章嵩
- 作品数：123 被引量：29H指数：3
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺化学工程理学更多>>
- 放电等离子烧结硼-碳系陶瓷被引量：3
- 2007年
- 采用高纯硼粉和碳粉放电等离子烧结工艺(Spark Plasma Sintering technique)烧结了三种不同化学计量比的硼-碳系陶瓷,分别为:B3.5C,B4.0C和B4.5C。用X射线衍射分析了烧结体的物相。结果表明:原始粉末在1300～1600℃合成富硼碳化硼陶瓷(B4C1-x),致密化过程则发生在1700℃～1900℃。用放电等离子烧结成功地在1900℃获得了相对致密度大于95%的碳化硼陶瓷。
- 章嵩杨蕊沈强王传彬张联盟
- 关键词：碳化硼放电等离子烧结致密化
- 一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及其方法
- 本发明提供一种微波等离子体化学气相沉积制备的三元氮化物涂层及方法，属于涂层制备技术领域。一种微波等离子体化学气相沉积的三元氮化物涂层，所述三元氮化物涂层的分子形式为M<Sub>1‑x</Sub>D<Sub>x</Sub>...
- 王传彬夏禹徐志刚彭健章嵩涂溶沈强张联盟
- 一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法
- 本发明公开了一种调控钕钡铜氧薄膜取向的方法，在传统金属有机物化学气相沉积技术的基础上，进一步引入高能量密度的连续激光，可降低化学反应活化势垒，加快反应速率，并同时保证沉积区域辐射场均匀稳定分布，因此制备的薄膜结构连续均匀...
- 涂溶王凯东章嵩张联盟
- 文献传递
- 一种组分可控的碳化硼薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种在物理气相沉积方法中控制B<Sub>x</Sub>C薄膜成分以及化学计量的脉冲激光沉积方法。本发明在脉冲激光沉积方法的基础上，通过使用石墨-硼二元靶材制备得到薄膜组成与化学计量比均可控的B<Sub>x1</...
- 章嵩贺志强涂溶张联盟王传彬沈强
- 文献传递
- 一种制备碳化硼陶瓷的方法
- 本发明涉及一种制备碳化硼陶瓷的方法，具体步骤包括：第一步、称取硼粉和碳粉，硼、碳摩尔比为0.5－22.5，混合；第二步、将第一步制备的粉料放入模具中送入放电等离子烧结设备中烧结，在真空条件下升温至1300－2200℃；第...
- 张联盟陈刚章嵩王传彬沈强罗国强
- 文献传递
- 自模板法合成银纳米碗
- 2022年
- 采用自模板法合成了碗状银纳米材料,研究了银纳米碗的结构和生长机理。结果表明:AgNO_(3)和NaOH反应生成Ag_(2)O纳米簇,然后加入还原剂甲醛,在Ag_(2)O模板表面形成Ag纳米壳,副产物CO_(2)则在Ag壳内聚集。随着反应的进行,不断增大的压力最终击穿Ag壳,形成了直径约为200 nm的Ag纳米碗。该方法为特殊结构贵金属纳米材料的研究提供了理论和实验基础。
- 卢鹏荐官建国章嵩
- 关键词：贵金属
- 真空浸渍对增材制造SiC陶瓷组织和性能的影响
- 2023年
- 为了获得高性能SiC陶瓷复杂构件,建立了碳纤维增强SiC陶瓷材料的激光增材制造及真空浸渍后处理方法,研究了短切碳纤维酚醛树脂复合粉末材料的设计制备规律及激光增材成形方法,探讨了真空浸渍工艺对激光增材成形SiC陶瓷坯体的微观组织及力学性能的影响。研究表明,随着浸渍次数的增加,SiC陶瓷的体积密度和力学性能先上升后降低。当真空浸渍2次时,树脂残碳密度达0.39 g/cm^(3),反应熔渗后碳化硅体积分数达到最大值(71.4%),材料性能达到最优,相较于未真空浸渍处理的增材制造SiC陶瓷,体积密度提高了13%(2.87 g/cm^(3)),弯曲强度提高了141%(251.8 MPa),断裂韧性提高了41%(3.22 MPa/m^( 1/2))。
- 冯浩孙策刘启明章嵩韩潇涂溶李娇杜艳迎杨丽霞刘凯
- 关键词：SIC陶瓷
- 一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法
- 本发明涉及一种二维三元过渡金属碳化物及其制备方法，所述二维三元过渡金属碳化物具有单晶结构，内部各种元素分布均匀，平面尺寸为10～100μm。本发明提供的二维三元过渡金属碳化物平面尺寸较大，具有单晶结构，且厚度及尺寸可通过...
- 章嵩张翅腾飞徐青芳李宝文涂溶
- 一种碳化硅薄膜的制备方法
- 本发明涉及一种立方碳化硅薄膜的制备方法，包括以下步骤：将清洗后的基板放入冷壁式激光化学气相沉积装置的基板座上，抽真空；通入适量氩气；打开激光照射基板表面，待基板温度升至设定沉积碳化硅薄膜的温度，并保持稳定；打开含有HMD...
- 章嵩徐青芳涂溶张联盟
- B<sub>4</sub>C-HfB<sub>2</sub>-SiC三元高温共晶复合陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种B<Sub>4</Sub>C‑HfB<Sub>2</Sub>‑SiC三元高温共晶复合陶瓷材料。该复合陶瓷通过改变碳化硼、硼化铪、碳化硅三者之间的配比，使其具有均匀分布的共晶结构，其中B<Sub>4</Su...
- 涂溶李念李其仲章嵩张联盟
- 文献传递
