汪光裕
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaAs材料中EPR“As_(Ga)”缺陷的本性
- 1989年
- 本文根据EPR基本理论和量子化学的一些计算结果,并对照中子辐照GaAs样品中EPR“As_(Ga)”谱线形状随退火温度变化的实验结果,认为为了揭示EPR“As_(Ga)”缺陷本性必须考虑包括As_(Ga)周围多层配位原子在内的基体磁性核对于未成对电子的超精细(hf)相互作用。更进一步,本文还讨论了空位对EPR“As_(Ga)”谱线宽度和一级hf常数等影响,从而首次明确指出GaAs中EPR“As_(Ga)”可鉴别为As_(Ga)及其有关空位络合物。
- 汪光裕冯平义邹元爔曾繁安
- 关键词：GAASASGAEPR
- 砷化镓材料中EPR“As_(Ga)”的退火行为
- 1990年
- 本文比较了中子辐照。压缩变形和原生LEC砷化镓等三种不同来源样品的EPR“As_(Ga)”的Hamiltonian参数。并系统地研究了EPR“As_(Ga)”的浓度和低温光猝灭行为随退火温度的变化,从而进一步验证了EPR“As_(Ga)”的本性,即除孤立As_(Ga)反位原子外,还可能包括As_(Ga)的一些空位络合物。这些不同本性的EPR“As_(Ga)”缺陷及其它有关的缺陷在样品热处理过程中可能相互转化。按照物理化学中Le Chatlier原理,缺陷的原始浓度和晶体内部应变能似应是引起这些转化反应的重要因素。
- 汪光裕邹元燨S.BenakkiE.ChristoffelA.GoltzeneB.MeyerC.Schwab
- 关键词：砷化镓电子顺磁共振退火点缺陷
- 三氯氢硅歧化的研究被引量：2
- 1992年
- 目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文报导实验室条件下进行SiHCl_3岐化研究的若干结果。
- 莫金玑管丽民汪光裕
- 关键词：三氯氢硅歧化反应
- 半导体材料中深能级缺陷本性探索——EL2缺陷的邹氏模型
- 1993年
- 深能级及 EL2缺陷研究现状半导体材料中的深能级是由晶体内部的强局域不完整性所引起。在化合物半导体中,人们对于晶体中的本征点缺陷(如空位、反位、间隙原子及其络合物)引起的深能级非常重视,因为它们在晶体生长过程中容易生成,并且能直接影响材料的电学性质(如载流子浓度、补偿度、迁移率和寿命)和光学性质(如发光或吸收)等。因此,研究它们的本性、产生条件以及相互转化的规律,具有十分重要的现实意义。人们在砷化镓(GaAs)材料生产和研究过程中,发现不同方法生长的材料中几乎都存在着一个深施主能级。它具有从未见于其他缺陷的许多异常性质,且对大规模集成电路等器件性能起着决定性的影响。由于它的普遍性、异常性和实用性。
- 汪光裕
- 关键词：深能级点缺陷半导体材料
- 用物理化学方法鉴别砷化镓中最主要深能级EL2的本性被引量：2
- 1988年
- 本文应用半导体物理化学方法(借助某些物理测试手段)研究GaAs材料中最主要深施主能级EL2映陷的形成及其转化的一些规律。首先归纳了鉴别EL2本性的三个重要依据(化学计量比、与位错关系和低温光猝灭行为),然后着重阐述三元络合物A_(SGa)V_(As)V_(Ga)作为EL2缺陷构型的形成反应、应变模型形成机理和亚稳态机理,并利用该模型来解释EL2的主要物理和化学性质,对文献报道的EL2其它可能构型如As_(Ga)、As_(Ga)Asi、As_(Ga)V_(As)、As_(Ga)V_(Ga)、(Asi)_4、(As_(Ga))_n、V_(Ga)V_(As)和As_(Ga)V_(Ga)V_(As)等作了评述。最后还讨论了EL2与GaAs中其它深能级的关系,其中包括EL2族现象。
- 邹元爔汪光裕莫培根
- 关键词：能级深能级缺陷EL2物理化学方法砷化物砷化镓三元络合物
- 砷化镓材料中EL2缺陷的“邹氏模型”——纪念邹元爔先生逝世三周年
- 1990年
- 本文介绍邹元爔先生及其学生们应用物理化学方法在鉴别砷化镓中最主要深能级EL2缺陷本性方面的主要学术思想和研究成果,企图说明这种研究方法可弥补单纯应用物理方法的一些不足,并以此纪念邹先生对半导体物理化学学科方面的开拓性贡献.
- 汪光裕
- 关键词：砷化镓半导体
