杨冲
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：五邑大学应用物理与材料学院更多>>
- 发文基金：江门市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- LED芯片漏电原因分析被引量：1
- 2014年
- LED芯片漏电参数(IR)是判断芯片良率及性能检测的重要参数,但芯片漏电现象一直存在并困扰着业内的工程师。从芯片制造工艺技术出发,详细分析了制造过程中引起LED芯片漏电的潜在原因,包括:电子束蒸镀ITO层时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;钝化层沉积时,薄膜缺陷可能带来的芯片潜在漏电原因;芯片切割裂片时,切割裂片工艺以及芯片成品包装时可能带来的芯片潜在漏电原因。
- 杨冲王忆林海恋
- 关键词：芯片制造工艺漏电原因
- 垂直结构LEDNi/Sn合金背金层的制备及其性能研究
- 2014年
- 采用真空蒸镀法制备了垂直结构LED Ni/Sn合金背金层,通过扫描电子显微镜、X射线衍射对薄膜的物相和微观结构进行了表征,同时还研究了该合金作为LED背金层的光电性能。实验结果表明,在相同的蒸发速率条件下,随着基底温度的升高,沉积的合金颗粒逐渐增大,相应的薄膜的电阻率呈下降趋势。以蒸发速率为2/s、基底温度为100℃作为工艺条件制得背金层薄膜垂直结构LED,其电学性能与贵金属Au作为LED背金层的垂直结构芯片电学性能相当。
- 杨冲王忆林海恋黄承斌
- 关键词：NI
- 提高LED外量子效率的研究进展被引量：4
- 2012年
- 近年来半导体照明光源-发光二极管(LED)产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但LED的发光效率和制造成本依然是阻碍LED绿色照明光源普遍推广应用的一个绊脚石。文章简述了提高外量子效率的几种有效途径,如表面微粗化技术、芯片非极性面/半极性面生长技术、倒装芯片技术、生长分布布喇格反射层(DBR)结构、激光剥离技术,纳米压印与SU8胶相结合技术、光子晶体技术等。
- 杨冲李冠群刘大伟李钊英王忆
- 关键词：半导体照明光源倒装芯片技术
- 山梨糖醇对锶铁氧体结构和磁性能的影响被引量：2
- 2014年
- 在锶铁氧体预烧料中加入山梨糖醇作为分散剂,研究山梨糖醇对锶铁氧体的粒度分布和磁性能的影响。结果表明,随着分散剂的增加,粒度分布逐渐变窄。XRD图显示,山梨糖醇的添加没有改变锶铁氧体的物相结构。SEM图表明,添加山梨糖醇能够有效地改善锶铁氧体的晶体结构。最后指出了山梨糖醇的分散机理是空间位阻稳定作用。
- 林海恋王忆温东强吕兆民杨冲
- 关键词：山梨糖醇粒度分布磁性能
- 大功率LED芯片电极制造若干问题的研究
- LED以其节能、环保、长寿命等诸多优点,迅速占领了指示、显示、照明等领域,特别是以GaN基为主的LED照明光源,在近年来发展迅速,掀起了全球范围的LED研究热潮,各国也相继出台政策大力支持半导体照明产业的发展。 G...
- 杨冲
- 关键词：发光效率
