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王有为

作品数:7 被引量:1H指数:1
供职机构:天津理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇纳米
  • 4篇纳米晶
  • 4篇发光
  • 4篇发光器件
  • 3篇SUB
  • 3篇ZNO纳米
  • 2篇带隙
  • 2篇电致发光
  • 2篇电致发光器件
  • 2篇修饰
  • 2篇纳米棒
  • 2篇纳米晶薄膜
  • 2篇宽带隙
  • 2篇甲苯
  • 2篇甲苯溶液
  • 2篇ZNO纳米棒
  • 1篇电池
  • 1篇电子学
  • 1篇叠层
  • 1篇叠层太阳能电...

机构

  • 7篇天津理工大学

作者

  • 7篇王有为
  • 6篇石庆良
  • 5篇徐建萍
  • 4篇张晓松
  • 4篇李岚
  • 4篇姜立芳
  • 3篇石鑫
  • 3篇孙健
  • 3篇朱明雪
  • 2篇李岚
  • 2篇葛林
  • 2篇陈义鹏
  • 1篇任志瑞
  • 1篇李梦真
  • 1篇王丽师
  • 1篇罗程远
  • 1篇王浩
  • 1篇洪源
  • 1篇王雪亮

传媒

  • 1篇光学学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 4篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于ZnO纳米管/SiO<Sub>2</Sub>量子点泵浦随机激光发射器
一种基于ZnO纳米管/SiO<Sub>2</Sub>量子点泵浦随机激光发射器,包括衬底、阳极层、无机发光层、缓冲层和阴极层并依次组成堆叠结构,所述衬底为玻璃或聚乙烯塑料透明衬底,阳极层为氧化铟锡、氧化锌铝或氧化锌镓,无机...
李岚葛林陈义鹏王有为石庆良朱明雪王浩
文献传递
基于不同粒径PbS量子点的叠层太阳能电池及制备方法
一种基于不同粒径的PbS量子点的叠层太阳能电池,由ITO玻璃层、TiO<Sub>2</Sub>纳米晶层、小粒径的PbS量子点薄膜层、ITO层、TiO<Sub>2</Sub>薄膜层、大粒径的PbS量子点薄膜层和金电极叠加而...
李岚姜立芳徐建萍张晓松石庆良王有为孙健石鑫
文献传递
全无机ZnO纳米棒/SiO_2电致发光器件的研究被引量:1
2013年
采用化学溶液法在氧化铟锡(ITO)衬底上合成ZnO纳米棒,以不同的速度将无定形SiO2材料旋涂于ZnO纳米棒,制备了结构为ITO/ZnO/ZnO纳米棒/SiO2/Al全无机电致发光器件。借助能谱(EDS)和吸收光谱,发现当转速从3000r/min降低到500r/min时,SiO2的附着量逐渐增多。比较了旋涂速度对器件的电致发光光谱的影响,发现对于同一旋涂速度形成的器件,紫外发光强度随电压的增大而增强,可见区的发射则逐渐减弱;而不同旋涂速度下获得的器件的紫外发光强度显示出随电压升高先增大后减小的趋势,当旋涂速度为1000r/min时,紫外发射最强,可见区发光几乎消失;I-V曲线测量显示随着转速的降低,器件的启亮电压变大,最大工作电流逐渐变小。结合光致发光(PL)图谱和能级结构图分析认为,SiO2除了能钝化ZnO纳米棒表面缺陷,还具有改善载流子在发光层的平衡和增大电子注入能量的作用,其较高的势垒对发光层内的电子具有限制作用,提高了在活性层中的电子和空穴的复合率。此外,SiO2的加速作用也有助于提高高能态缺陷能级的电子密度及复合几率。
葛林徐建萍张晓松罗程远王丽师李梦真任志瑞陈义鹏王有为石庆良朱明雪李岚
关键词:光电子学ZNO纳米棒电致发光器件
ZnO纳米棒/聚合物复合电致发光器件研究
ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族的直接宽带隙半导体材料,在发光二极管、紫外探测器、传感器等方面具有很好的应用。这些年,ZnO纳米棒材料已然成了ZnO材料研发的新热点。由于化学合成法制备的ZnO纳米棒存在多种类型的缺陷,因此其发光范围...
王有为
关键词:ZNO纳米棒电致发光器件载流子
文献传递
一种基于Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>核壳纳米晶薄膜的发光器件
一种基于Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>纳米晶薄膜的发光器件,由ITO玻璃层、Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>核壳纳米晶薄膜层和铝阴极叠加而成,其制备方法是在洁...
李岚姜立芳徐建萍张晓松石庆良王有为孙健石鑫
文献传递
一种基于Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>核壳纳米晶薄膜的发光器件
一种基于Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>纳米晶薄膜的发光器件,由ITO玻璃层、Cu<Sub>2</Sub>O/TiO<Sub>2</Sub>核壳纳米晶薄膜层和铝阴极叠加而成,其制备方法是在洁...
李岚姜立芳徐建萍张晓松石庆良王有为孙健石鑫
文献传递
PbS纳米晶修饰的ZnO/PVP复合电双稳器件阻变机制
2014年
采用简单旋涂工艺制备了具有ITO/PVP/ZnO NCs/PbS NCs/PVP/Al夹心结构的有机/无机复合电双稳存储器件,与没有PbS纳米晶修饰层的器件ITO/PVP/ZnO NCs/PVP/Al相比,PbS纳米晶的引入使目标器件的开关比提高了2个数量级。结合器件的I-V曲线和能级结构分析了PbS纳米晶修饰层对器件阻变和载流子传输的影响。结果显示,PbS纳米晶层的加入不仅优化了器件能级结构,有利于载流子的俘获和释放,还修饰了ZnO纳米晶的表面缺陷,降低了器件载流子的复合损耗。
石庆良徐建萍王雪亮王有为姜立芳朱明雪洪源李岚
关键词:ZNO纳米晶
共1页<1>
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