王家楫
- 作品数：34 被引量：134H指数：8
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程一般工业技术更多>>
- 电子封装面临无铅化的挑战被引量：13
- 2005年
- 随着环境污染影响人类健康的问题已成为全球关注的焦点,电子封装业面临着向“绿色”无铅化转变的挑战,采用无铅封装材料是电子封装业中焊接材料和工艺发展的大势所趋。本文主要介绍了电子封装无铅焊料以及其他辅助材料的研究现况,并对无铅BGA封装存在的可靠性问题进行了讨论,进而指出开发无铅材料及工艺要注意的问题和方向。
- 朱笑鶤娄浩焕瞿欣王家楫Taekoo Lee王卉
- 关键词：电子封装可靠性
- 红外发光显微镜EMMI及其在集成电路失效分析中的应用
- 随着超大规模集成电路(VLSI)的发展，半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小，已经进入了深亚微米时代。近几年新发展起来的红外发光显微技术(Emission Microscopy，EMMI)利用了IC器件中大多数缺陷都呈现...
- 张滨海方培源王家楫
- 关键词：超大规模集成电路
- 文献传递
- Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
- 2008年
- 研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。
- 陈扬文江素华邵丙铣戎瑞芬汪荣昌顾志光王家楫
- 关键词：SI纳米线磁控溅射退火
- IC卡中薄芯片碎裂失效机理的研究被引量：10
- 2004年
- 薄/超薄芯片的碎裂占据IC卡早期失效的一半以上,其失效模式、失效机理亟待深入研究。本文分析了芯片碎裂的失效模式和机理,并结合实际IC卡制造工艺以及IC卡失效分析实例,就硅片减薄、划片、顶针及卡片成型工艺对薄IC芯片碎裂的影响进行深入探讨。
- 倪锦峰王家楫
- 关键词：IC卡划片顶针
- 镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究被引量：3
- 2010年
- 由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装。但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等。表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案。然而,Cu线表面的Pd层很可能会参与到键合界面形成的行为中,带来新的问题,影响到Cu线键合的强度和可靠性。对镀Pd Cu线键合工艺中Pd的行为进行了系统的研究,使用了SEM,EDS等分析手段对Cu线、烧结Cu球(FAB)、键合界面等处Pd的分布状况进行了检测,结果证明Pd的空间分布随着键合工艺的进行发生了很大的变化,同时还对产生Pd分布变化的原因进行了分析和讨论。
- 张滨海钱开友王德峻从羽奇赵健范象泉王家楫
- 关键词：封装金属间化合物
- 硅片工艺缺陷复检和自动分类系统被引量：1
- 2002年
- 随着半导体技术的不断发展 ,在硅芯片制造过程中应用行之有效的缺陷检测、分类和管理技术 ,以提高成品率、降低生产成本将变得越来越重要 ,其中最为关键的任务即是能够尽可能早地鉴别缺陷类型及其可能的成因。配以LEICAADCNT系统的LEICAINS30 0 0缺陷复检和自动分类系统能根据建立的数据库对硅片上的缺陷进行自动复检、分类和统计。帮助工程师们从缺陷类别的角度来实施缺陷管理 ,加速了诊断工艺问题的进程 ,从而达到提升成品率、降低成本的目的。
- 倪锦峰王家楫
- 关键词：自动分类系统ADC成品率半导体
- 铜线键合的抗氧化技术研究被引量：2
- 2011年
- 在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。
- 范象泉王德峻从羽奇张滨海王家楫
- 关键词：引线键合铜线镀钯保护气体
- 重掺砷硅单晶中痕量硼的二次离子质谱定量分析被引量：5
- 2003年
- 重掺砷硅单晶中杂质硼含量的控制是十分关键的,因无法用常规的红外光谱法测试,于是转而使用二次离子质谱法来测试.虽然二次离子发射机理复杂,基体效应明显,但通过相对灵敏度因子法,还是能够比较精确地给出定量测试结果,解决重掺砷硅单晶中硼杂质的定量检测问题,进而为控制硼含量提供了依据和帮助.
- 王铮曹永明方培源王家楫
- 关键词：二次离子质谱硼硅材料
- 深亚微米ULSI硅片材料
- 2001年
- 硅材料是应用最广泛的集成电路的关键基础材料,由于半导师体器件不断向高集成度、高性能、低成本与系统化方向发展,特别是随着硅集成电路进入亚微术和深亚微米时代,对硅材料性能更是提出了越来越高的要求,本文将对硅单晶片和硅外延片材料的新进展,包括材料特性、表征方法、生长技术及其发展动态作概略性的综述。
- 王家楫曹永明王铮
- 关键词：深亚微米ULSI集成电路
- 板级跌落试验下BGA焊球的疲劳裂纹行为研究被引量：8
- 2008年
- BGA焊球内部裂纹的生长是跌落可靠性试验中焊球失效的根本原因。比较和研究了无铅及有铅焊球在板级跌落试验下疲劳裂纹的行为。通过跌落试验获得了BGA焊球在不同加速度水平下的平均寿命,接着在同一加速度水平下跌落不同次数,使用荧光染色法观察焊球内部裂纹的生成和扩展行为,得到无铅及有铅BGA焊球内部裂纹随跌落次数增加的不同生长规律。根据观察结果分析和讨论了跌落试验下裂纹随跌落次数增加时的扩展行为及其原理,进一步阐明了BGA焊球的失效原因和失效机制。
- 樊平跃祁波王家楫
- 关键词：可靠性
