

  • 7篇浙江大学

作者

  • 7篇谢爽
  • 4篇徐明生
  • 2篇冯英
  • 2篇张奇春
  • 2篇林咸永
  • 2篇王先挺
  • 2篇索炎炎
  • 2篇黄国伟
  • 1篇赵建江
  • 1篇张睿
  • 1篇赵毅
  • 1篇李洪飞
  • 1篇李骏康

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2012
  • 1篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
化学气相沉积法生长二维硫化钼及其在晶体管中的应用
近年来,以石墨烯、过渡金属硫族化合物(TMDCs)为代表的二维层状材料因其独特的层状结构和光学、电学性质引起了极大的研究热情。相较于零带隙的本征石墨烯,因层数效应,TMDCs拥有1.0~2.0eV的带隙,可以在逻辑器件和...
谢爽
关键词:化学气相沉积法合金场效应晶体管
文献传递
一种发蓝光氧化硅纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种发蓝光的氧化硅纳米材料的制备方法、其制备步骤包括首先在作为原材料的氧化硅的表面制备厚度为0.5nm~50nm的金属薄层、然后对沉积有金属薄层的氧化硅在硫气氛下进行热处理、热处理的温度为450℃~1030℃...
徐明生汪胜平谢爽黄国伟
文献传递
一种用于根际微域研究的根箱试验装置
本发明公开了一种用于根际微域研究的根箱试验装置,包括根箱、根际隔层、隔板、倾斜板、取样板以及渗漏管,倾斜板和隔板设于根箱的上部,渗透管铺设在根箱底部,倾斜板设于根箱的箱壁与隔板之间,呈水平倾斜30°放置,倾斜板上开有用于...
冯英王先挺林咸永索炎炎谢爽张奇春
一种用于根际微域研究的根箱试验装置
本发明公开了一种用于根际微域研究的根箱试验装置,包括根箱、根际隔层、隔板、倾斜板、取样板以及渗漏管,倾斜板和隔板设于根箱的上部,渗透管铺设在根箱底部,倾斜板设于根箱的箱壁与隔板之间,呈水平倾斜30°放置,倾斜板上开有用于...
冯英王先挺林咸永索炎炎谢爽张奇春
文献传递
一种低功耗高性能锗沟道量子阱场效应晶体管
本发明公开了一种低功耗高性能的锗沟道量子阱场效应晶体管,包括半导体锗衬底;半导体锗衬底具有源端注入区和漏端注入区;源端注入区和漏端注入区之间的半导体锗衬底表面依次覆盖二维材料钝化层、栅极绝缘层和栅电极;源端注入区和漏端注...
赵毅李骏康谢爽张睿徐明生
文献传递
一种发蓝光氧化硅纳米材料及其制备方法
本发明公开了一种发蓝光的氧化硅纳米材料的制备方法、其制备步骤包括首先在作为原材料的氧化硅的表面制备厚度为0.5 nm~50 nm的金属薄层、然后对沉积有金属薄层的氧化硅在硫气氛下进行热处理、热处理的温度为450℃~103...
徐明生汪胜平谢爽黄国伟
衬底位置对制备二维的MoS2的影响被引量:1
2017年
新型的二维层状材料凭借着其优异的机械、光学、电学等独特性能受到研究者广泛关注,二维层状材料如石墨烯、过渡金属硫族化合物等在柔性器件等领域具有潜在的应用前景,成为了现阶段研究热点之一;然而,应用的前提是高质量的二维材料大面积可控制备。利用化学气相沉积方法制备了二维的MoS_2,探讨了放置衬底的差异对合成二维的MoS_2的影响。结果表明,在其它相同的实验条件下,face-up和face-down的放置位置制备的MoS_2具有不同的形状、在衬底上的覆盖率不同;尽管如此,两种放置情况下,获得的单层的MoS_2具有类似的结构和荧光特性。研究结果对可控合成二维的MoS_2以及其它的TMDs均具有指导意义和参考价值。
赵建江李洪飞谢爽徐明生
共1页<1>
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