王川 作品数:6 被引量:9 H指数:2 供职机构: 重庆邮电大学 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管,包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区,所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结,在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层,所述光吸收层为设置于P型... 王巍 王川 颜琳淑 胡洁 王婷 杜超雨 王振 袁军文献传递 Ge/Si SACM-APD器件分析 被引量:1 2015年 Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明:在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。 王巍 颜琳淑 王川 杜超雨 王婷 王冠宇 袁军 王振一种高带宽NP型CMOSAPD的研究 被引量:5 2015年 提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 d B带宽为8.6 GHz。 王巍 王川 颜琳淑 杜超雨 王婷 王冠宇 王振 冯世娟关键词:雪崩光电二极管 CMOS APD 带宽 基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器 被引量:1 2013年 提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0~10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。 王巍 武逶 冯其 王川 唐政维 王振 袁军关键词:跨阻放大器 CMOS 一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管 本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管,包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区,所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结,在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层,所述光吸收层为设置于P型... 王巍 王川 颜琳淑 胡洁 王婷 杜超雨 王振 袁军文献传递 应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计 被引量:3 2015年 设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 m Vpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 f F时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 d BΩ,-3 d B带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 p A/(0~8 GHz)。该电路采用电源电压为1.8 V时,跨阻放大器功耗为28 m W,限幅放大器功耗为80 m W,输出缓冲器功耗为40 m W,其芯片面积为800μm×1 700μm。 王巍 武逶 冯其 颜琳淑 王川 王冠宇 袁军 王振关键词:光接收机 跨阻放大器 限幅放大器