范卫军
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 电场下超晶格GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs[111]的电子结构
- 1991年
- 用有效质量理论研究了GaAs/Ga_(1-x) Al_xAs[111]超晶格在外加电场下的电子结构.具体计算了超晶格的子能带色散关系曲线,子能级随外加电场的变化,并且计算了k_u=0的光跃迁矩阵元平方随电场的变化.与零电场情况相比,发现在k_u≠0处子能带的二重简并解除.随电场的增大,△n=0的跃迁减小,而△n≠0的跃迁增大.考虑单轴压力效应后,轻空穴和重空穴的能级位置发生下降和上升.
- 范卫军夏建白
- 关键词：电场化合物半导体电子结构
- ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器光吸收的理论计算
- 范卫军
- 关键词：砷化镓光吸收红外探测器超晶格半导体
- In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构被引量：4
- 1992年
- 用有效质量理论研究了[001]和[111]方向生长的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变超晶格的电子结构.具体计算了价带能级的色散曲线和光吸收曲线.沿[001]方向生长的光吸收曲线与实验进行了比较.内应变使重轻空穴能级发生上升和下降.由于压电效应,[111]方向生长的超晶格应变层内存在很强的内电场(1.5×10~5V/cm),而对[001]方向生长的应变超晶格不产生内电场.
- 范卫军夏建白
- 关键词：超晶格电子结构
- GaAs／Al_（0．4）Ga_（0．6）As多量子阱红外探测器光吸收计算被引量：1
- 1994年
- 本文在有效质量理论基础上计算了ＧａＡｓ／Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ多量子阱子带间光吸收谱以及电子态密度。具体讨论了两种情况的吸收．第一种情况是量子阱中只存在一个基态；第二种情况是量子阱中存在一个基态同时还存在一个激发态．最后与有关实验进行比较．
- 范卫军夏建白
- 关键词：红外探测器多量子阱光吸收砷化镓
- 交叉电场和磁场下GaAs/AIGaAs超晶格子带结构
- 1990年
- 本文用有效质量理论计算了加平行磁场(方向平行于GaAs/AlGaAs界面)和垂直电场(方向垂直于界面)的超晶格子带结构和光跃迁。加平行磁场后,空穴子带的二重简并解除,轻重空穴混合。加电场后,产生Stark位移,电子和空穴能级发生一定位移。最后,讨论了磁光跃迁概率。
- 范卫军夏建白
- 关键词：电场磁场GAASALGAAS超晶格
