田朋飞
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种薄膜型LED制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...
- 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义
- 文献传递
- 采用AlGaN/GaN阻挡层的大功率InGaN/GaN MQWs蓝光LED被引量：1
- 2008年
- 大功率InGaN/GaN多量子阱蓝光发光二极管在大注入电流下,载流子泄漏而引起的效率下降问题是目前限制大功率发光二极管光电特性及其应用的突出问题。本文通过在p型GaN和InGaN/GaN多量子阱(MQW)有源区之间插入p型AlGaN/GaN多量子势垒(MQB)电子阻挡层,利用多量子势垒对电子的量子反射作用,有效地解决了大注入下载流子泄漏问题。与未使用多量子势垒电子阻挡层的样品相比,MQB样品的光功率和外量子效率分别提高了约80%和100%。
- 齐胜利陈志忠潘尧波郝茂盛邓俊静田朋飞张国义颜建锋朱广敏陈诚李士涛
- 关键词：氮化镓外量子效率
- 一种薄膜型LED制备方法
- 本发明公开了一种薄膜型LED制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的P型梯形台面，接着在该梯形台面上制备p型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部...
- 陈志忠齐胜利孙永健田朋飞康香宁秦志新于彤军张国义
- 文献传递
- 一种制备LED器件出光结构的方法
- 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对P...
- 孙永健于彤军张国义贾传宇田朋飞邓俊静
- 文献传递
- 一种制备LED器件出光结构的方法
- 本发明提供一种制备LED器件出光结构的方法，属于LED器件的制备技术领域。该方法具体是，在图形的蓝宝石衬底(PSS)上生长GaN外延片，然后使用周长为3～1000微米，且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的光斑对P...
- 孙永健于彤军张国义贾传宇田朋飞邓俊静
- ICP刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响
- 2008年
- 采用不同条件的等离子体(O2、Cl2)对p-GaN样品进行刻蚀,通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)、阴极荧光谱(CL)、光致发光光谱(PL)、电流-电压(I-V)等方法详细研究了等离子体刻蚀对p-GaN表面改性及接触的影响。研究发现,经O2等离子体刻蚀后,样品的Ga/N降低,PL谱的蓝带发生蓝移,说明刻蚀减小了p-GaN中与Mg相关的自补偿作用,使得更多的Mg原子起到受主作用。另外,样品经O2等离子体处理后在表面形成了一层严重影响接触欧姆特性的氧化层,但此氧化层可经Cl2等离子体刻蚀后得到有效的去除。
- 邓俊静齐胜利陈志忠田朋飞郝茂盛张国义
- 关键词：感应耦合等离子体
- GaN基垂直结构LED器件制备的键合技术研究
- 传统的LED芯片是在蓝宝石衬底上生长制作而成,但是蓝宝石衬底具有一些缺点:GaN和蓝宝石的晶格和热膨胀系数不匹配;蓝宝石热传导比较差,不利于LED工作过程中的热扩散,当注入电流比较大的时候就会在有源区产生过量的热量,从而...
- 田朋飞
- 关键词：GANLED器件光电特性
