王彦
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结高温性质的研究
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅...
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN材料位错密度载流子浓度
- 文献传递
- SiNx钝化对Al×Ga1-xN/GaN异质结构中二维电子气高温输运性质的影响
- AlGaN/GaN 异质结构是发展高温、高频、高功率电子器件的优选材料,研究 AlGaN/GaN 异质结构中二维电子气(2DEG)的高温输运性质对于理解 AlGaN/GaN 异质结构的物理特性以及器件研制具有重要意义。
- 王茂俊沈波黄森许福军王彦许谏杨志坚秦志新张国义
- 关键词：二维电子气钝化
- 文献传递
- 氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响
- 2009年
- 结合氢在GaN中的扩散特性,运用阴极荧光(CL)谱,对氢化前后低能电子束辐照下GaN带边发光强度的演变进行了研究.实验发现,氢化前GaN在低能电子束辐照下带边发光强度呈现衰减的趋势,而氢化后带边发射强度先上升后衰减,而且氢化后的衰减比氢化前弱.1h辐照过程中,氢化后GaN带边发光强度的变化比氢化前要小很多.另外,实验中发现经过氢化处理的GaN在辐照后20h内没有观察到带边发射强度的恢复.研究表明氢原子在GaN中可以钝化缺陷来增强发光,但这种钝化缺陷的作用必须通过克服高的扩散势垒来实现,而低能电子束可以提供足够的能量使得氢原子克服扩散势垒来实现钝化作用.研究实验充分证明了氢的扩散是GaN中实现氢钝化作用的一个重要前提.
- 王彦沈波Dierre BenjaminSekiguchi Takashi许福军
- 关键词：氢化
- 与GaN晶格匹配的InAlN材料中In组分的均匀性研究
- 通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3％)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,...
- 王嘉铭沈波许福军黄呈橙许正昱张霞王彦葛惟昆王新强杨志坚
- GaN和AlxGa1-xN/CaN异质结的高温性质
- 2007年
- 通过高温Hall测量研究了GaN和AlxGa1-xN/GaN异质结从室温到500℃高温下的输运性质.实验发现GaN背景载流子浓度随着温度的升高而升高,载流子浓度变化的幅度和GaN的位错密度存在正比关系,持续光电导的跃迁幅度和GaN的位错密度也存在正比关系,说明位错相关的深施主或者陷阱对GaN在高温下的背景浓度有很大影响.实验发现AlxGa1-xN/GaN异质结中二维电子气的浓度在室温到250℃的范围内随着温度的升高而下降,然后随着温度的升高开始增加.前者主要是由于随着温度的升高,AlxGa1-xN/GaN异质结的导带不连续减小引起的,后者主要是由GaN层背景载流子浓度增加导致的.通过求解自洽的薛定谔和泊松方程得到的二维电子气浓度的温度关系和实验结果一致.
- 王茂俊沈波王彦黄森许福军许谏杨志坚张国义
- 关键词：GAN位错HALL
- Au/Ni/GaN肖特基二极管的高温电流输运机制研究
- ＜正＞GaN 基肖特基二极管高温电流输运机制对 GaN 基电子器件的高温高功率性质影响很大。我们采用 MOCVD 系统在 c 面蓝宝石衬底上生长了高质量的 GaN 外延薄膜,用标准平面工艺制备了 Au/Ni/GaN 肖特...
- 黄森沈波王茂俊许福军王彦杨海燕林芳秦志新杨志坚张国义
- 关键词：高温
- 文献传递
