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汤小燕

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇样片
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇图形化
  • 4篇退火
  • 2篇氯气
  • 2篇SIC衬底
  • 2篇3C-SIC
  • 2篇衬底
  • 1篇射线
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅材料
  • 1篇碳膜
  • 1篇模拟仿真
  • 1篇硅材料
  • 1篇仿真
  • 1篇辐射探测器
  • 1篇Γ射线
  • 1篇CU膜

机构

  • 5篇西安电子科技...

作者

  • 5篇汤小燕
  • 5篇张玉明
  • 4篇赵艳黎
  • 4篇雷天民
  • 4篇张克基
  • 4篇郭辉
  • 1篇张义门
  • 1篇张林

传媒

  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Ni膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法，主要解决现有技术制备的石墨烯需要先光刻图形化后才可制成晶体管，且过程复杂，生产率低的问题。其实现步骤是：先对SiC样片进行清洗；再在SiC样片表面淀积一层S...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
文献传递
基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于Cu膜退火的SiC衬底图形化石墨烯制备方法。其实现步骤是：(1)对SiC样片进行标准清洗；(2)在SiC样片表面淀积SiO<Sub>2</Sub>，并在SiO<Sub>2</Sub>上光刻出图形；(3...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
文献传递
基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制作的石墨烯作为晶体管沟道材料进行光刻工艺时会引起损伤，导致电子迁移率下降的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底上生长碳化层作...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
SiC肖特基辐射探测器γ射线探测模拟研究
通过模拟仿真软件对基于4H-SiC的肖特基辐射探测器做了模拟研究和分析。在使用ISE软件模拟4H-SiC肖特基探测器在不同偏压和不同的γ射线的剂量率下器件的响应，模拟中得到了在10-3rad/s到300rad/s时，器件...
张蓬张义门张玉明汤小燕张林
关键词：碳化硅材料辐射探测器Γ射线模拟仿真
基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法
本发明公开了一种基于3C-SiC与氯气反应的Ni膜退火图形化石墨烯制备方法，主要解决用现有技术制作的石墨烯作为晶体管沟道材料进行光刻工艺时会引起损伤，导致电子迁移率下降的问题。其实现步骤是：(1)在Si衬底上生长碳化层作...
郭辉赵艳黎张玉明汤小燕雷天民张克基
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