江德仪
- 作品数：10 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术机械工程更多>>
- 有极放电辅助电子回旋波电流以启动实验
- 一种新的电子加旋波电流启动方法；发生在一对电极间的放电电流在强的环向磁场和弱的垂直场所形成的磁场位形中放大成环向等离子体电流。这一方法在CT-6B托卡马克上得到验证，实验结果和提出的模型一致。
- 郑少白杨宣宗蒋地明姚鑫兹冯春华江德仪房同珍王龙
- 关键词：电子回旋波电流启动放电电流磁场等离子体电流
- 电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响被引量：5
- 1999年
- 为了解并优化在电子回旋共振等离子体辅助化学汽相沉积ＧａＮ晶膜的工艺研究中的等离子体特性，利用朗缪尔探针及法拉第筒系统地测量了离子密度（Ｎｉ）、等离子体势（Ｖｐ）、电子温度（Ｔｅ）及离子流强（Ｊｉ）等多个等离子体参量随微波功率（Ｐｗ）及沉膜室气压（ｐ）变化的关系．给出了在Ｐｗ＝８５０Ｗ，ｐ＝０２２Ｐａ时，上述等离子体参量的轴向及径向分布．ＧａＮ晶膜的生长速率、电学及晶体学性能与生长条件密切相关．提高生长时的离子密度能提高ＧａＮ晶膜的氮镓比和本底电子浓度．在优化的等离子体环境下，ＧａＮ晶膜的生长速率达到０９μｍ／ｈ，其双晶Ｘ射线衍射回摆曲线的半高宽度为１６′
- 杜小龙陈广超江德仪姚鑫兹朱鹤孙
- 关键词：等离子体特性ECR薄膜生长氮化镓
- 用于大面积薄膜研究的微波等离子体装置
- 1995年
- 本文详细介绍了自行研制成功的电子回旋共振微波等离子体装置的结构、性能和技术指标。并应用高斯计、法拉第筒和朗缪探针对装置的磁场位形分布和等离子体的电流及密度进行了测量。
- 任育峰姚鑫兹杨思泽江德仪
- 关键词：微波等离子体ECR
- 在电子回旋共振等离子体中的非线性现象
- 1998年
- 文章介绍了在电子回旋共振等离子体中的两类非线性现象：混沌和鞘．观察到准周期和锁频以及等离子体的基频振荡突变到四次谐波的现象，分析了锁频窗内的周期２分叉，测量了等离子体鞘，研究了二次电子发射对鞘的影响．
- 江德仪姚鑫兹
- 关键词：非线性等离子体混沌电子回旋共振
- 一种简易的电-机械式光学快门
- 1991年
- 本文提出一种基于瞬时通电使金属导线热致伸长的电一机械式光学快门。简要地叙述了它的工作原理、结构及其应用。
- 叶茂福江德仪
- 关键词：摄影机快门
- 高重复性脉冲电磁气阀(FMGV-2)被引量：4
- 1990年
- 本文描述的背压式脉冲电磁气阀,背压气室和工作气体的气库是互相隔开的,气库气压P_N、背压气压P_b 和充电电压V_(?)三个参数能独立变化,充气量从5×10^(-4)Pam^3到0.5Pam^(?)连续可调。阀的开启时间为20～800μs。实验中未观察到阀多次开闭现象,阀的打开时间和充气量重复性很好,其最大相对误差不超过2%。理论分析很好地描述了阀的动力学过程。理论计算和实验结果符合得很好。
- 吴成江德仪杨思泽沈志刚
- 关键词：气阀
- 脉冲送气等离子体枪的实验被引量：5
- 1989年
- 用双探针和光谱方法测量了脉冲送气同轴等离子体枪产生的高速等离子体的性质。同轴枪的储能电容器的充电电压1.5—4.0kV,等离子体的电子温度为10—20eV,定向能量为40—310eV,等离子体密度为5×10^(13)—7×10^(14)cm^(-3)。
- 吴成江德仪袁定朴杨思泽沈志刚李椿萱
- 关键词：等离子体枪
- FMGV-1型快速电磁阀被引量：1
- 1989年
- 本文描述的快速电磁阀,采用了背压和橡皮弹力关闭阀门,储能电容器通过紧靠可动阀体圆盘的驱动线圈临界阻尼放电打开阀门。阀门启动时间为100～200μs,打开时间为200～800μs。进气量可在大范围内连续可调。当背压和气库气压分别为P_b=P_N=1×10~5Pa时,实验重复五十次,进气量的均方误差不大于3%。
- 吴成沈志刚李大万江德仪杨思泽
- 关键词：储能电容器背压弹簧式进气量驱动线圈临界阻尼
- 在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文)
- 1999年
- 本文使用电子回旋共振等离子体增强化学沉积方法生长ＧａＮ。利用气体分配器产生一种局域高反应物浓度环境，在此环境下，测量了等离子体的电子温度Ｔｅ，等离子体密度ｎｉ以及饱和离子流密度Ｊｉ与微波功率，气体压力的关系。根据这些参数，优选了沉积条件，得到了纯净的纤锌矿结构的ＧａＮ薄膜，并具有很好的光学特性。ＡＥＳ和ＸＰＳ的实验表明薄膜中的氮空位及伴生镓被抑制。根据膜厚值，计算出的沉积速度为１μｍ／ｈｒ，比通常的速度大一个数量级。
- 陈广超杜小龙姚鑫兹江德仪
- 关键词：电子回旋共振氮化镓ECR
- 在电子回旋共振等离子体中栅极引出束的等离子体特征
- 姚鑫兹江德仪
- 关键词：刻蚀技术超大规模集成电路
