杨宏军
- 作品数：15 被引量：4H指数：1
- 供职机构：清华大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术农业科学机械工程更多>>
- 面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法
- 本发明涉及一种面向三维元胞模型刻蚀工艺中确定粒子入射角度的方法，属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域；该方法首先根据刻蚀粒子的入射方向选择两个与入射面垂直的切平面；然后分别在两个切平面上选取入射点周围的表面元胞，将其位置坐标...
- 宋亦旭郑树琳孙晓民杨宏军
- 文献传递
- 基于压缩表示的离子刻蚀仿真三维表面演化方法被引量：4
- 2013年
- 为了研究表面演化过程的机理,提出了一种基于压缩表示的三维表面演化方法来模拟等离子体刻蚀工艺,并着重探讨了对离子刻蚀的仿真.为了解决三维元胞自动机内存需求量大的问题,该方法将二维数组和动态存储方式相结合,既实现元胞信息的无损压缩存储,又保持三维元胞间的空间相关性.实验结果也表明该方法不仅节省了大量内存,而且在高分辨率条件下查找离子初始碰撞的表面元胞效率较高,满足高分辨率仿真的要求.将该方法应用于实现刻蚀工艺三维表面仿真中,模拟结果与实验结果对比验证了该方法的有效性.
- 杨宏军宋亦旭郑树琳贾培发
- 关键词：等离子体刻蚀元胞自动机
- 蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法
- 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，...
- 宋亦旭阮聪孙晓民杨宏军
- 一种刻蚀和沉积工艺三维元胞信息存储结构及操作方法
- 本发明涉及一种刻蚀和沉积工艺元胞自动机模拟时三维元胞信息存储结构及操作方法，属于微电子加工过程中对刻蚀和沉积过程模拟技术领域，该存储结构为：创建一个二维静态数组来表示元胞自动机模型信息,该二维静态数组每个元素的信息包括：...
- 杨宏军宋亦旭孙晓民贾培发
- 文献传递
- 一种等离子干法三维刻蚀模拟方法
- 本发明属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域，提供了一种用蒙特卡罗(MC)和元胞自动机(CA)技术实现的等离子干法三维刻蚀过程的模拟方法。该方法从模拟刻蚀复杂刻蚀图形的角度出发，采用蒙特卡罗方法计算等离体中各种粒子输运到表面元...
- 宋亦旭杨宏军翟伟明孙晓民贾培发
- 文献传递
- 一种等离子干法三维刻蚀模拟方法
- 本发明属于微电子加工中刻蚀过程模拟领域，提供了一种用蒙特卡罗(MC)和元胞自动机(CA)技术实现的等离子干法三维刻蚀过程的模拟方法。该方法从模拟刻蚀复杂刻蚀图形的角度出发，采用蒙特卡罗方法计算等离体中各种粒子输运到表面元...
- 宋亦旭杨宏军翟伟明孙晓民贾培发
- 一种化学气相沉积过程的三维模拟方法
- 本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非...
- 宋亦旭杨宏军吴凡孙晓民贾培发
- 文献传递
- 蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法
- 本发明涉及蒙特卡洛和元胞自动机融合的刻蚀、沉积过程仿真方法，属于微电子加工技术领域，该方法包括：对仿真区域进行模型表示；在与模型表面距离为Dis的空白元胞所在一侧的曲面上，按照均匀分布的方式随机生成数量为Nn的中性粒子，...
- 宋亦旭阮聪孙晓民杨宏军
- 文献传递
- 一种刻蚀和沉积工艺三维元胞信息存储结构及操作方法
- 本发明涉及一种刻蚀和沉积工艺元胞自动机模拟时三维元胞信息存储结构及操作方法，属于微电子加工过程中对刻蚀和沉积过程模拟技术领域，该存储结构为：创建一个二维静态数组来表示元胞自动机模型信息,该二维静态数组每个元素的信息包括：...
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- 一种化学气相沉积过程的三维模拟方法
- 本发明涉及一种化学气相沉积过程的三维模拟方法，属于微电子加工中沉积过程模拟领域，该方法包括用元胞方法(CM)来表示模拟区域Ω中各个位置的材料分布并将沉积图形表面剖分成若干个三角平面；用蒙特卡罗(MC)方法结合空间八叉树非...
- 宋亦旭杨宏军吴凡孙晓民贾培发
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