杨防祖
- 作品数：258 被引量：825H指数：17
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划福建省自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- 铜表面修饰硅烷膜在碱性溶液中的耐蚀性能研究被引量：8
- 2005年
- 为了提高铜的耐蚀性,用自组装技术在铜表面上制备了3-巯基丙基三甲氧基硅烷(MPTS)自组装膜。利用红外光谱和扫描电子显微镜研究了该膜的结构,运用极化曲线和交流阻抗图谱等电化学方法考察了MPTS膜在0.5 mol/L NaOH溶液中对铜电极的缓蚀性能。结果表明,MPTS在铜表面可能以化学吸附方式强烈吸附到铜表面,同时在表面以Si-O-Si键自我交联形成了线性低聚物,MPTS浓度越高,其膜更致密。与裸铜电极相比,经MPTS修饰后的铜的腐蚀电位正移200mV,腐蚀电流降低一个数量级,其缓蚀效率为86.5%。
- 黄令林克发杨防祖许书楷周绍民
- 关键词：耐蚀性缓蚀效率自组装膜
- 三价铬镀铬之三--硫酸盐镀铬表征
- 本文对硫酸盐三价铬镀铬进行了表征，运用能量射散谱（EDS）、电子探针显微镜（EPMA）、XRD衍射和Tafel曲线等方法，在镀液中添加不同Fe2+离子含量，研究了硫酸盐三价铬镀层的组成、表面形貌、结构以及抗腐蚀性能。研究...
- 蒋义锋杨防祖黄令许书楷钟晓慧周绍民
- 关键词：三价铬镀铬硫酸盐镀层结构抗腐蚀性能
- 文献传递
- 钢铁基体上柠檬酸盐碱性无氰镀铜被引量：11
- 2009年
- 以柠檬酸盐为配位剂,结合胺化合物为辅助配位剂,研究了钢铁基体上无氰镀铜工艺。探索了搅拌方式、温度、pH、铜离子质量浓度和添加剂质量浓度对镀层质量的影响以及该工艺抗Fe2+、Fe3+、Zn2+、Sn4+等杂质的能力。试验结果表明,电流效率在90%左右,并随电流密度、温度和pH的提高而增大;镀液深镀能力达100%。通过极化曲线,解释了配位剂和添加剂的作用。
- 杨防祖吴伟刚林志萍黄令周绍民
- 关键词：钢铁基体碱性无氰镀铜柠檬酸盐电流效率深镀能力极化曲线
- 三价铬镀铬之二-硫酸盐镀铬工艺
- 开发出一种新型的硫酸盐三价铬镀铬工艺,以不锈钢片为阳极。介绍了其工艺规范,探讨了电流密度、温度、pH值、主盐浓度等因素对电流效率的影响。研究表明:该体系中,镀液温度为35～50℃,pH为3.0～4.5,电流密度为1.5～...
- 蒋义锋杨防祖许书楷田中群周绍民
- 关键词：镀铬三价铬硫酸盐
- 文献传递
- 2,2′-联吡啶和亚铁氰化钾对乙醛酸化学镀铜的影响被引量：9
- 2007年
- 以乙醛酸作还原剂、Na2EDTA为络合剂、2,2′-联吡啶和亚铁氰化钾作为添加剂组成化学镀铜体系,研究了两种添加剂对化学镀铜速率、镀层表面形貌、组成和结构的影响.结果表明:添加适量的2,2′-联吡啶和亚铁氰化钾,不仅提高了镀液的稳定性,而且使沉积速率增加1倍.这两种添加剂的同时使用,使镀层颜色变亮,形貌发生变化.所得镀层是多晶铜,没有发现夹杂Cu2O.
- 申丹丹杨防祖吴辉煌
- 关键词：化学镀铜乙醛酸沉积速率表面形貌
- 一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法
- 一种硅表面湿法沉积金纳米颗粒的方法，涉及一种硅的表面处理。以硅材料作为基底，首先将基底表面进行反复洁净处理，以去除硅表面的有机物、无机物和SiO<Sub>2</Sub>氧化层；随后将硅材料直接浸于含有组装分子的无水乙醇溶...
- 杨防祖杨丽坤吴德印任斌田中群
- 蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法
- 本发明公开了一种蘑菇形阵列表面增强拉曼光谱活性基底及制备方法。活性基底为金或银蘑菇形纳米结构阵列，其制备方法为首先使用纳米压印技术在具有金薄膜的硅或玻璃基片表面的光胶压印通孔，然后进行电沉积，形成蘑菇纳米结构阵列，其主要...
- 周勇亮樊海涛杨防祖张大霄单洁洁任斌田中群
- 文献传递
- 一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法
- 本发明公开了一种AFM硅针尖脉冲电镀纳米厚度致密金薄膜方法。该方法是以进行表面洁净处理并除去表面SiO<Sub>2</Sub>氧化层的商品AFM硅针尖作为电镀基底，在合适的电镀金溶液中，采用脉冲电镀方法，沉积出一层纳米厚...
- 杨防祖杨丽坤吴德印任斌田中群
- 文献传递
- 一种三价铁体系碱性溶液电沉积因瓦合金的电镀溶液及电镀方法
- 本发明公开了一种三价铁体系碱性溶液电沉积因瓦合金的电镀溶液及电镀方法，属于电沉积合金领域，涉及电沉积因瓦合金的电镀工艺，包括电镀液组成和电镀工艺参数。本发明所述的因瓦合金属于铁基高镍合金，通常含有32～36wt.％(质量...
- 杨防祖黄先杰闫慧黄帅帅田中群周绍民
- 亚硫酸盐／硫代硫酸盐体系无氰镀铜被引量：6
- 2009年
- 采用黄铜和不锈钢为基体，以SO3^2-／S2O3^2-为还原剂和配位剂，胺化合物为配位剂，研究了一价铜无氰镀铜工艺，其镀液组成和操作条件为：CuCl2．2H2016．0～21．3g／L，SO3^2-／S2O3^2-0．475mol／L，胺化合物0．76mol／L，H3BO3 36g/L，葡萄糖0．38mol／L，光亮剂（有机胺类化合物）0．04mL／L，温度40℃，pH8（以KOH调节），搅拌，电流密度0．5～2．0A／dm^2。讨论了温度、pH、铜离子质量浓度和光亮剂体积分数对镀层质量及电流效率的影响，分别采用扫描电镜和x射线衍射表征了镀层的表面形貌和结构。结果表明，控制合适的条件可使电流效率超过90％。使用本工艺电镀时，应采用较高的镀液pH，但镀液在存置时宜控制在较低的pH。添加剂能提高镀液的整平性能，使铜镀层只出现（111）和（200）晶面，光亮度提高，晶粒更细小、致密，颗粒分布均匀。
- 杨防祖余嫄嫄黄令姚光华周绍民
- 关键词：无氰镀铜亚硫酸盐硫代硫酸盐
