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王川

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：重庆邮电大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 5篇CMOS
  • 4篇雪崩
  • 4篇二极管
  • 3篇带宽
  • 3篇雪崩光电二极...
  • 3篇光电
  • 3篇光电二极管
  • 2篇频率响应
  • 2篇跨阻放大器
  • 2篇放大器
  • 2篇N
  • 1篇电荷
  • 1篇电路
  • 1篇雪崩二极管
  • 1篇前置放大电路
  • 1篇前置放大器
  • 1篇全差分
  • 1篇限幅
  • 1篇限幅放大器
  • 1篇接收机

机构

  • 6篇重庆邮电大学

作者

  • 6篇王川
  • 6篇王巍
  • 6篇王振
  • 5篇袁军
  • 4篇王婷
  • 3篇王冠宇
  • 2篇胡洁
  • 2篇冯其
  • 2篇武逶
  • 1篇唐政维
  • 1篇冯世娟

传媒

  • 3篇红外与激光工...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管
本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型...
王巍王川颜琳淑胡洁王婷杜超雨王振袁军
文献传递
Ge/Si SACM-APD器件分析被引量：1
2015年
Ge/Si吸收区-电荷区-倍增区分离（SACM）结构的APD作为一种新型光电探测器已成为硅基APD器件研究的重点。对SACM Ge/Si型APD器件的基本结构及其主要特性参数,包括量子效率、响应度、暗电流等进行了理论分析及仿真验证。实验结果表明：在给定的器件参数条件下,所设计的APD器件的雪崩击穿电压为25.7V,最大内部量子效率为91%,单位增益下响应度峰值为0.55 A/W,在750-1500 nm范围内具有较高响应度,其峰值波长为1050 nm;在高偏压以及高光照强度情况下,倍增区发生空间电荷效应从而导致增益降低。
王巍颜琳淑王川杜超雨王婷王冠宇袁军王振
一种高带宽NP型CMOSAPD的研究被引量：5
2015年
提出了一种高带宽的硅基CMOS雪崩光电二极管(APD)器件。该器件在N阱/P衬底基本结构的基础上,增加一个N型深掩埋层,并在该掩埋层单独加上电压,以减小载流子的输运时间。通过理论分析确定了器件的结构参数,通过器件性能的仿真分析对相关参数进行了优化设计。仿真结果表明:采用标准0.18μm CMOS工艺,所设计的APD器件的窗口尺寸大小为20μm×20μm,在反向偏压为16.3 V时,器件的雪崩增益为20,响应度为0.47 A/W,3 d B带宽为8.6 GHz。
王巍王川颜琳淑杜超雨王婷王冠宇王振冯世娟
关键词：雪崩光电二极管CMOSAPD带宽
基于电感并联峰化的宽带CMOS跨阻前置放大器被引量：1
2013年
提出了一种基于TSMC0.18μm CMOS工艺的低噪声、低功耗的10Gb/s光通信接收机跨阻前置放大器(TIA)的设计。该TIA电路采用具有低输入阻抗的RGC(regulated cascode)结构作为输入级。同时,采用电感并联峰化和容性退化技术扩展TIA电路的带宽。当光电二极管电容为250fF时,该电路的-3dB带宽为9.2GHz,跨阻增益为57.6dBΩ,平均等效输入噪声电流谱密度约为16.5pA/(Hz)(1/2)(0～10GHz),电路的群时延为±20ps。在1.8V单电源供电时,功耗为26mV。
王巍武逶冯其王川唐政维王振袁军
关键词：跨阻放大器CMOS
一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管
本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型...
王巍王川颜琳淑胡洁王婷杜超雨王振袁军
文献传递
应用于10Gb/s光接收机的全差分CMOS跨阻前置电路设计被引量：3
2015年
设计了一种的低成本、低功耗的10 Gb/s光接收机全差跨阻前置放大电路。该电路由跨阻放大器、限幅放大器和输出缓冲电路组成,其可将微弱的光电流信号转换为摆幅为400 m Vpp的差分电压信号。该全差分前置放大电路采用0.18μm CMOS工艺进行设计,当光电二极管电容为250 f F时,该光接收机前置放大电路的跨阻增益为92 d BΩ,-3 d B带宽为7.9 GHz,平均等效输入噪声电流谱密度约为23 p A/(0~8 GHz)。该电路采用电源电压为1.8 V时,跨阻放大器功耗为28 m W,限幅放大器功耗为80 m W,输出缓冲器功耗为40 m W,其芯片面积为800μm×1 700μm。
王巍武逶冯其颜琳淑王川王冠宇袁军王振
关键词：光接收机跨阻放大器限幅放大器
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