段猛
- 作品数：6 被引量：39H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- GaN基蓝色LED的研究进展被引量：15
- 2003年
- 介绍了GaN材料的基本特性、GaN材料适于做蓝光LED的优势以及具有典型代表意义的GaN基LED器件,讨论了该领域国际最新研究出的蓝光LED和工作原理;从其发展进程中不难看出,改变器件结构、提高材料质量或采用新型材料使GaN基蓝光LED的光谱质量和量子效率有了本质提高.同时就制备过程中的关键工艺技术(包括p型掺杂、退火温度、欧姆接触等)及国内外研究进展进行了探讨,对GaN基LED的发展方向及应用前景提出了展望.
- 段猛郝跃
- 关键词：GAN蓝光LED氮化镓
- SiC/AlN上外延GaN薄膜的黄带发光与晶体缺陷的关系被引量：18
- 2003年
- 利用室温光致发光 (PL)技术研究了在 6H SiC (0 0 0 1)上用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)外延生长的GaN薄膜“黄带”发光 (YL)特点 ,与扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射 (XRD)技术得到的GaN薄膜的表面形貌质量和内部结晶质量的结果相对照 ,表明“YL”发光强度与GaN薄膜的扩展缺陷多少直接相对应 通过二次离子质谱 (SIMS)技术获取的GaN薄膜中Ga元素深度分布揭示出镓空位 (VGa)最可能是“YL”发光的微观来源 分析认为 ,虽然宏观扩展缺陷 (丝状缺陷、螺形位错等 )和微观点缺陷VGa及其与杂质的络合物 (complexes)都表现出与“YL”发射密切相关 ,但VGa及其与杂质的络合物更可能是“YL”发射的根本微观来源 室温下获得的样品“YL”发射强度和光谱精细结构可用于分析GaN薄膜缺陷和晶体质量 .
- 范隆郝跃冯倩段猛
- 关键词：晶体缺陷
- 碳化硅衬底上氮化镓薄膜材料及其发光器件特性研究
- 该文首先讨论了GaN材料基本性质,探讨分析了利用MOCVD设备在SiC衬底001晶向生长GaN单晶薄膜材料的工艺方法与控制条件.其次对薄膜材料表征技术如表面形貌分析、晶体结构分析、材料元素分析、光学性能分析等技术进行了研...
- 段猛
- 关键词：碳化硅晶体结构半导体材料GAN器件
- 文献传递
- SiC衬底上异质外延GaN薄膜XPS谱和PL谱研究被引量：6
- 2003年
- 利用X射线光电子能谱 ,对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的未故意掺杂的GaN进行N、Ga组份测试 ,同时用光致发光技术对样品进行发光特性的研究 结果表明 ,随着GaN薄膜中Ga百分含量逐渐减小 ,室温下黄光输出峰值强度却逐渐增加 因此 ,在Ga含量相对低的GaN薄膜中容易形成Ga空位 (即Ga空位浓度较高 ) ,而此时 ,黄光辐射强度单调递增证明 。
- 冯倩段猛郝跃
- 关键词：碳化硅衬底X射线光电子能谱光电子器件
- SiC衬底上异质外延GaN薄膜XRD和Raman散射光谱的研究
- 近年来,Ⅲ-V族氮化物宽禁带半导体由于在科学研究和实际应用方面的重要意义受到了很大的重视,成为当前半导体科学技术领域国际性的研究热点。本文通过X射线衍射和喇曼光谱散射对在SiC衬底上制备的GaN薄膜特性进行研究发现:E模...
- 冯倩段猛郝跃
- 文献传递
- SiC衬底上异质外延GaN薄膜结构缺陷对黄光辐射的影响被引量：5
- 2003年
- 利用光致发光技术对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延未故意掺杂的GaN进行发光特性的研究 ,发现在室温下有很强的黄光输出 ,同时 ,采用扫描电子显微术和X光衍射对样品的表面形貌和结构进行了研究 ,结果发现 ,随着缺陷密度的减少 ,黄光输出强度也有所降低 ,因此 。
- 冯倩段猛郝跃
- 关键词：GAN光致发光扫描电子显微术
