桑丹丹
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：吉林大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法
- 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极...
- 李红东桑丹丹吕宪义
- ZnO纳米棒/金刚石复合结构的制备及电学性质研究
- 氧化锌(Zn0)和金刚石(diamond)是非常重要的宽带隙半导体材料,具有许多优异的物理和化学性质,近年来,两者的复合结构已在半导体异质结、生物电极和表面声学波器件等诸多领域被深入研究,并体现了重要的应用价值。 本论文...
- 桑丹丹
- 关键词：ZNO纳米棒CVD金刚石
- 文献传递
- 使用多种还原剂热蒸发制备氧化锌微/纳米结构的方法
- 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压...
- 李红东李冬妹桑丹丹吕航
- 文献传递
- 在金刚石薄膜上生长微米/纳米结构氧化锌被引量：1
- 2008年
- 金刚石是非常重要的宽禁带半导体材料,n-型氧化锌与p-型金刚石的结合成为半导体研究的热点。该研究实现了金刚石薄膜上生长六角纤锌矿结构氧化锌(ZnO)微米/纳米结构。生长初期或ZnO饱和蒸气压较低时,ZnO晶粒多沉积在金刚石薄膜的晶界和棱边处,随着沉积时间的增加或反应气氛中气态ZnO浓度的增加,会有大量微米/纳米结构的ZnO生成,并覆盖整个金刚石薄膜表面。对ZnO在金刚石薄膜表面生长机制及反应气氛对金刚石的钝化作用进行了分析。
- 吕航成绍恒桑丹丹李红东
- 关键词：金刚石薄膜半导体
- n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法
- 本发明的n型氧化锌/p型金刚石异质结隧道二极管及其制作方法属于半导体材料及其制备的技术领域。隧道二极管结构是n型氧化锌(2)是氧化锌纳米阵列结构竖直生长在p型金刚石(1)上；导电玻璃(3)与氧化锌纳米结构接触作为导电阴极...
- 李红东桑丹丹吕宪义
- 文献传递
- 金属还原剂热蒸发法合成ZnO微//纳米材料
- ZnO是一种直接带隙和高激子束缚能半导体材料,因此ZnO微//纳米材料在微电子学、磁学、场发射等方面具有很好的应用。热蒸发法被认为是制备具有各种形貌和特殊性质ZnO微//纳米材料的重要方法之一。石墨是该方法中最常使用的还...
- 桑丹丹
- 关键词：热蒸发法
- 文献传递
- 使用多种还原剂热蒸发制备氧化锌微/纳米结构的方法
- 本发明的使用多种还原剂热蒸发制备微/纳米结构氧化锌的方法属于半导体材料及其制备的技术领域。蒸发源包括ZnO粉和还原剂，还原剂可以是碳族元素材料或金属或有机化合物；在反应温度550～890℃、生长温度160～870℃、气压...
- 李红东李冬妹桑丹丹吕航
- 文献传递
- n-ZnO Nanorod/p-diamond异质结制备及电学特性
- 采用热蒸发法,在硼掺杂p型金刚石膜(p-diamond)上生长高取向的ZnO纳米棒(NR)(图a,b),并制作出n-Zn ONR/p-diamond异质结(图c插图为结构示意图).n-ZnO NR/p-diamond异质...
- 桑丹丹成绍恒王启亮李红东
- 关键词：ZNO异质结光电流
