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王赫

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:南开大学信息技术科学学院更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划天津市重大科技攻关项目天津市科技创新专项资金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 7篇会议论文
  • 3篇期刊文章

领域

  • 9篇电气工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 8篇电池
  • 7篇太阳电池
  • 5篇薄膜太阳电池
  • 5篇CIGS薄膜
  • 5篇CU(IN,...
  • 3篇二极管
  • 3篇二极管特性
  • 2篇退火
  • 2篇CIGS薄膜...
  • 2篇GA
  • 1篇单斜晶系
  • 1篇电池效率
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇多晶
  • 1篇英文
  • 1篇四方晶系
  • 1篇热退火
  • 1篇量子效率
  • 1篇晶系

机构

  • 10篇南开大学

作者

  • 10篇孙云
  • 10篇王赫
  • 7篇刘芳芳
  • 6篇李长健
  • 5篇刘玮
  • 5篇何青
  • 3篇张力
  • 3篇周志强
  • 3篇张毅
  • 2篇李凤岩
  • 2篇李宝璋
  • 2篇李博研
  • 1篇李风岩
  • 1篇乔在祥

传媒

  • 3篇第十一届中国...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇第29届全国...

年份

  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Cu(In,Ga)Se2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响被引量:4
2010年
本文利用三步法共蒸发制备Cu(In,Ga)Se2多晶薄膜吸收层,通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面Ga的含量及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大,空间电荷区带隙变宽,电池的开路电压Voc明显增大。同时,Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围,减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流Jsc的损失,从而有效地提高了电池的转换效率。
王赫刘芳芳孙云何青张毅李长健
Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池热退火工艺的研究
热退火是改善太阳电池性能的后处理工艺之一。本文研究了110℃~180℃(2min)条件下的空气热退火对不同成分比例Cu(In,Ga)Se
刘芳芳孙云王赫何青李长健刘玮李凤岩周志强李宝璋
关键词:CIGS薄膜太阳电池二极管特性
文献传递
多晶Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池光强特性的研究
本文研究了Cu(In,Ga)Se(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强10~100 mW/cm范围内变化时的特性。结果表明,随光强的减弱,电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于70 mW/cm时,电池性能变化...
刘芳芳孙云王赫何青李长健李凤岩李宝璋周志强刘玮张力
关键词:CIGS薄膜太阳电池
文献传递
Cu(In,Ga)Se2太阳电池中Ga含量梯度分布的研究
本文利用传统的共蒸发三步法制备了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,通过优化金属镓(Ga)的蒸发温度,得到了合适的Ga的梯度分布,从而使电池的开路电压Voc在提高的同时,最大限度地减小了Jsc的损失。 优...
刘芳芳孙云王赫
关键词:太阳电池二极管特性
文献传递
Fe对柔性不锈钢衬底上沉积铜铟镓硒薄膜电池的影响
本文采用三步共蒸发方法,在不锈钢衬底上低衬底温度生长不同厚度的多晶CIGS薄膜,利用台阶仪、X射线荧光光谱(XRF)表征薄膜的厚度、成分,X射线衍射(XRD)、SEM及Hall测试研究薄膜厚度对薄膜结构和电学特性的影响。...
李博研张毅王赫刘玮孙云
关键词:电学特性电池效率
文献传递
铜铟镓硒太阳电池导带边失调值研究
本文通过SCAPS软件模拟分析了Ga成分比例的改变带来的CIGS/CdS导带边失调值变化对电池性能参数的影响,并与实验测量进行了比较。结果表明,当Ga/In+Ga约为30%,对应的导带边失调值为0.3ev左右时,电池转换...
刘一鸣刘玮李长健王赫孙云
关键词:CIGSCDS
文献传递
不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火(英文)被引量:2
2009年
研究了110~180℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证;而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加.
刘芳芳孙云王赫张力李长健何青李风岩周志强
关键词:CIGS薄膜太阳电池快速退火二极管特性
衬底温度对Ga2Se3化合物薄膜的成分及结构的影响
衬底温度是影响薄膜形成和相变过程的一个重要参量,它直接关系到薄膜的成分和结晶质量。不同的衬底温度,(Ga,Se)化舍物具有不同的晶体结构和复杂的相变过程。本文使用蒸发工艺在不同村底温度下制备((Ga,Se)二元化合物薄膜...
王赫张毅李博研刘玮孙云
关键词:单斜晶系四方晶系衬底温度
文献传递
多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池光强特性的研究被引量:2
2009年
本文系统研究了Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池在入射光强为10-100 mW/cm^2范围内的性能参数。结果表明,随光强的减弱,CIGS电池的转换效率、填充因子、短路电流密度和开路电压等性能参数逐步衰减;电池参数与光强的依赖关系可明显划分为两个阶段:光强高于75 mW/cm^2时,电池性能变化不大;当光强低于70 mW/cm^2时,电池性能衰减明显。这是由于随着光强的降低,RS(串联电阻)值和RSH(并联电阻)值都在升高。其中,RSH值的增大使得CIGS电池的弱光特性变好,但较小的RSH值并不能弥补RS所导致电池性能的衰退。最后,发现高Ga含量的CIGS薄膜电池(8.7%)比低Ga含量(6.9%)的电池弱光特性好。
刘芳芳孙云张力李长健乔在祥何青王赫
关键词:CIGS薄膜太阳电池
效率为15.35%的Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池
利用三步共蒸发法制备了较高质量的四元化合物Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜,采用Mo/CIGS/Cd S/Zn O结构制备出转换效率超过15%的薄膜太阳电池,其最高转换效率达到15.35%(测试条件为:AM1.5...
刘芳芳孙云王赫
关键词:CIGS薄膜太阳电池
共1页<1>
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