汪小知
- 作品数：53 被引量：75H指数：7
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- 相关领域：理学医药卫生化学工程轻工技术与工程更多>>
- 一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器
- 本发明公开了一种双层半导体结构的光电导型深紫外单色光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、窄带隙氮化硼薄膜和宽带隙氮化硼薄膜，绝缘衬底上表面覆盖有窄带隙氮化硼薄膜，窄带隙氮化硼薄膜上表面覆盖有宽带隙氮化硼薄膜；窄...
- 叶思远李宇波华飞陈书豪汪小知杨杭生
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- 一种柔性电极及其制备方法
- 本发明公开了一种柔性电极，包括导电基底层和活性材料，所述的导电基底层上均布有凹陷结构，所述的凹陷结构的面积占导电基底层总面积的20～90％，凹陷结构的深度为1～500μm，单个凹陷结构的面积为1μm<Sup>2</Sup...
- 吴永志汪小知傅杰聂赞相沃华蕾徐天白
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- 一种基于复合结构介质层的电容式柔性三维力触觉传感器
- 本发明公开了一种基于复合结构介质层的电容式柔性三维力触觉传感器，包括：下柔性衬底、下电容极板、复合结构介质层、绝缘隔离层、上电容极板、上柔性衬底、表面凸起层。上、下电容极板均为2×2排列的四块长方形结构，且上、下电容极板...
- 沃华蕾汪小知黄淑毅曾翔宇叶启开李威李梦露
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- 基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器
- 本发明公开了一种基于上下非对称栅状电极的光电导型光电探测器。包括由下至上依次叠置而成的绝缘衬底、Ti金属电极、氮化硼薄膜和两个栅状电极，绝缘衬底上表面覆盖有氮化硼薄膜和Ti金属电极，Ti金属电极整体包裹于氮化硼薄膜内，两...
- 李宇波周虹阳华飞楼正杰汪小知杨杭生
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- 一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法
- 本发明公开了一种六方氮化硼薄膜制备时的带隙调控方法。在制备六方氮化硼薄膜过程中，通过控制六方氮化硼薄膜局域模态控制六方氮化硼薄膜带隙，局域模态包括局域c轴朝向、局域c面面积和局域c向层数，通过增大局域c轴与衬底平面夹角减...
- 叶思远李宇波华飞邝昊泽汪小知杨杭生
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- 一种新型SOI结构及其制作工艺
- 本发明公开了一种新型SOI结构及其制作工艺。本发明包括由上至下依次排列的顶层硅、绝缘层、背衬底，其特征在于，绝缘层主要由二氧化硅层和氮化硼层双层复合结构组成，顶层硅包括第一硅片层，背衬底主要由溅射的硅层和第二硅片层热键合...
- 张亮汪小知吴永志骆季奎杨杭生曾翔宇沃华雷李威李梦露
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- 一种在化妆品中激发金属活性离子的方法
- 本发明公开了一种在化妆品中激发金属活性离子的方法，包括如下步骤：(1)预先制备金属离子源和化妆品激活液体；(2)在化妆品使用过程中，将上述步骤制备的离子源和化妆品激活液体充分接触，在酸性溶液体系中发生降解反应，生成金属活...
- 吴永志汪小知傅杰刘芮沃华蕾李梦露
- 基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构
- 本发明公开了基于场效应的上下非对称光电导型光电检测器结构。绝缘层衬底上表面依次涂覆有绝缘层和氮化硼半导体层，绝缘层内部包裹有位于绝缘层衬底上表面的金属电极，氮化硼半导体层上表面两侧分别设有正栅电极和负栅电极。光信号通过两...
- 李宇波陈杨华飞王幜汪小知杨杭生
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- 中药材中二氧化硫残留量测定方法比较被引量：10
- 2015年
- 目的通过3种不同方法对中药材中二氧化硫残留量进行测定,比较分析3种检测方法的有效性及差异。方法采用蒸馏滴定法、酸碱滴定法以及FAIMS技术测定中药材中二氧化硫残留量,并进行统计学分析。结果对3种方法分别进行了方法学验证,其重复性和回收率均能达到检测要求。经统计分析,3种方法测得的结果之间有较高的相关性,均有统计学意义。FAIMS技术测得结果较高,分析可能与其碱液提取方法有关。结论 3种方法均可作为硫熏中药材及饮片二氧化硫残留量测定的有效方法。
- 陆钫孙鹏飞马硕汪小知吴越
- 关键词：酸碱滴定法中药材二氧化硫残留量
- 高场非对称波形离子迁移谱(FAIMS)技术快速检测中药材中二氧化硫被引量：7
- 2014年
- 目的：建立硫熏中药材中二氧化硫残留的快速检测方法。方法：利用亚硫酸盐与硫酸反应产生二氧化硫的原理,采用高场非对称波形离子迁移谱（FAIMS）技术快速检测中药中二氧化硫残留;并用GC-MS法和中国药典附录方法分别进行定性和定量验证。结果：FAIMS法可对中药中二氧化硫进行快速定性并定量。二氧化硫的线性范围为3.0-150 mg·kg-1（r=0.9982）,检出限为3 mg·kg-1,回收率在77.1%-88.7%范围内,RSD为0.5%-4.9%（n=6）。结论：该法测定结果与药典法对比无显著性差异,方法学验证结果表明适用于中药材二氧化硫残留量的快速定性和定量筛选测定。
- 汪小知李娟赵伟军李灵峰李鑫李鹏吴越王玉
- 关键词：二氧化硫
