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杨文韬

作品数：14 被引量：4H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 10篇半导体
  • 8篇功率半导体
  • 8篇功率半导体器...
  • 8篇半导体器件
  • 5篇电路
  • 5篇集成电路
  • 5篇功率器件
  • 5篇半导体功率器...
  • 4篇晶体管
  • 4篇功率集成
  • 4篇功率集成电路
  • 3篇双极型
  • 3篇绝缘栅
  • 3篇IGBT器件
  • 2篇电场
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子分布
  • 2篇栅结构
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇退火

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇杨文韬
  • 12篇李泽宏
  • 11篇张金平
  • 10篇任敏
  • 8篇张波
  • 8篇单亚东
  • 4篇刘竞秀
  • 3篇宋洵奕
  • 2篇夏小军
  • 2篇宋文龙
  • 2篇陈钱
  • 1篇肖璇
  • 1篇张灵霞
  • 1篇吴宽
  • 1篇张超
  • 1篇张蒙
  • 1篇张翔
  • 1篇李长安
  • 1篇李巍
  • 1篇吴明进

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2016
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件
一种双面场截止带埋层的RB-IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规RB-IGBT结构的基础上，通过在P型基区和N<Sup>—</Sup>漂移区之间，N<Sup>—</Sup>漂移区与P<Sup>+</Su...
李泽宏杨文韬宋洵奕陈钱单亚东张金平任敏
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一种RC-LIGBT器件及其制作方法
一种RC-LIGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件及集成电路领域。本发明在传统RC-LIGBT结构的基础上，在器件集电极结构中引入了P型阱区，该P型阱区将集电极结构中的N+集电极短路区包围在里面，且通过连接金属与N...
张金平杨文韬陈钱顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件
一种集成肖特基二极管的槽栅VDMOS器件，属于半导体器件技术领域。本发明在常规槽栅VDMOS器件槽栅结构两侧的漂移区中分别增加一个有肖特基结金属和体电极导电材料构成的附加结构；其中肖特基结金属上与源极金属接触，下与体电极...
任敏宋洵奕吴明进杨文韬单亚东顾鸿鸣宋文龙李泽宏张金平张波
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双极型绝缘栅晶体管终端可靠性的分析
高可靠IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)器件在工业领域中有着极为广泛的应用。终端结构是 IGBT器件不可缺少的部分,高可靠性终端设计向来是困恼IGBT设计者的一大难题。由于国内...
杨文韬
关键词：可靠性
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具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管
具有埋岛结构的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明是在传统IGBT器件结构的基础上，在器件MOS结构表面下分别引入P型埋岛和N型载流子存储层结构。在正向阻断时，P型埋岛所引入的电荷及附加电场可以削弱MO...
张金平杨文韬李巍夏小军张灵霞李泽宏任敏张波
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一种RC-IGBT器件及其制作方法
一种RC-IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统RC-IGBT器件结构的基础上，在N+集电极短路区11与N型电场阻止层8之间引入P型阱区12，并采用隔离介质13使得N型电场阻止层8与P型阱区1...
张金平杨文韬单亚东顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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一种功率器件的制作方法
一种功率器件的制作方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明利用LOCOS（局部氧化）工艺来生长场氧化层来制作功率器件（尤其是终端结构），利用硅与氮化硅同氧气的反应速度的差异来局部生长场氧化层，在场氧边缘处会形成一个鸟嘴状...
李泽宏杨文韬单亚东顾鸿鸣张金平任敏
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一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管
一种抗闩锁效应的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明利用离子注入、沉积或热生长方法或直接使用部分SOI硅片，在P型基区和N<Sup>-</Sup>漂移区之间的界面处设置一层隔离介质层，阻断N...
李泽宏杨文韬张金平张波
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具有肖特基接触终端的快恢复二极管
具有肖特基接触终端的快恢复二极管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统快恢复二极管的基础上，将等位环接触金属改为肖特基接触金属，减小了过渡区处的注入效率，优化了终端部分载流子分布，减小了关断损耗，提高了反向恢复过程中...
李泽宏杨文韬宋洵奕宋文龙张金平任敏
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一种双向IGBT器件及其制作方法
一种双向IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体器件技术领域。所述双向IGBT器件元胞结构包括两个对称设置于衬底漂移区正反两面的MOS结构，MOS结构的P型体区与衬底漂移区之间具有N型埋层，MOS结构的栅结构底部与衬底漂...
张金平杨文韬单亚东顾鸿鸣刘竞秀李泽宏任敏张波
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