袁声召
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- 一种新型的异质结太阳能电池
- 本实用新型公开了一种新型的异质结太阳能电池，其中，超晶格结构P+层包括至少两层沉积在一起的P+复合层，该P+复合层由下至上依次包括P+窄禁带层和P+宽禁带层，每层P+复合层中的P+宽禁带层沉积在P+窄禁带层的上表面上，最...
- 崔艳峰袁声召
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- Cu(In,Ga)Se_2薄膜的制备及其表征(英文)
- 2011年
- CuIn1-xGaxSe2(CIGS)为直接带隙半导体,其带隙宽度随In/Ga比而变化,且对可见光具有很高的吸收系数,是最有希望用于制作新一代高效、低成本薄膜太阳能电池的材料.采用直流溅射和后硒化工艺制备了系列CIGS薄膜,研究了溅射功率和衬底对CIGS薄膜的微结构和光学性质的影响.发现钼玻璃上溅射功率为50W,在550℃硒化40min的条件下获得的CIGS薄膜具有单一的黄铜矿结构、均匀致密的表面形貌和柱状晶粒.所制备的薄膜的禁带宽度位于1.21～1.24 eV的范围.
- 崔艳峰袁声召王善力胡古今褚君浩
- 关键词：薄膜电池
- N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法
- 本发明公开了一种N型晶体硅太阳能电池的选择性发射结结构的实现方法，该方法的步骤如下：a）运用硼扩散在N型晶体硅太阳能电池的衬底上形成P型发射结，并且在硼原子推进扩散后，进行氧气气氛的高温处理，其中，氧气流量和炉腔的体积比...
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- 一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构
- 本发明公开了一种适合于MBB技术的太阳电池主栅图案结构(100)，其特征在于：每一主栅图案结构(100)包括两条平行的直线(1)，每条直线的宽度为30μm‑200μm，两直线内边缘之间的距离为D1,两直线外边缘之间的距离...
- 袁声召陈奕峰邓伟伟杨阳张舒谢燕
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- 用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法
- 本发明公开了一种用于制造太阳能电池的图形化掩膜方法，它的步骤如下：（a）旋涂掩膜层；（b）烘干掩膜层；（c）部分去除掩膜层，形成图形化掩膜；（d）实施电池的后续制造工艺；（e）去除剩余掩膜层。本方法加工面积大、图形尺寸小...
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- 用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法
- 本发明公开了一种用于太阳能电池的刻蚀浆料及其制备方法和使用方法，该用于太阳能电池的刻蚀浆料的组份和各组份质量百分比如下：氢氟酸：5%～15%；硝酸：40%～60%；有机溶剂：15%～30%；有机粘结剂：10%～20%；助...
- 崔艳峰袁声召
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- 一种双面太阳电池的测试装置及其测试方法
- 本发明公开了一种双面太阳电池的测试装置，包括：太阳光模拟器，成排设置的、用于在测试时分别接触待测双面太阳电池正面电极和背面电极的上探针和下探针，以及电学测试仪器，所述上探针和下探针分别通过连接导线与电学测试装置电连接，其...
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- 隔离衬底层两面薄膜的方法及异质结太阳能电池制备工艺
- 本发明公开了一种隔离衬底层两面薄膜的方法，该方法的步骤如下：1）在衬底层正面和/或背面的四周并且靠近衬底层边缘的部位光刻出向外凸起的光刻胶窄线；2）在衬底的正面和背面分别依次生产相应的薄膜层；3）在形成太阳能电池的银栅极...
- 崔艳峰袁声召
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- 一种降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法
- 本发明公开了降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法。根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P...
- 崔艳峰袁声召石建华陆中丹孟凡英刘正新
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- n型背结太阳电池的前表面场局域激光掺杂技术研究
- 采用激光掺杂技术来实现n型背结太阳电池的选择性前表面场结构,拟精确地在金属接触区域形成相对高浓度的磷掺杂,这样既可以保证非金属接触区域的低掺杂浓度,低复合,又能在金属接触区域形成良好接触.分析比较了两种典型的激光掺杂工艺...
- 王伟盛健袁声召盛赟蔡文浩张淳冯志强Pierre Verlinden
- 关键词：性能参数
- 文献传递
