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江子荣

作品数:7 被引量:8H指数:2
供职机构:河北大学更多>>
发文基金:河北省自然科学基金更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电池
  • 2篇太阳电池
  • 2篇纳米硅
  • 2篇光学
  • 2篇光学特性
  • 2篇NC-SI
  • 2篇RF-PEC...
  • 1篇电特性
  • 1篇射频功率
  • 1篇碳化硅
  • 1篇微结构
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米硅薄膜
  • 1篇纳米晶
  • 1篇纳米晶粒
  • 1篇结构特性
  • 1篇结构特征
  • 1篇晶粒
  • 1篇光电
  • 1篇光电特性

机构

  • 7篇河北大学

作者

  • 7篇江子荣
  • 6篇马蕾
  • 4篇娄建忠
  • 4篇彭英才
  • 4篇王峰
  • 2篇张志刚
  • 2篇李钗
  • 1篇师建英
  • 1篇陈乙豪
  • 1篇闫小兵
  • 1篇刘素平
  • 1篇蒋冰
  • 1篇张二鹏
  • 1篇郭延岭

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇河北大学学报...
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
掺杂纳米硅薄膜的制备及其光电学特性
本文利用射频等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法,以SiH4和H2作为反应气体源,用H2稀释的PH3和B2H6作为掺杂剂,通过改变掺杂浓度、衬底温度、SiH4浓度等工艺参数,在玻璃衬底上低温制备了N型掺磷氢化纳米硅...
江子荣
关键词:纳米硅薄膜光伏特性
文献传递
高效率量子点中间带太阳电池的构建与实现
2012年
中间带太阳电池是为了充分利用太阳光谱中的红外光子能量而提出的一种高效率新概念太阳电池。介绍了中间带太阳电池的能量上转换原理、量子点中间带的物理优势、量子点中间带太阳电池的结构组态和理论转换效率。评述了它的近期研究进展,并提出了发展这种新概念太阳电池的若干技术对策,其中包括补偿量子点的积累应变、优化量子点的生长参数和选择新的量子点结构。最后指出,由于应变的补偿,有序量子点层的形成以及新量子点结构的采用使太阳电池的光伏性能得以有效改善。可以预期,具有高转换效率的量子点中间带太阳电池的构建与实现将会对未来的光伏技术与产业带来革命性的影响。
彭英才王峰江子荣马蕾蒋冰陈乙豪
nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性被引量:1
2012年
利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6~7.0nm和晶化率为45%~48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.
娄建忠李钗马蕾王峰江子荣
关键词:RF-PECVDNC-SI微结构光学特性
纳米结构太阳电池的研究与展望被引量:5
2011年
纳米结构太阳电池在未来第三代太阳电池中具有潜在应用价值。首先,介绍了各种纳米结构光伏材料的优异物理特性。然后,着重评述了不同纳米结构太阳电池近年的研究进展。这些太阳电池包括具有带隙可调谐特性的量子阱太阳电池、具有良好光吸收特性的纳米薄膜太阳电池、具有低反射率特性的纳米线太阳电池和基于多基子产生效应的量子点太阳电池。最后,提出了发展纳米结构太阳电池的若干技术对策,包括合理选择适宜纳米结构的材料、制备高质量的纳米光伏材料、优化设计太阳电池的组态结构以及揭示与阐明太阳电池中光生载流子的输运机制。
彭英才江子荣王峰马蕾娄建忠
关键词:光伏材料太阳电池
纳米晶硅/碳化硅异质结构的制备与光电特性研究
马蕾刘素平师建英彭英才张志刚江子荣
以多层Si量子点的制备以及其光电特性作为研究对象,取得了以下创新性成果:1)利用限制性晶化原理,通过对具有不同α-Si:H膜层厚度的α-Si:H/α-SiC:H多层膜进行常压高温退火,制备出了晶粒尺寸在2-10nm的nc...
关键词:
关键词:纳米晶粒光电特性
射频功率对RF-PECVD法制备纳米硅薄膜结构特征和光学特性的影响
2012年
利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在石英衬底上制备了氢化纳米硅(nc-Si∶H)薄膜。其中衬底温度为250℃,H2稀释比为99%,反应压强为133Pa和射频功率为20~60W。采用α-台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FT-IR)和紫外-可见光分光光度计等对薄膜的结构特征和光学特性进行了测试研究。结果表明,随着射频功率的增大,nc-Si∶H薄膜的沉积速率增加,晶化率提高,晶粒尺寸增大和氢含量减小,同时薄膜的吸收系数增强,光学带隙变窄,结构有序性增强和带尾态宽度减小。
娄建忠李钗张二鹏马蕾江子荣王峰闫小兵
关键词:RF-PECVD结构特征光学特性
石英衬底上大晶粒多晶Si薄膜的制备与结构表征被引量:2
2011年
利用高频感应加热化学气相沉积工艺,以H2稀释的SiH4作为反应气体源,在未抛光的粗糙石英衬底上直接沉积制备了具有均匀分布的大晶粒多晶Si膜。采用扫描电子显微镜、X射线衍射和可见-紫外分光光度计等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸、择优取向与光反射等特性。结果表明,多晶Si膜中Si晶粒的尺寸大小和密度分布不仅与工艺参数有关,而且强烈依赖于衬底的表面状况。1000℃下沉积薄膜的平均晶粒尺寸为~3μm,择优取向为<111>晶向。反射谱测量表明,920℃下制备薄膜的反射率比1000℃下制备的更低,最低值达18.4%,这应归功于前者具有更大的表面粗糙度。
马蕾郭延岭张志刚江子荣娄建忠彭英才
关键词:结构特性
共1页<1>
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