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王飞: 作品数：43 被引量：82H指数：6; 供职机构：三联学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省教育厅重点项目更多>>; 相关领域：理学文化科学自动化与计算机技术语言文字更多>>

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Ge^(4+)对CaAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和光谱特性的影响被引量：3: 2013年; 采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ca0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2+(x=0～1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代CaAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,γ和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递增;而晶面夹角α和β随Ge4+置换量的增加呈线性递减。荧光激发谱为宽带,位于230 nm～420 nm,可拟合成四个峰,表观峰值位于351 nm;随着Ge4+置换量的增加,半高宽从114 nm减小到96 nm。发射光谱位于375 nm～600 nm,可由422 nm和458 nm两峰拟合而成,表观峰值位于426 nm;随着Ge4+置换量Si4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移。; 王飞田一光张乔; 关键词：钙长石

Sr0.955Al2-xBxSi2O8∶0.025Eu2+荧光粉的制备、晶体结构及发光性能（英文）被引量：1: 2019年; 通过高温固相反应在弱还原气氛下制备了Sr0.955Al2-xBxSi2O8∶0.025Eu^2+(x=0~0.9)一系列荧光粉,研究了B(Ⅲ)取代基质晶格中的Al(Ⅲ)对荧光粉晶体结构和Eu^2+发光性能的影响。B(Ⅲ)以类质同相取代基质晶格中Al(Ⅲ),形成了连续固溶体。随着B(Ⅲ)取代量的增加,荧光粉的晶胞参数(a、b、c)和晶胞体积(V)呈线性递减,而晶胞参数(β)呈线性递增。荧光粉的激发光谱为位于225~400nm的宽峰,表观峰值位于350nm,激发峰的半高宽(FWHM)随着B(Ⅲ)取代量的增加,从90nm减小到102nm。发射光谱位于370~600nm的宽峰,可拟合为409和447nm两个峰,表观峰值位于409nm。随着B(Ⅲ)取代量的增加,2个拟合峰位均出现蓝移且2个峰强度比呈线性递减。根据试样荧光光谱,通过VanUitert经验公式计算得出SrAl2Si2O8∶Eu^2+中Sr^2+的配位数为9。随着B(Ⅲ)取代Al(Ⅲ)进入基质晶格,造成发光中心Eu与配体O距离增加,使得Eu^2+所处的晶体场强度减小,发光中心Eu^2+的5d能级分裂减小,造成Eu^2+最低发射能级重心上移,2个拟合谱峰峰位均呈线性蓝移。; 王飞田一光田一光; 关键词：荧光粉晶体结构光谱特性

CaLa_4Si_3O_(13):Eu^(3+)红色荧光粉制备条件优化及助熔剂作用研究被引量：3: 2012年; 采用高温固相法制备了CaLa4Si3O13:Eu3+红色荧光粉,研究了助熔剂总量、Li和B物质的量之比、烧成温度对发光性能的影响。以Eu3+的5 D0-7 F2发射强度为指标得出的最佳制备条件为:硼锂双助熔剂B和Li物质的量之比为1:1,总量为0.4 mol.mol-1,950℃预烧150 min,1150℃,240 min烧成。硼组分进入晶格置换硅,使晶胞参数a,c和晶胞体积V均逐渐减小,提高电/磁偶极跃迁强度比和总发光强度。助熔剂总量达到0.24 mol.mol-1后,进入基质的硼趋于饱和。硼组分起到助熔剂和基质组分置换双重作用。; 巩仕星田一光张乔王飞王孟有陈立伟; 关键词：荧光粉硅酸盐助熔剂

LED灯用长石结构硅酸盐荧光体基质元素的置换效应: 本论文采用高温固相法制备了MAl_2Si_2O_8 : Eu~(2+) (M=Ca, Sr, Ba)荧光体试样,考察基质骨架离子置换对晶体结构和光谱特性的影响,研究试样荧光特性的变化规律。得出了Eu~(2+)掺杂的碱土金...; 王飞; 关键词：白光LED 长石; 文献传递

硼组分在BaAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)发光材料中的作用被引量：5: 2011年; 采用高温固相法在弱还原气氛下制备Ba0.955Al2-xBxSi2O8∶Eu2+(x=0~0.5)系列荧光粉,研究B3+置换Al3+对晶体结构和光谱特性的影响。B3+以类质同相替代BaAl2Si2O8晶格中的Al3+形成部分连续固溶体,随着B3+置换量的增加,晶胞参数a,b,c和晶胞体积V呈线性递减,晶面夹角β呈线性递增。荧光激发光谱位于225~400 nm的宽带谱可拟合成4个峰,表观峰值位于337 nm,半峰全宽为96 nm。荧光发射光谱位于370~600 nm,可由423 nm和457 nm两峰拟合而成,表观峰值位于437 nm,两拟合峰峰位均随着B3+置换量的增加呈线性蓝移。; 王飞田一光张乔赵文光; 关键词：硅酸盐

一种Eu2+激活的碱土金属化合物红色发光材料及其制备方法: 本发明公开了一种Eu2+激活的碱土金属化合物红色发光材料及其制备方法，涉及无机发光材料技术领域技术领域，所述红色发光材料的化学组成为：(MO)3‑x‑2y·(EuO)...; 王飞陈慧慧张世伟

一种肉类细菌检测传感器: 本发明提出了一种肉类细菌检测传感器，包括生物传感器主体与恒温反应杯，所述恒温反应杯上贯穿开设有与生物传感器主体相适配的插装孔，所述生物传感器主体的分子识别端可拆卸插装在插装孔内，所述生物传感器主体上安装有可锁紧恒温反应杯...; 张世伟王飞

阳离子置换在白光LED灯用荧光粉中运用的研究进展: 2013年; 根据目前LED实现白光的两种主流方式:近紫光LED芯片+红/绿/蓝三基色荧光粉和蓝光LED芯片+黄色荧光粉(或+绿色/红色荧光粉),本文重点从黄色荧光粉、绿色荧光粉、红色荧光粉及蓝色荧光粉四个方面综述了利用阳离子置换实现对白光LED灯用荧光粉发光性能改善的研究进展,并对利用该方法对荧光粉的发光性能改善的研究趋势进行了展望。; 王飞; 关键词：荧光材料

锗置换硅对SrAl_2Si_2O_8∶Eu^(2+)晶体结构和光谱特性的影响被引量：1: 2013年; 通过高温固相合成Sr0.955Al2Si2-xGexO8∶Eu2(+x=0~1.0)系列试样荧光粉,系统研究Ge4+置换Si4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代SrAl2Si2O8晶格中的Si4+形成连续固溶体,晶胞参数a,b,c,β和晶胞体积V随Ge4+置换量的增加呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230~400 nm,可拟合成4个峰,表观峰值位于351 nm处;随着Ge4+置换量的增加,半高宽从105 nm减小到95 nm。发射光谱位于380~600 nm,可由406 nm和441 nm两个峰拟合而成,表观峰值位于407 nm处;随着Ge4+置换Si4+进入基质晶格,造成Eu—O距离变小,使Eu2+所处的晶体场强度增强,发光中心Eu2+的5d能级分裂增大,造成Eu2+最低发射能级重心下移,两拟合谱峰峰位均呈线性红移。; 王飞田一光张乔

基因工程药物治疗白血病的研究进展被引量：5: 2013年; 目前采用基因工程药物治疗白血病逐渐成为热点。研究表明白血病在获得缓解后用基因工程药物治疗即可提高疗效,又可减轻化疗药物的毒副反应,并可望达到治愈白血病的目的。本文从基因工程抗体、重组人细胞因子和基因工程疫苗三大类基因工程药物对治疗白血病的研究进展做一综述。; 王飞陈慧慧李健; 关键词：白血病基因工程药物