樊文浩
- 作品数：19 被引量：27H指数：3
- 供职机构：太原理工大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目山西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学金属学及工艺电子电信更多>>
- 梯度金属陶瓷(TiC)_pNi与Ti燃烧扩散连接界面组织及力学性能被引量：3
- 2013年
- 采用MA-FAPAS工艺,借助中间层TiAl的燃烧反应放热,原位合成了梯度金属陶瓷(TiC)pNi和金属间化合物TiAl,并同步完成了(TiC)pNi/TiAl/Ti的扩散连接,研究了在外加温度场、电场和应力场耦合作用下连接结构的形成机制。利用FE-SEM、TEM和XRD等手段对各层及连接界面的微观结构和相组成,以及电场作用下各连接界面元素扩散特征进行分析;采用显微硬度压痕法对连接界面的韧性进行分析;采用剪切法、冷淬法和有限元法对界面结合强度和残余应力分布进行分析计算。结果表明,各燃烧层均发生充分反应并形成了良好的冶金结合,连接界面处存在强烈的元素交互扩散;连接界面具有较强的抗剥离和抗剪切强度,(TiC)PNi/TiAl界面为接头的薄弱环节。
- 陈少平董凤孟庆森樊文浩
- 关键词：梯度材料原位合成金属陶瓷力学性能
- 一种具有交互穿插界面结构的有机电致发光器件被引量：1
- 2009年
- 报道了一种具有交互穿插界面结构的有机电致发光器件(OELD:organic electroluminescentdevices),器件以双层结构ITO/NPB/Alq3/Al为基础,通过改变NPB与Alq3、Alq3与Al的界面接触形状,在这两个界面处构造了交互穿插层,从而改变了界面处的电荷分布和有机层中的电场分布,提高了阴极电子注入,平衡了空穴和电子在界面处的数量,增加了激子的形成和复合概率,减小了漏电流。与传统双层结构器件相比,交互穿插界面结构有效地降低了启亮电压,提高了发光效率,而且随着凸凹穿插数量的增加,呈现启亮电压降低,发光效率提高的趋势,同时随着电流密度的增加,交互穿插界面结构器件表现出更稳定的光电性能。利用三缝模板制备的器件e,启亮电压为3V,在电流密度为54mA.cm-2下,流明效率达到最大值,较传统结构器件a提高34%。
- 张志强郝玉英孟维欣樊文浩王华许并社
- 关键词：驱动电压发光效率
- 取代基对8-羟基喹啉锂电子光谱影响的理论研究被引量：2
- 2007年
- 运用密度泛函(DFT/B3LYP)方法对4种取代基(—NO2、—CN、—OH、—CH3)在8-羟基喹啉锂(Liq)五位上取代所形成的4种衍生物进行结构优化,并在此基础上应用含时密度泛函(TD-DFT)方法和单激发组态相互作用(CIS)分析了取代基对Liq前线分子轨道和电子光谱的影响。分析结果表明,不同性质的取代基对最高占据轨道(HOMO)电子云分布的影响趋势一致,而对最低空轨道(LUMO)电子云分布影响趋势不同。吸电子基使前线分子轨道能级降低,带隙增大,光谱蓝移。推电子基使前线分子轨道能级升高,带隙减小,电子光谱红移。推吸电子能力强的取代基对前线分子轨道和电子光谱的影响程度较大。
- 樊文浩郝玉英房晓红许并社曾凡桂
- 关键词：取代基电子光谱前线分子轨道CISTD-DFT
- 一种新型的橙红光发射材料聚8-羟基喹啉镓的合成与光谱特性
- 2009年
- 合成了高分子金属配合物聚8-羟基喹啉镓(Gaqq3)n。利用红外吸收光谱、X射线衍射谱(XRD)研究了配合物的分子结构、物相结构;利用热重(TG)分析研究了配合物的热稳定性;利用紫外吸收光谱、荧光激发和发射光谱研究了该配合物的光物理性能。结果表明:(Gaqq3)n的热分解温度为443.6℃,具有较高的热稳定性。(Gaqq3)n的紫外吸收带位于250～500nm,存在较强的带尾吸收,表明禁带中存在带隙缺陷态。(Gaqq3)n的荧光激发带位于380～456nm,荧光发射峰位于568nm,为橙红光发射。光学带隙2.49eV。与Gaq3相比,荧光强度有所减弱,这是由于次甲基相连的两个喹啉环的扭曲导致了(Gaqq3)n的刚性和共平面性不好;由于分子共轭体系的增大,使(Gaqq3)n分子的π电子更加离域化,导致了荧光发射峰发生了红移。(Gaqq3)n有望在有机电致发光器件和有机光伏器件中得到应用。
- 郭海波郝玉英樊文浩张志强郭晓霞许并社
- 关键词：光谱特性
- 放电等离子工艺对P型碲化铋块体材料性能的影响
- 2020年
- 碲化铋(Bi2Te3)是常温下热电性能很好的一种热电材料,它具有很高的Seebeck系数、电导率和非常低的热导率,其块体材料的制备方式多种多样,不同制备方式产生的效果也不相同。以商用P型Bi2Te3区熔样品为原料,经过研磨过筛,利用放电等离子烧结工艺(SPS)制备P型Bi2Te3块体材料,研究SPS烧结工艺(烧结温度、烧结压力)对块体材料结构和热电性能的影响。结果表明:块体材料的相对密度随烧结压力的增大而增大,并且在压力达到20 MPa以后基本保持稳定,压力过大会导致择优取向,所以35 MPa为最佳烧结压力。材料的热电性能随着烧结温度的升高而增大,烧结温度大于723 K后,Te元素开始挥发,对热电性能产生了影响,热电性能优值ZT在773 K下达到最大,为1.19。
- 蒋岳峰窦银科陈燕樊文浩武文韬吴晋蒙
- 关键词：BI2TE3放电等离子烧结
- 电场作用下AZ31B/Cu扩散界面的结构及性能被引量：4
- 2015年
- 采用电场激活扩散连接技术(FADB)实现了AZ31B/Cu的扩散连接。利用SEM、EDS和TEM分析了扩散溶解层的显微组织、相组成和界面元素分布。采用万能试验机对连接界面的抗剪切性能进行了测试。结果表明:AZ31B与Cu通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,扩散温度低于475℃时扩散溶解层由MgCu2、Mg2Cu和MgCuAl组成,此时接头的薄弱环节为Mg2Cu。扩散温度为500℃时扩散溶解层由Mg2Cu、(α-Mg+Mg2Cu)共晶组织和MgCuAl组成,共晶组织的形成导致接头的抗剪强度进一步降低,并成为新的薄弱环节。当扩散温度为450℃,保温时间为30min时,界面的抗剪强度随保温时间的延长先增大后减小,最大可达40.23MPa。
- 董凤陈少平胡利方樊文浩孟庆森
- 关键词：电场
- 新型绿色磷光铱配合物的合成及其光物理性能研究被引量：3
- 2010年
- 合成并表征了以2-苯基吡啶为第一配体，水杨酸及其衍生物为第二配体，以铱为内核的新型配合物（ppy）2Ir（LX）（ppy=2-苯基吡啶，LX=水杨酸Sal、4甲基水杨酸MSal、4-三氟甲基水杨酸FSal）。对其分子结构、光物理性能及热稳定性进行了测试和分析。结果表明, 室温下在二氯甲烷溶液中（ppy）2Ir（LX）（LX= Sal, MSal, FSal）的吸收峰分别在270, 370, 450及484 nm附近，其中前2个吸收峰应归属于第一配体2-苯基吡啶的^1π—π^＊跃迁和水杨酸配体到2-苯基吡啶的电荷转移跃迁，在450及484 nm附近的吸收峰，应该归属于金属到配体的电荷转移（1MLCT和3MLCT）跃迁和配体^3π—π^＊跃迁的混合;其PL发射峰最大波长分别为520，522，510 nm;（ppy）2Ir（Sal）和（ppy）2Ir（MSal）的发射主要来源于三重态3MLCT的辐射跃迁，而（ppy）2Ir（FSal）的发射主要来源于水杨酸到2-苯基吡啶的电荷转移态的辐射跃迁，也有单重态^1MLCT和三重态3MLCT的辐射跃迁的贡献。其量子效率分别为0.37，0.33，0.29，热分解温度为306～328 ℃。（ppy）2Ir（LX）是一组热稳定性较好的高效有机磷光材料，可用于有机电致发光器件中。
- 郭晓霞郝玉英雷俊峰樊文浩王华许并社
- 关键词：水杨酸铱配合物磷光
- 电场激活Ti/Ni扩散偶连接界面相变规律与力学性能的研究被引量：2
- 2015年
- 本试验采用电场激活扩散连接技术（FADB）实现了Ti/Ni的扩散连接。研究了Ti/Ni两种材料发生界面扩散反应时新相的生成规律及其对连接强度的影响。利用扫描电子显微镜及能谱仪观察和分析了扩散层的显微组织、相组成和界面元素分布。采用万能试验机对扩散层的抗剪切性能进行了测试。研究结果表明,在电场作用下,Ti与Ni通过固相扩散形成了良好的冶金结合界面,界面处金属间化合物的生成次序依次为Ni3Ti、Ni Ti2、Ni Ti。当扩散温度≥750℃时,Ti表现出超塑性和良好的扩散性,促使扩散层中的Ni3Ti转变成富钛层,该富钛层的形成有利于接头强度的提高。界面的剪切强度随着电流的增大而增大,当电流为930~1200 A时,界面的剪切强度可达90.54 MPa。
- 董凤陈少平樊文浩胡利方孟庆森
- 关键词：电场激活相变剪切强度
- 8-羟基喹啉锂及其衍生物电子光谱性质的理论被引量：3
- 2007年
- 运用密度泛函(DFT/B3LYP)方法对三种吸电子基(—C6H5、—CN、—Cl)取代的8-羟基喹啉锂(Liq)所形成的18种衍生物进行对比,从中找出最稳定的三种衍生物,并在此基础上应用含时密度泛函(TD-DFT)方法和单激发组态相互作用(CIS)分析了取代基对Liq前线分子轨道和电子光谱的影响。结果表明:吸电子取代基主要影响所在环的前线分子轨道,其影响程度和取代基的吸电子能力有关;同时取代位置的不同和取代基的共轭效应会导致电子光谱的移动方向不同,取代基在苯酚环上时使Liq电子光谱蓝移,而在吡啶环上时使Liq电子光谱红移,取代基共轭效应大电子光谱红移。该计算结果与实验结果吻合。
- 樊文浩郝玉英房晓红许并社曾凡桂
- 关键词：电子光谱前线分子轨道含时密度泛函理论
- Mg_2Si基热电材料的稀土掺杂优化被引量：1
- 2011年
- 采用机械研磨-电场激活压力辅助合成(FAPAS)技术,快速合成了稀土Sc和Y掺杂的Mg2Si基热电材料,所得试样组织均匀、致密,试样的平均晶粒尺寸为1.5～2μm,微量稀土元素不改变基体材料的组织形貌。分析表明两种稀土元素均在不同程度改善热电性能,其中掺杂0.427%(摩尔分数)Sc和0.173%(摩尔分数)Y的试样的综合电功率因子在378和468K分别达到未掺杂试样的2.67和2.03倍;掺杂0.173%(摩尔分数)Y的试样的热导率相对于未掺杂降低了20%,其无量纲热电优质系数ZT相对于后者提高了1.30倍,ZTmax为0.23,明显高于未掺杂试样的0.18。
- 王丽七孟庆森陈瑞雪樊文浩
- 关键词：稀土MG_2SI热电材料
