胡晓宁
- 作品数：12 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国科学院知识创新工程更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- CdTe+ZnS双层钝化的HgCdTe光伏探测器的制备及性能研究
- 制备了CdTe+ZnS介质膜,将其应用于光伏探测器中,对器件的性能进行了测试,并通过理论计算,分析了器件的暗电流机构,得到一些相关的材料和器件性能参数。
- 孙涛陈文桥梁晋穗陈兴国胡晓宁李言谨
- 关键词：HGCDTE光伏探测器暗电流
- 文献传递
- 基于DEM辅助后向投影模型的InSAR高程反演方法被引量：4
- 2021年
- 利用干涉合成孔径雷达(InSAR)技术获取数字高程模型(DEM)时,在地形起伏剧烈区域,干涉条纹十分密集,增加了相位解缠的难度,影响相位展开和高程反演的精度。为了解决该问题,该文提出了一种基于DEM辅助后向投影模型的InSAR高程反演方法。该方法可以在统一的后向投影成像空间中实现成像和InSAR高程反演,并且引入外源DEM作为辅助信息,去除大部分地形相位,有效地降低了干涉条纹的密度,减少了干涉相位的缠绕。此外,该方法在多数情况下可以避免图像配准和相位解缠过程,简化了传统InSAR的处理流程,并且可以实现高精度的高程反演。通过仿真实验和X波段机载双天线InSAR数据的处理验证了该方法的有效性。
- 胡晓宁胡晓宁向茂生王钟斌
- 关键词：干涉合成孔径雷达BP算法合成孔径雷达
- 砷注入碲镉汞P-on-N结特性研究
- 人员用砷离子注入N型碲镉汞材料，通过高低温两步退火以激活砷离子，成功制备了平面P-on-N结。工作人员对P-on-N结的结特性进行了一些研究。目前，对于λ<,c>=5.2μm器件，R<,0>A值达...
- 陆慧庆胡晓宁李向阳赵军
- 关键词：碲镉汞
- n-Hg_（1－x）Cd_xTe中复合中心
- 1996年
- 利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．４）ｐ＋ｎ结中Ｈ２（０．２９）空穴陷阱的俘获机制，发现它不满足级联复合机制或俄歇复合机制，该能级俘获截面的温度关系满足σ（Ｔ）＝σ∞ｅｘｐ（－ＥＢ／ｋＴ）形式。
- 周洁封松林卢励吾司承才李言谨胡晓宁
- 关键词：深能级瞬态谱HGCDTE
- Si基HgCdTe变面积光伏探测器的变温特性研究
- 2011年
- 通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCdTe材料少子扩散长度和少子寿命随温度的变化规律.在液氮温度下,随着反向偏压的增大器件的表面漏电流在暗电流中所占比重逐渐增加.在零偏压下,当温度低于200 K时材料的少子扩散长度随温度的升高而变大,而高于200 K时材料的少子扩散长度随温度的降低逐渐减小.将汞空位掺杂的p型Si基HgCdTe材料少子寿命的变温曲线与常规衬底材料的少子寿命变温曲线进行比较,发现Si基HgCdTe材料少子寿命接近常规衬底外延薄膜材料水平.
- 张姗胡晓宁
- 关键词：少子寿命少子扩散长度
- Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长被引量：2
- 2000年
- 研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。
- 朱顺明江宁臧岚韩平刘夏冰程雪梅江若琏郑有炓胡晓宁方家熊
- 砷注入碲镉汞PonN结的电流电压特性被引量：1
- 1999年
- 最近，选用Ｎ 型体材料碲镉汞（Ｈｇ１－ ｘＣｄｘＴｅ） 作衬底，成功制备了平面ＰｏｎＮ 结构的光电二极管。文中报道了制备各个波段ＰｏｎＮ 结的一些进展。碲镉汞平面ＰｏｎＮ 结采用砷掺杂在Ｎ 型衬底上形成Ｐ区，砷掺杂由砷离子注入加上退火扩散形成。对ＰｏｎＮ 二极管的电流电压关系温度特性的研究表明：直到１４０Ｋ，长波（λｃ ＝ ９ ．１μｍ）ＰｏｎＮ 结的暗电流以扩散电流为主。制备了从中波到长波各个波段的碲镉汞ＰｏｎＮ 结构红外探测器。目前，对于λｃ ＝ ５ ．２μｍ 的器件，Ｒ０ Ａ 值达到６８Ωｃｍ２ ，黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达２ ×１０１０ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ；对于λｃ ＝ １４ ．５μｍ 的器件，Ｒ０ Ａ 值达到０－２Ωｃｍ２ ，黑体探测率Ｄ＊ｂｂ（５００Ｋ） 可达１ ×１０９ｃｍ Ｈｚ１／２／ Ｗ。
- 赵军李向阳陆慧庆胡晓宁李言谨方家熊
- 关键词：碲镉汞光电二极管砷
- 面向HgCdTe红外焦平面探测器应用的分子束外延材料研究进展被引量：4
- 2014年
- 报道了针对第三代碲镉汞红外焦平面的应用需求进行的碲镉汞分子束外延研究进展.面向大规模HgCdTe红外焦平面探测器的应用,开展了大面积替代衬底上的分子束外延技术研究,报道了在大面积替代衬底上的碲镉汞分子束外延材料的晶体质量、表面形貌和组份均匀性的改善方法和研究结果.512×512及以上规模的中波、短波碲镉汞面阵器件制备验证表明Si基碲镉汞材料满足应用需求.围绕甚长波红外焦平面探测器及雪崩红外焦平面探测器的研制需要,开展了低缺陷的ZnCdTe基碲镉汞分子束外延研究.外延获得的HgCdTe外延材料均匀性得到明显提高.经过外延条件的优化,厚度为10μm的HgCdTe/ZnCdTe(组分x=0.22)分子束外延材料位错密度最好结果为3×104 cm-2,双晶半峰宽小于25弧秒.
- 陈路傅祥良王伟强沈川胡晓宁叶振华林春丁瑞军陈建新何力
- 关键词：红外焦平面碲镉汞分子束外延
- 变面积结构测碲镉汞材料的扩散长度
- 本文采用变面积结构测试方法获得了长波碲镉汞材料的少子扩散长度.介绍了该方法的理论基础,并根据实验数据计算拟合得到了扩散长度,估算出少子寿命.
- 廖清君胡晓宁叶振华张海燕
- 关键词：碲镉汞少子寿命
- 文献传递
- 碲镉汞材料p-n结结深的测量方法
- 在碲镉汞红外探测器的制备过程中,常常需要准确获得其p-n结的结深.由于碲镉汞材料的特殊性质,很多用于其他半导体材料的常规方法都不能很好地应用于碲镉汞p-n结结深的测量.这是因为碲镉汞材料非常脆弱,特别是p型材料,任何地机...
- 张海燕胡晓宁叶振华廖清君
- 关键词：碲镉汞
- 文献传递
