公共文化服务平台

杨春章: 作品数：35 被引量：41H指数：4; 供职机构：昆明物理研究所更多>>; 发文基金：国家科技重大专项中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信化学工程自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

Ge(211)衬底上分子束外延CdTe薄膜被引量：1: 2011年; 采用分子束外延在3英寸Ge(211)衬底上生长了10μm厚的CdTe(211)B薄膜。CdTe表面镜面光亮,3英寸范围厚度平均值9.72μm,偏差0.3μm;薄膜晶体质量通过X射线双晶迴摆曲线进行评价,FWHM平均值80.23 arcsec,偏差3.03 arcsec;EPD平均值为4.5×106 cm-2。通过研究CdTe薄膜厚度与FWHM和EPD的关系,得到CdTe的理想厚度为8～9μm。; 李艳辉杨春章苏栓谭英高丽华赵俊; 关键词：CDTE薄膜

Ge(211)异质衬底分子束外延HgCdTe薄膜材料及器件性能: 采用RIBER Epineat分子束外延系统,采用Ge(211)衬底经过表面处理,在生长腔体进行高温脱氧,As束流保护下进行表面钝化,在250℃采用表面增强(MEE）法生长50周期Zn/Te交替结构,固定生长面为(211...; 李艳辉杨春章覃钢杨晋李东升孔金丞; 关键词：半导体薄膜碲镉汞分子束外延生长

一种分子束外延汞束源炉金属坩埚: 本实用新型公开了一种分子束外延汞束源炉金属坩埚，所述坩埚在分子束外延束源炉中用于加热汞使用，该坩埚内壁设置有保护层，该保护层是利用CVD在坩埚内壁形成的裂解石墨、裂解氮化硼、石墨烯、碳纳米管或碳化硅纳米材料形成的高热导层...; 杨春章孔金丞王善力李艳辉陈卫业杨晋赵丽姬荣斌

一种真空腔体用可调方向拨叉装置: 本实用新型涉及一种真空腔体用可调方向拨叉装置，由角度调整及伸缩部分、支撑及伸缩控制部分、拨叉杆部分及外部旋转强磁套等部分组成；通过角度调整及伸缩部分可实现拨叉方向调整，通过支撑及伸缩控制部分可实现拨叉杆的前后伸缩，通过外...; 姬荣斌王善力杨春章孔金丞李艳辉陈卫业郑欣杨晋赵丽覃钢赵俊赵鹏

异质衬底外延碲镉汞薄膜位错抑制技术进展: 2022年; 分子束外延碲镉汞技术是制备第三代红外焦平面探测器的重要手段,基于异质衬底的碲镉汞材料具有尺寸大、成本低、与常规半导体设备兼容等优点,是目前低成本高性能红外探测器发展中的研究重点。对异质衬底上碲镉汞薄膜位错密度随厚度的变化规律进行了建模计算,结果显示ρ~1/h 模型与实验结果吻合度好,异质衬底上原生碲镉汞薄膜受位错反应半径制约,其位错密度无法降低至 5×10^(5)cm^(-2)以下,难以满足长波、甚长波器件的应用需求。为了有效降低异质外延的碲镉汞材料位错密度,近年来出现了循环退火、位错阻挡和台面位错吸除等位错抑制技术,本文介绍了各技术的原理及进展,分析了后续发展趋势及重点。循环退火和位错阻挡技术突破难度大,发展潜力小,难以将碲镉汞位错密度控制在 5×10cm以内。台面位错吸除技术目前已经显示出了巨大的发展潜力和价值,后续与芯片工艺融合后,有望大幅促进低成本长波、中长波、甚长波器件的发展。; 杨晋李艳辉杨春章覃钢李俊斌雷文孔金丞赵俊姬荣斌; 关键词：碲镉汞

分子束外延生长Hg1-_xCd_xTe材料原位退火研究: 2009年; 对分子束外延(MBE)生长了Hg1-xCdxTe薄膜材料进行原位退火研究。显微镜观察可知,原位退火可以得到光滑的材料表面,并可以降低材料的腐蚀坑密度(EPD)。霍尔测试结果表明,通过调整退火温度和汞束流可以明显地改善Hg1-xCdxTe材料的电学性能。研究表明Hg1-xCdxTe材料的原位退火技术在改善材料的微观结构和电学性能方面有着重要的意义。; 苏栓李艳辉周旭昌杨春章谭英高丽华李全保; 关键词：HG1-XCDXTE

分子束外延锗基碲镉汞薄膜及光电性能研究: 分子束外延锗基碲镉汞薄膜具有大面积、高均匀、低成本、表面质量高等特点,易于实现双/多色探测,是发展新一代红外焦平面探测器的重要选择.本文报道了分子束外延锗基短波、中波和短波/中波双色碲镉汞薄膜材料以及320×2...; 赵俊李艳辉杨春章谭英王晓璇韩福忠姬荣斌孔金丞; 关键词：分子束外延光电性能

RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1: 2008年; 在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结晶的变化规律,为MBE生长HgCdTe薄膜实验的可控生长提供有效帮助;生长结束后,通过SEM、Hall等手段对HgCdTe的表面缺陷、电学参数等性能进行了初步研究,证明实验说成长的材料基本满足器件制备的要求。; 曲海成李艳辉苏栓杨春章谭英高丽华王善力; 关键词：分子束外延 HGCDTE

一种用于二类超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法: 本发明公开了一种用于超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法，包括：(1)沿二类超晶格生长方向将单个周期厚度内的超晶格非均匀地离散为N层，形成N个节点；(2)将薛定谔方程中的哈密顿量按照k<Sub>z</Sub>的阶数展开并...; 蒋志李俊斌黄佑文周旭昌杨春章李艳辉孔金丞