汤玉生
- 作品数：32 被引量：34H指数：5
- 供职机构：上海交通大学微电子学院微电子技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 超导场效应器件的统一小信号传输线模型被引量：2
- 1996年
- 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。
- 蒋建飞蔡琪玉汤玉生周正利
- 一种亚微米垂直硅墙的刻蚀方法
- 1989年
- 亚微米垂直硅墙的制备是垂直硅薄膜耦合约瑟夫逊结的关键工艺.本文作者在普通光刻设备基础上,开发了一种在〈100〉硅片上制备亚微米硅墙的刻蚀方法:首先用普通光刻手段刻出较宽的墙区;其次,对非墙区进行迭加注入掺杂;第三,杂质高温横向扩散,第四,掺杂选择性刻蚀;第五,高温氧化减薄.实验结果表明,这种方法可以获得墙宽为0.29μm,墙高为1μm左右的硅墙,而且还有一定的改进潜力.
- 汤玉生蒋建飞
- 关键词：亚微米刻蚀选择性
- 神经MOS晶体管被引量：11
- 2000年
- 神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件。本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状。
- 管慧汤玉生
- 关键词：神经MOS晶体管MOS器件
- 增强IC单元器件功能是微电子技术横向拓展的重要策略
- 2002年
- 汤玉生管慧等
- 关键词：IC微电子技术芯片
- 超导磁通流晶体管的研究进展
- 1995年
- 对超导磁通流晶体管的结构、原理、特性及与高Ｔｃ材料的适应性和应用状况作了简要的评述。
- 汤玉生蔡琪玉蒋建飞
- 关键词：晶体管
- 硅微加速度计多孔方板阻尼特性的数值分析
- 1999年
- 本文根据电容式微加速度计阻尼特性数学模型，完成了实践中常用的多孔方板结构电容式微加速度计阻尼特性的数值分析．比较了多孔方板结构阻尼特性数值分析结果。讨论了多孔方板结构参数对阻尼特性的影响，分析了多孔方板结构的“扰流”特性，并界定了具有物理一致性单元的结构参数范围．为多孔方板结构阻尼特性经验公式的提取作了准备，也为设计电容式微加速度计和优化其性能提供了帮助。
- 范灏成汤玉生
- 关键词：硅微加速度计阻尼特性
- MOS沟道和衬底电流的二维分布理论建模被引量：1
- 1999年
- 小尺寸ＭＯＳ器件参量具有很强的分布效应，需要二维模型描述．本文从ｙ截面流函数方程求解获得了ＭＯＳ器件中的沟道电流和衬底电流二维分布解析模型．模型是横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）的函数．二维分布模型载有较充分的物理过程，可以基本反映电流密度的实际分布．模型可应用于与电流路径相关的ＭＯＳ器件特性的研究；特别重要的应用领域是ＭＯＳ热载流子可靠性电子学中的栅电流分布建模．选用深亚微米ＭＯＳ器件的横向场Ｅｙ（ｙ）和纵向场Ｅｘ（ｙ）及ＩＤＳ模型，所建分布模型可应用于该尺寸区器件的沟道电流和衬底电流二维分布的描述．
- 汤玉生郝跃
- 关键词：热载流子MOS器件
- 电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器被引量：5
- 2002年
- 电阻耦合型神经 MOS晶体管是在电容耦合 (浮栅 )型神经 MOS晶体管基础上提出来的 ,它克服了电容耦合型神经 MOS晶体管中由于电容耦合而产生的缺点。文中介绍了电阻耦合型神经 MOS晶体管的基本结构和特点 。
- 王明宇汤玉生管慧
- 关键词：神经MOS晶体管场效应
- 微系统集成大面积智能化衬底技术研究
- 1999年
- 智能化衬底技术既是集成微系统的载体，也是微系统集成的手段。采用真空盒吸片技术开发了一种实用的智能化衬底技术工艺方法。真空盒吸片技术解决了芯片的初始定位（对准装片）及芯片位置和共平面性的保持，确保了可用 Ｉ Ｃ工艺完成芯片间的互联。并使工艺的加工面积不受限制，且可达圆片尺度。因此，该智能化衬底技术工艺方法具有很强的实用性和很好的可靠性。
- 汤玉生凌行戴庆元沈志广
- 关键词：微系统ICMIC
- 超导逻辑门RCJL的传输特性
- 1995年
- ＲＣＪＬ（电阻耦合约瑟夫逊逻辑）是电流注入控制型的典型超导逻辑门电路，本文用四阶龙格－库塔法（ＲｕｎｇｅＣｕｔｔａ）分析了ＲＣＪＬ的传输特性，并分别对门的边沿激励、阻尼作用及门间隔离电阻对传输性能的影响作了详细的分析讨论。
- 汤玉生余兴蒋建飞
- 关键词：逻辑电路传输特性
