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苏锡安

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 6篇发光
  • 5篇深能级
  • 5篇能级
  • 4篇GAP
  • 3篇二极管
  • 3篇发光二极管
  • 2篇电致发光
  • 2篇磷化镓
  • 1篇电特性
  • 1篇多量子阱
  • 1篇应变量子阱
  • 1篇砷化镓
  • 1篇受激
  • 1篇受激发射
  • 1篇外延层
  • 1篇温度
  • 1篇磷化
  • 1篇磷化铟
  • 1篇金属有机化学...
  • 1篇化学气相

机构

  • 4篇中国科学院长...
  • 3篇中国科学院长...
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇浙江大学
  • 1篇机电部

作者

  • 9篇苏锡安
  • 7篇高瑛
  • 6篇赵家龙
  • 4篇刘学彦
  • 2篇胡恺生
  • 1篇范希武
  • 1篇刘学彦
  • 1篇丁祖昌
  • 1篇梁家昌
  • 1篇秦福文
  • 1篇龚平
  • 1篇高瑛
  • 1篇赵福潭
  • 1篇高鸿楷
  • 1篇王海滨
  • 1篇刘学彦

传媒

  • 2篇Journa...
  • 2篇发光学报
  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇光子学报
  • 1篇半导体杂志
  • 1篇光电子技术
  • 1篇首届中国功能...

年份

  • 1篇1997
  • 2篇1996
  • 3篇1995
  • 1篇1994
  • 2篇1992
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
纯绿LED的辐射机理和深能级研究
1992年
本文结合N-free GaP材料外延生长和器件研制,用时间分辨光谱和发射光谱对温度的依赖关系,研究了构成绿色辐射的不同跃迁过程,测量了它们的光生载流子寿命.通过阴极射线轰击芯片前后深能级瞬态谱(DLTS)的分析,并根据退化过程中近红外光谱的变化,探讨了影响纯绿LED效率的主要因素.
高瑛赵家龙苏锡安刘学彦胡恺生丁祖昌毋必先华为民
关键词：发光器件LED能级
深能级及其在发光研究中的应用
1995年
本文介绍了三种测量深能级的基本方法──深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果．其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光深中心、ＺｎＳ场致发光薄膜的初始载流子源以及用ＭＯＣＶＤ法生长Ⅲ－Ⅴ族单晶薄膜的缺陷分析，它是将半导体深能级的基础知识运甲于发光机理和光电特性研究，在不同的领域中所取得的进展。
高瑛赵家龙刘学彦苏锡安粱家昌胡恺生
关键词：深能级场致发光
In_（0．6）Ga_（0．4）As／InP应变量子阱的光致发光
1995年
本文研究了不同阱宽的Ｉｎ０．６Ｇａ０．４Ａｓ／ＩｎＰ应变量子阱的光致发光，通过量子尺寸效应和压缩应变引起的峰值能量位移判断了不同谱峰的跃迁．在一定的温度范围内，相应量子阱的发光强度随着温度的升高而增加，当温度高出此范围，其光强随温度的升高而减小，此温区不仅与阱宽有关。且随激发光强而变化．我们用量子阱的限制效应和激子的转换机理，初步探讨了此温度范围的形成和消失．
高瑛刘学彦赵家龙苏锡安秦福文杨树人刘宝林陈佰军刘式墉
关键词：INGAAS磷化铟光致发光
GaP：N发光二极管深能级对发光特性的影响
1996年
测量了ＧａＰ：Ｎ绿色发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱．从谱中可见，老化后的５９０ｕｍ和１２６０ｕｍ发光带的发光强度较老化前明显增强，６５０ｕｍ有新的发光带．研究了老化产生的深能级的来源及对ＬＥＤ发光特性的影响．
苏锡安高瑛赵家龙刘学彦
关键词：发光二极管深能级电致发光磷化镓
金属有机化学气相沉积GaAs／Si外延层中的深能级发光对温度的依赖关系
1995年
本文测量了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延层中的深能级发光光谱对温度的依赖关系，系统地研究了１．１３和１．０４ｅＶ发光带的发光强度，峰值位置和半宽度随着温度的变化关系，获得了它们的热激活能，Ｈｕａｎｇ－Ｒｈｙｓ因子，振动声子能量和Ｆｒａｎｋ－Ｃｏｎｄｏｎ位移，并讨论其来源．
赵家龙高瑛刘学彦苏锡安梁家昌高鸿楷龚平王海滨
关键词：砷化镓外延层MOCVD温度
老化产生的深能级对GaP纯绿发光二极管发光效率的影响
1996年
测量了ＧａＰ纯绿发光二极管老化前后的可见和近红外发光光谱，研究了老化产生的深能级的来源及其对二极管发光效率的影响．在老化后的发光光谱中观测到６５０ｎｍ和１２６０ｎｍ发光带，发现１２６０ｎｍ发光带的发光强度随老化时间的增加而增强。实验结果表明老化产生的与磷相关的深能级严重地影响了ＧａＰ纯绿ＬＥＤ的发光效率。
苏锡安高瑛赵家龙刘学参
关键词：深能级发光二极管电致发光
ZnSe-ZnS多量子阱中激子动力学及受激发射被引量：1
1997年
本文讨论了在ＺｎＳｅ薄膜材料及ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射
赵福潭苏锡安王淑梅陈进军范希武
关键词：激子弛豫过程受激发射半导体
阴极射线辐照纯绿GaP发光二极管中深能级的研究
1994年
利用深能级瞬态谱(DLTS)方法研究了阴极射线辐照 GaP 纯绿发光二极管(LED)中的深能级,测量到两个激活能为0.45 eV、0.66 eV 的电子陷阱和一个激活能为0.33 eV 的空穴陷阱。证实了0.66 eV 的电子陷阱和0.33 eV 的空穴陷阱与辐照引起的晶格缺陷有关,同时发现阴极射线辐照引起谱峰加宽。
苏锡安高瑛赵家龙刘学彦
关键词：发光二极管深能级磷化镓
阴极射线辐照GaP光电特性的研究
宽禁带的GaP半导体材料已在光电、集成显示器件中得到广泛地应用。然而它还有着更诱人的应用前景,用来做光阴极材料如二维集成显示器件及高温电子器件,用于原子反应器及航天技术等等。如此用高能射线辐照GaP晶体,研究材料的性质是...
苏锡安高瑛
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