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程剑平

作品数:12 被引量:48H指数:4
供职机构:东南大学微电子中心更多>>
相关领域:电子电信电气工程自动化与计算机技术交通运输工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 5篇电池
  • 5篇锂离子
  • 5篇离子
  • 4篇锂离子电池
  • 4篇离子电池
  • 3篇带通
  • 3篇保护电路
  • 3篇比较器
  • 2篇待机
  • 2篇待机状态
  • 2篇低电压
  • 2篇低功耗
  • 2篇电路
  • 2篇调制器
  • 2篇噪声
  • 2篇谐振器
  • 2篇功耗
  • 2篇过流
  • 1篇低电压低功耗
  • 1篇低功耗设计

机构

  • 12篇东南大学

作者

  • 12篇程剑平
  • 10篇魏同立
  • 6篇朱卓娅

传媒

  • 3篇电路与系统学...
  • 2篇电子器件
  • 1篇电子学报
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2006
  • 7篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新的带通Sigma-Delta调制器的设计
2005年
设计了一种带宽为1.25MHz,中心频率为20MHz的带通Sigma Delta调制器,提出了一种新的结构及其系数的计算方法,该结构的性能受系数变化的影响较小,其谐振器的输出摆幅也较小,因而降低了对运算放大器的设计要求.模拟结果表明:考虑各种非理想因素后,调制器的动态范围(DR)为60dB.
程剑平魏同立
关键词:SIGMA-DELTA调制器带通非理想因素动态范围谐振器
低电压全差分运算放大器的优化设计被引量:4
2005年
设计了一种适合于带通SigmaDelta调制器的低电压低功耗全差分跨导放大器。在采用增益提高技术和尾电流复制技术的基础上,对电路参数进行优化,使运放获得了较高的性能。采用0.35μmCMOS工艺,模拟结果表明,环路带宽为278MHz,直流增益大于80dB,输入阶跃为4V时,在0.1%的精度下建立时间为9.1ns,动态范围达到83.2dB,电源电压为2V,总的功耗为4.2mW。
程剑平魏同立
关键词:跨导放大器增益提高
低踢回噪声锁存比较器的分析与设计被引量:10
2005年
设计了一种低踢回噪声锁存比较器,着重分析和优化了比较器的速度和失调电压。在0.35μmCMOS工艺条件下,采用Hspice对电路进行了模拟。结果表明,比较器的最高工作频率为200MHz,分辨率在6位以上,灵敏度为0.3mV;在2.5V电源电压下,功耗为70μW。
程剑平魏同立
关键词:锁存比较器失调电压
带通∑-Δ调制器的研究和设计
微电子领域广泛而深入的研究不断推动射频接收机向单片集成的方向发展。最终的目标是使其成为小尺寸、低成本、低功耗的通信器件,并且具有可测试性和多标准的特点。单片实现的目标导致了零中频结构和其它结构的产生,但是许多问题又限制了...
程剑平
关键词:调制器谐振器噪声分析电路设计
文献传递
锂离子保护电路中的负电压检测被引量:6
2002年
对传统的负电压检测技术提出了三种改进方法 ,并给出了采用
程剑平魏同立
关键词:保护电路锂离子比较器CMOS技术电池
锂离子电池用保护电路的低功耗设计被引量:2
2005年
设计了一种单节锂离子电池保护电路。分析了系统的特点和应用要求,提出了采用亚阈值电路和由内部数字信号来控制模拟电路工作状态的方法,优化了系统的功耗。电路采用0.6μmUMC数字电路工艺实现。HSPICE模拟结果表明,该电路不仅能满足锂离子电池应用中的保护要求,而且具有较低的电流功耗,在正常和Standby模式下,系统消耗电流分别3.23μA和0.15μA。
朱卓娅程剑平魏同立
关键词:锂离子电池低功耗亚阈值
A resistorless CMOS bandgap reference with below 1 V output
2003年
This paper proposes a resistorless CMOS bandgap reference (BGR) circuit capable of generating a voltage less than 1V and presents a high performance start up circuit that can make the BGR circuit achieve the correct operation point at power on. The simulation with Hspice was carried out using a 0 25 μm CMOS process. The results indicate that the proposed BGR circuit can operate on a 2 2 to 3 3 V power supply and its output voltage has a variation of 11 mV at -10 to 80 ℃.
程剑平朱卓娅魏同立
关键词:CMOS
锂电池管理芯片的过流保护功能设计及实现被引量:4
2006年
针对锂电池应用特点,设计了用于电池管理芯片的过流保护功能模块。电路采用0.6μm N衬底双阱CMOS工艺实现。HSPICE后仿真结果表明,该模块不仅能对锂电池放电过程实现三级过流检测和保护,还能对充电过程中的过流进行有效管理。通过功耗管理和采用基于亚阈值MOS管的电路,模块消耗电流仅为1.2μA,能充分满足较复杂的电池管理芯片的需要。
朱卓娅程剑平魏同立
关键词:锂离子电池过流保护
单节锂离子电池保护电路的设计
随着便携式电子产品的日益普及,作为其电池的二次电池市场正迅速拓宽.而锂离子电池的众多优点使其成为了二次电池的主流产品.但另一方面,由于锂离子电池极易受到破坏,因此实际应用中每个电池都必须装有保护电路.锂离子电池保护电路的...
程剑平
关键词:锂离子待机状态振荡器比较器
文献传递
低电压低功耗带通Sigma Delta调制器的设计被引量:3
2005年
本文设计了一种符合双标准接收机要求的一位四阶带通调制器.为了实现低电压低功耗设计的要求,改进了调制器结构,并进行了从系统到电路模块的优化.采用0.35μm CMOS工艺,Hspice和Matlab联合模拟表明:在2V电源电压下,调制器在GSM和WCDMA系统中的DR分别为86dB和36dB,而功耗仅为10.5mW和12mW.
程剑平朱卓娅魏同立
关键词:低功耗自举开关
共2页<12>
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